在主机和非易失性存储设备间进行缓冲的多端口存储设备制造技术

一种多端口易失性存储装置包括被配置为将数据传送到外部主机系统和设备或从其传送数据的第一端口。易失性主存储磁心，被配置为存储在其处接收的数据并从其中读取所请求的存储数据。易失性子存储磁心，被配置为存储在其处接收的数据并从其中读取所请求的存储数据。连接到第一端口的主接口电路被配置为在主模式中将数据提供给易失性主存储磁心和第一端口或从其中提供数据，以及在从模式中将数据提供给易失性子存储磁心和第一端口或从其中提供数据。第二端口，被配置为将数据传送到非易失性存储设备和所述设备或从其传送数据。连接到第二端口的子接口电路，被配置为在从模式中提供数据给易失性子存储磁心和第一端口或从其提供数据。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及存储设备，更具体地，涉及非易失性存储设备。
技术介绍
有时需要具有大容量的存储器来存储由配备有数码相机模块或能够访问因特网的移动系统所产生的图像数据。通常，移动电话使用“或非(NOR)”型闪存作为高速随机存取存储器来存储用于处理数据的指令代码。但是，“或非”型闪存在用于需要更大容量的应用(例如用来存储图像数据)中时可能是相对昂贵的。因此，“或非”型闪存无法广泛使用在这种应用中。“与非(NAND)”型闪存设备与“或非”型闪存相比运行速度要低。但是，在需要更大容量的应用中，诸如在移动电话中存储由其中的数码相机产生的图像数据，“与非”型闪存与“或非”型闪存相比可更具有成本优势。但是，“与非”型闪存设备的低速度使得这些设备常出问题。在一些移动应用中，中央处理器(CPU)控制DRAM中的图像数据的存储并执行诸如压缩所存储的图像数据那样的数字图像处理，以便可以在“与非”型闪存中存储处理后的数据。CPU通过各个接口访问DRAM和“与非”型闪存。DRAM可以使用直接存储存取器(DMA)与“与非”型闪存进行通信。因此，使用DRAM作为缓冲器就可以使得能够使用低速类型的闪存(即，“与非”型闪存)。由于“与非”型闪存的运行速度比DRAM要低，所以会降低这种移动系统的性能。此外，由于CPU使用各个硬件接口(即，针脚)来访问DRAM和“与非”型闪存，因此当系统被集成在单个芯片中时，CPU组件的尺寸相对较大，这可以影响移动电话的整个尺寸/重量(由于使用了“与非”型闪存)。已知的是提供了一种其中系统通过使用静态随机存取存储器(SRAM)作为缓冲器来与“与非”型闪存进行通信的系统接口(由日本的东芝公司提出)。在这种方案中，可以以系统和SRAM之间接口的速度来高效地控制“与非”型闪存。来自日立公司的公开的韩国专利申请第2002-95109号公开了一种半导体设备，该半导体设备包括非易失性存储器(例如，闪存)、具有连接到闪存和DRAM两者的控制电路的DRAM，并具有用于将这些存储器集成到多芯片模块中的结构。在这种方案中，半导体存储器设备的控制电路将数据加载到DRAM中，并然后响应于外部指令将从DRAM加载的数据传送到闪存。在读操作期间，将存储在闪存中的数据传送到DRAM，并接着从DRAM中读出所传送的数据。
技术实现思路
根据本专利技术的实施例能提供具有用于在主机和非易失性存储设备之间进行缓冲的多端口存储设备。根据这样的一些实施例，一种多端口易失性存储设备包括第一端口，被配置为将数据传送到外部主机系统和所述设备或从外部主机系统和所述设备传送数据。易失性主存储磁心，被配置为存储在其处所接收到的数据并从其中读取所请求的存储数据。易失性子存储磁心，被配置为存储在其处所接收到的数据并从其中读取所请求的存储数据。连接到第一端口的主接口电路，被配置为在主模式中将数据提供给易失性主存储磁心和第一端口或从易失性主存储磁心和第一端口提供数据，并且被配置为在从模式中将数据提供给易失性子存储磁心和第一端口或从易失性子存储磁心和第一端口提供数据。第二端口，被配置为将数据传送到外部非易失性存储设备和所述设备或从外部非易失性存储设备和所述设备传送数据。连接到第二端口的子接口电路，被配置为在从模式中将数据提供给易失性子存储磁心和第二端口或从易失性子存储磁心和第二端口提供数据。