制造半导体陶瓷电容器的方法技术

一种电气和物理性能优异足以用作边界层型半导体陶瓷电容器的半导体陶瓷合成物和一种介电常数和绝缘电阻有所提高、电极的可钎焊性和抗拉强度优异的电容器。该合成物包含ＳｒＴｉＯ－［３］基本原料和Ｙ－［２］Ｏ－［３］及Ｎｂ－［２］Ｏ－［５］的半导电性添加剂。Ｙ－［２］Ｏ－［３］和Ｎｂ－［２］Ｏ－［５］的含量各为合成物的０．１至０．４克分子％。该电容器有一个由该合成物制成的半导体陶瓷体，陶瓷体各表面形成有第一导电层，第一导电层上形成有第二导电层。还提供了制造该电容器的方法。（*该技术在2007年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体陶瓷电容器用的半导体陶瓷合成物，更详细地说，涉及适用于边界层型半导体陶瓷电容器的SrTiO3-Y2O3-Nb2O5体系半导体陶瓷合成物和这类电容器。作为无源电子电路元件的半导体陶瓷电容器通常分为表面层型和边界层型两类。表面层型半导体陶瓷电容器包括还原和再氧化型半导体陶瓷电容器和阻挡层型半导体陶瓷电容器。还原和再氧化型半导体陶瓷电容器通常按下列程序制备。令加有半导电性添加剂的BaTiO3或SrTiO3系统压坯在大气中燃烧或烧制，以制备介电的陶瓷，然后将其在还原性气氛中进行热处理，以制取半导体陶瓷体。将由此得出的半导体陶瓷体在大气中或氧气氛中进行热处理，使氧通过其表面扩散入陶瓷体中，以弥补氧的缺陷。这样就制成了一种复合式的陶瓷体，陶瓷体的表面层起电介质层(再氧化层)的作用，其内部起半导体的作用。然后在复合式陶瓷体两表面配上电极，就制成一个大容量的小型半导体陶瓷电容器。这种电容器的静电电容取决于其表面层的厚度，增加厚度可以提高额定电压值。现在谈谈阻挡层型半导体电容器的制备过程。令一般由BaTiO3系统原料制成含半导电性添加剂的压坯在大气中燃烧，再用汽相淀积法在烧过本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种制造半导体陶瓷电容器的方法，其特征在于，该方法包括下列步骤：往半导电陶瓷表面涂上第一导电糊料，再烘焙所述第一导电糊料，以在所述半导电陶瓷体上形成第一导电层，所述第一导电糊料的主要成分为选自由锌粉和铝粉组成的料组的金属粉；和往所述 第一导电层表面涂上第二导电糊料，再烘焙所述第二导电糊料，以在所述第一导电层上形成第二导电层，所述第二导电糊料的主要成分为铜粉。

【技术特征摘要】
JP 1986-7-29 176632/861.一种制造半导体陶瓷电容器的方法，其特征在于，该方法包括下列步骤往半导电陶瓷表面涂上第一导电糊料，再烘焙所述第一导电糊料，以在所述半导电陶瓷体上形成第一导电层，所述第一导电糊料的主要成分为选自由锌粉和铝粉组成的料组的金属粉；和往所述第一导电层表面涂上第二导电糊料，再烘焙所述第二导电糊料，以在所述第一导电层上形成第二导电层，所述第二导电糊料的主要成分为铜粉。2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二导电糊料是在中性或还原性气氛中烘焙的。3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一导电糊料包含锌粉、玻...

【专利技术属性】
技术研发人员：小野秀一，板垣秋一，矢作正博，古川喜代志，藤原忍，及川泰伸，
申请(专利权)人：TDK株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]