陶瓷电子元件制造方法与凹版印刷法技术

一种陶瓷电子元件制造方法，包括第一与第二凹版印刷步骤，其中在包括陶瓷生片的合成片上印制导电膏和台阶消除陶瓷膏。在执行第二凹版印刷步骤前，先印出第一印记，而在第二凹版印刷步骤之前，先测定第一印记的位置并将它与其期望的位置作比较。然后执行第二凹版印刷步骤，相对于第一印记位置在合适的位置印刷第二印记。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

技术介绍
1.专利
本专利技术涉及制造多层电容器等陶瓷电子元件的方法，尤其涉及包括在陶瓷生片上印制导电膏的改进凹版印刷步骤的陶瓷电子元件制造方法。2.相关技术说明例如在多层陶瓷电容器制造过程中，应用了凹版印刷法在置于支承膜的陶瓷生片上印刷陶瓷膏与导电膏。日本待审专利申请公报8-250370揭示了一种制造多层陶瓷电容器的方法，其中通过应用第一凹版辊的凹版印刷法在置于一长条支承膜的介质生片上形成多种内电极图案，并通过应用第二凹版辊的凹版印刷法形成一种台阶消除(step-reducing)介质图案，以填充内电极图案间的空间。在上述方法中，在长条介质生片上利用凹版辊形成内电极图案与台阶消除介质图案，沿介质生片宽度常常出现位移(沿垂直于介质生片传送方向的方向的位移)。在上述的在介质生片上印制内电极图案与台阶消除介质图案的情况下，当出现沿介质生片宽度的位移时，内电极图案与台阶消除介质图案并不形成于期望的位置，因为这两种图案相互重叠或者二者的间隔过大。因此，在第二凹版印刷步骤之前，通过将第二凹版辊沿其轴向即沿介质生片的宽度移动，来校正沿介质生片宽度的位移。所以，如附图说明图17所示，畸变的台阶消本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种陶瓷电子元件制造方法，其特征在于，所述方法包括：长条合成片制备步骤，所述合成片包括支承膜和位于其上的陶瓷生片；第一凹版印刷步骤，通过凹版印刷对陶瓷生片第一区域内的陶瓷生片涂布第一膏；和第二凹版印刷步骤，通过凹版印 刷对陶瓷生片第二区域内的陶瓷生片涂布第二膏；其中在第一凹版印刷步骤中，在陶瓷生片或支承膜上形成第一印记；　把第一凹版印刷步骤中形成的第一印记的位置与其期望的位置作比较；和根据第一凹版印刷步骤形成的第一印记位置与其期望 位置的比较结果，执行第二凹版印刷步骤。

【技术特征摘要】
JP 2003-2-24 2003-046068;JP 2003-5-14 2003-1356561.一种陶瓷电子元件制造方法，其特征在于，所述方法包括长条合成片制备步骤，所述合成片包括支承膜和位于其上的陶瓷生片；第一凹版印刷步骤，通过凹版印刷对陶瓷生片第一区域内的陶瓷生片涂布第一膏；和第二凹版印刷步骤，通过凹版印刷对陶瓷生片第二区域内的陶瓷生片涂布第二膏；其中在第一凹版印刷步骤中，在陶瓷生片或支承膜上形成第一印记；把第一凹版印刷步骤中形成的第一印记的位置与其期望的位置作比较；和根据第一凹版印刷步骤形成的第一印记位置与其期望位置的比较结果，执行第二凹版印刷步骤。2.如权利要求1所述的陶瓷电子元件制造方法，其特征在于，在陶瓷生片按比较结果而沿其宽度与长度中至少一个尺度移动之后，或在陶瓷生片按比较结果正在沿其宽度与长度中至少一个尺度移动时，执行第二凹版印刷步骤。3.如权利要求1所述的陶瓷电子元件制造方法，其特征在于，用第一成像设备和第一图像处理设备测定第一印记的位置。4.如权利要求1所述的陶瓷电子元件制造方法，其特征在于，第二凹版印刷步骤中在陶瓷生片或支承膜上形成第二印记，第一和第二凹版印刷步骤中形成的第一与第二印记的位置分别与它们的期望位置作比较，并根据比较结果重复第二凹版印刷步骤。5.如权利要求1所述的陶瓷电子元件制造方法，其特征在于，检测第二凹版印刷步骤所用的平板滚筒上的第二印记印刷元件，以便测定第二印记的位置。6.如权利要求1所述的陶瓷电子元件制造方法，其特征在于，第一印记沿陶瓷生片长度延伸的尺度随沿陶瓷生片的宽度而变化。7.如权利要求4所述的陶瓷电子元件制造方法，其特征在于，第一和第二印记中至少一个沿陶瓷生片长度延伸的尺度随沿陶瓷生片的宽度而变化。8.如权利要求1所述的陶瓷电子元件制造方法，其特征在于，第一印记基本上呈三角形。9.如权利要求4所述的陶瓷电子元件制造方法，其特征在于，第一和第二印记基本上呈三角形。10.如权利要求1所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：石本裕一，桥本宪，
申请(专利权)人：株式会社村田制作所，
类型：发明
国别省市：JP[日本]