在根据本专利技术的一些实施例中，主接口电路包括指令解码器，被配置为对从外部主机系统所提供的指令进行解码以产生至少一个内部指令控制信号。地址缓冲器，被配置为基于从外部系统所提供的地址信号来产生至少一个内部地址控制信号。数据输入/输出缓冲器，被配置为在主模式中在外部主机系统和易失性主存储磁心之间传送数据，并且被配置为在从模式中将数据传送到外部主机系统和易失性子存储磁心或从外部主机系统和易失性子存储磁心传送数据。控制器，被配置为响应于从外部主机系统所提供的主/从模式选择信号，基于通过地址缓冲器和数据输入/输出缓冲器所提供的第一控制数据来控制易失性主存储磁心和易失性子存储磁心。在根据本专利技术的一些实施例中，子接口电路包括“与非”型闪存控制器，被配置为响应于所述控制器所提供的第二控制数据来控制在子存储磁心和连接到第二端口的闪存之间的数据传送。在根据本专利技术的一些实施例中，主接口电路还包括电源管理电路，被配置为响应于从指令解码器所提供的至少一个内部指令控制信号来接通/断开至易失性子存储磁心和子接口电路的电源电压的。在根据本专利技术的一些实施例中，易失性子存储磁心相应的容量为存储器的至少一个页面或存储器的一个块，并以存储器的一个页面或存储器的一个块为单位来访问闪存。在根据本专利技术的一些实施例中，一种多端口易失性存储设备包括易失性存储磁心，被连接到被配置为从外部访问该易失性存储磁心或从该易失性存储磁心访问外部的设备的第一和第二端口。该第一端口被配置为通过主机系统的外部访问，和第二端口被配置为通过非易失性存储设备的外部访问。在根据本专利技术的一些实施例中，所述易失性存储磁心还包括连接到第一端口的易失性主存储磁心，被配置为在由主机系统发出信号的主模式中通过其进行访问。连接到第一端口和第二端口的易失性子存储磁心，被配置为在由主机系统发出信号的从模式中通过其进行访问。在根据本专利技术的一些实施例中，所述易失性主存储磁心被配置为在主模式期间通过第一端口执行读和写操作，并且还被配置为在从模式中执行至易失性子存储磁心的复制操作或来自易失性子存储磁心的复制操作。在根据本专利技术的一些实施例中，所述易失性子存储磁心被配置为在从模式中通过第一端口执行读和写操作，并通过第一端口执行对非易失性存储器的从外部主机接收数据/将数据传送到外部主机的非易失性读和写操作。在根据本专利技术的一些实施例中，所述易失性子存储磁心被配置为在闪存模式写操作期间经由第一端口从外部主机接收数据，并且还被配置为经由第二端口将数据提供给非易失性存储设备。在根据本专利技术的一些实施例中，所述易失性子存储磁心被配置为在闪存模式读操作期间经由第二端口从非易失性存储器接收数据，并且还被配置为经由第一端口将数据提供给外部主机。在根据本专利技术的一些实施例中，所述易失性子存储磁心被配置为在页面读模式操作期间经由第二端口从非易失性存储器接收数据，并且还被配置为以1个页面的大小将数据提供给易失性主存储磁心。在根据本专利技术的一些实施例中，当中断信号处于非激活状态中时，可由外部主机通过第一端口有效访问从易失性子存储磁心接收到的在易失性主存储磁心中的数据。在根据本专利技术的一些实施例中，所述易失性子存储磁心被配置为在等待信号处于非激活状态中时执行至非易失性存储器中的读操作或从非易失性存储器中的写操作。在根据本专利技术的一些实施例中，所述易失性主存储磁心被配置为在页面写模式操作期间经由第一端口从外部主机接收数据，并且还被配置为为了对非易失性存储设备进行写操作而以1个页面的大小将数据提供给易失性子存储磁心。在根据本专利技术的一些实施例中，在已经将数据提供给易失性子存储磁心之后，当中断信号处于非激活状态中时，可由外部主机通过第一端口有效访问主存储磁心中的数据。在根据本专利技术的一些实施例中，所述易失性子存储磁心被配置为在等待信号处于非激活状态中时，执行往非易失性存储器中的读操作或从非易失性存储器中的写操作。