【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及用于形成芯片电阻的陶瓷基板以及采用该陶瓷基板的芯片电阻的制造方法。如附图说明图17所示，芯片电阻11在陶瓷基板12的两主面到端面上形成2个电极膜14，在一侧的主面上形成电阻膜13并且在其上形成保护膜15。以往，陶瓷基板12如图18所示那样以分割沟6区分成多个格子内区域3并且具备形成在该格子内区域3的短边侧3a的一次分割沟1以及形成在长边侧3b的二次分割沟2，为了高效地制造芯片电阻11，在它的制造过程中采用上述的形状。又，随着这种芯片电阻11的小型化、尺寸精度的精密化，一般在两主面各自对应的位置上形成分割沟6，该分割沟6的形成方法如图19所示，通过将金属模具备的刀刃8a、8b压入生片5来形成。如此，将形成了规定形状的生片5在规定温度下烧成而得到陶瓷基板12。其次，对于芯片电阻11的制造工序进行说明。如图20所示，首先在陶瓷基板12的两主面上印刷电极膜14，在烧成之后在陶瓷基板12的一侧的主面上印刷电阻膜13并进行烧成。然后，利用激光修整对于电阻膜13的一部分进行整形并将电阻值调整到规定范围，然后，在电阻膜13上印刷保护膜15并进行烧成。其次，进行...
【技术保护点】
一种芯片电阻用陶瓷基板，它是用于形成通过在基板的两主面上对应地形成格子状的分割沟而在所述主面上划分长方形状区域来构成的芯片电阻，其特征在于，形成在所述区域短边侧的一次分割沟的两主面的合计深度比形成在所述区域长边侧的二次分割沟的两主面的合 计深度要浅。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】JP 2000-5-23 151651/00;JP 2000-5-29 158829/001．一种芯片电阻用陶瓷基板，它是用于形成通过在基板的两主面上对应地形成格子状的分割沟而在所述主面上划分长方形状区域来构成的芯片电阻，其特征在于，形成在所述区域短边侧的一次分割沟的两主面的合计深度比形成在所述区域长边侧的二次分割沟的两主面的合计深度要浅。2．如权利要求1所述的芯片电阻用陶瓷基板，其特征在于，所述一次分割沟与所述二次分割沟电阻形成面侧的沟深都比里面侧的沟深要大。3．如权利要求2所述的芯片电阻用陶瓷基板，其特征在于，所述陶瓷基板的厚度为200±30μm，所述格子内区域的长边为600μm～300μm且短边为300μm～100μm，所述一次分割沟的深度在电阻形成面侧为20±10μm且在里面侧的深度为10±5μm，所述二次分割沟的深度在电阻形成面侧为40±10μm且在里面侧的深度为10±5μm。4．一种芯片电阻用陶瓷基板，它是用于形成通过在基板的两主面上形成对应格子状的分割沟而在所述主面上划分长方形状区域来构成的芯片电阻，其特征在于，形成在所述区域短边侧的一次分割沟的两主面的合计深度比形成在所述区域长边侧的二次分割沟的两主面的合计深度要小，所述一次分割沟的电阻形成面侧比里面侧要深，所述二次分割沟的里面侧比电阻形成面侧要深。5．如权利要求4所述的芯片电阻用陶瓷基板，其特征在于，所述陶瓷基板的厚度为200±30μm，所述格子内区域的所述格子内区域的长边为600μm～300μm且短边为300μm～100μm，所述一次分割沟的深度在电阻形成面侧为20±10μm且在里面侧的深度为10±5μm，所述二次分割沟的深度在电阻形成面侧为10±5μm且在里面侧的深度为40±10μm。6．如权利要求5所述的芯片电阻用陶瓷基板，其特征在于，所述一次分割沟的电阻形成面侧的开口角以及所述二次分割沟的里面侧的开口角都在30±10°的范围内，所述一次分割沟的里面侧的开口角以及所述二次分割沟的电阻形成面侧的开口角都在40±5°的范围内，7．如权利要求1～6任意一项所述的芯片电阻用陶瓷基板，其特征在于，所述陶瓷基板具有在周围将边缘部分与所述陶瓷基板分割的边缘部分分割沟，仅在所述边缘部分分割沟的端部或其延长方向上具有盲沟或者盲孔。8．如权利要求1～6任意一项所述的芯片电阻用陶瓷基板，其特征在于，所述陶瓷基板在两主面的边缘端部具备倒角，在所述倒角之间具有基板厚度50％以上垂直的端面，所述垂直端面的最大粗糙度Rmax为6μm以下。9．一种芯片电阻的制造方法，它是将分割沟在两主面上对应地形成格子状的生片进行烧成并且将所述生片作为陶瓷基板，在所述基板的两主面上形成电极并在表面侧形成电阻膜，再分割所述陶瓷基板，其特征在于，所述陶瓷基板的两主面具有由一次分割沟及与所述一次分割沟垂直相交的二次分割沟分割的区域，在所述区域短边...
【专利技术属性】
技术研发人员：高尾克一，冈本忠裕，津曲兼温，中元彻郎，
申请(专利权)人：京瓷株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]
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