在根据本专利技术的一些实本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种多端口易失性存储设备，包括：第一端口，被配置为将数据传送到外部主机系统和所述设备或从外部主机系统和所述设备传送数据；易失性主存储磁心，被配置为存储在其处所接收到的数据并从其中读取所请求的存储数据；易失性子存储磁心 ，被配置为存储在其处所接收到的数据并从其中读取所请求的存储数据；连接到第一端口的主接口电路，被配置为在主模式中将数据提供给易失性主存储磁心和第一端口或从易失性主存储磁心和第一端口提供数据，并且被配置为在从模式中将数据提供给易失性子存 储磁心和第一端口或从易失性子存储磁心和第一端口提供数据；第二端口，被配置为将数据传送到外部非易失性存储设备和所述设备或从外部非易失性存储设备和所述设备传送数据；以及连接到第二端口的子接口电路，被配置为在从模式中将数据提供给易 失性子存储磁心和第二端口或从易失性子存储磁心和第二端口提供数据。

【技术特征摘要】
KR 2004-1-30 6340/041.一种多端口易失性存储设备，包括第一端口，被配置为将数据传送到外部主机系统和所述设备或从外部主机系统和所述设备传送数据；易失性主存储磁心，被配置为存储在其处所接收到的数据并从其中读取所请求的存储数据；易失性子存储磁心，被配置为存储在其处所接收到的数据并从其中读取所请求的存储数据；连接到第一端口的主接口电路，被配置为在主模式中将数据提供给易失性主存储磁心和第一端口或从易失性主存储磁心和第一端口提供数据，并且被配置为在从模式中将数据提供给易失性子存储磁心和第一端口或从易失性子存储磁心和第一端口提供数据；第二端口，被配置为将数据传送到外部非易失性存储设备和所述设备或从外部非易失性存储设备和所述设备传送数据；以及连接到第二端口的子接口电路，被配置为在从模式中将数据提供给易失性子存储磁心和第二端口或从易失性子存储磁心和第二端口提供数据。2.根据权利要求1所述的多端口易失性存储设备，其中，主接口电路包括指令解码器，被配置为对从外部主机系统所提供的指令进行解码以产生至少一个内部指令控制信号；地址缓冲器，被配置为基于从外部系统所提供的地址信号来产生至少一个内部地址控制信号；数据输入/输出缓冲器，被配置为在主模式中在外部主机系统和易失性主存储磁心之间传送数据，并且被配置为在从模式中将数据传送到外部主机系统和易失性子存储磁心或从外部主机系统和易失性子存储磁心传送数据；以及控制器，被配置为响应于从外部主机系统所提供的主/从模式选择信号，基于通过地址缓冲器和数据输入/输出缓冲器所提供的第一控制数据来控制所述易失性主存储磁心和所述易失性子存储磁心。3.根据权利要求1所述的多端口易失性存储设备，其中，子接口电路包括“与非”型闪存控制器，被配置为响应于所述控制器所提供的第二控制数据来控制在子存储磁心和连接到第二端口的闪存之间的数据传送。4.根据权利要求1所述的多端口易失性存储设备，其中，主接口电路还包括电源管理电路，被配置为响应于从指令解码器所提供的至少一个内部指令控制信号来接通/断开至易失性子存储磁心和子接口电路的电源电压的。5.根据权利要求2所述的多端口易失性存储设备，其中，易失性子存储磁心相应的容量包括存储器的至少一个页面或存储器的一个块，以存储器的一个页面或存储器的一个块为单位来访问所述闪存。6.一种多端口易失性存储设备，包括易失性存储磁心，被连接到被配置为从外部访问该易失性存储磁心或从该易失性存储磁心访问外部的设备的第一和第二端口的，其中该第一端口被配置为通过主机系统的外部访问，而第二端口被配置为通过非易失性存储设备的外部访问。7.根据权利要求6所述的多端口易失性存储设备，其中，所述易失性存储磁心还包括连接到第一端口的易失性主接口电路，被配置为在由主机系统发出信号的主模式中通过其进行访问；和连接到第一端口和第二端口的易失性子接口电路，被配置为在由主机系统发出信号的从模式中通过其进行访问。8.根据权利要求7所述的多端口易失性存储设备，其中，所述易失性主存储磁心被配置为在主模式期间通过第一端口执行读和写操作，并且还被配置为在从模式中执行至易失性子存储磁心的复制操作或来自易失性子存储磁心的复制操作。9.根据权利要求7所述的多端口易失性存储设备，其中，所述易失性子存储磁心被配置为在从模式中通过第一端口执行读和写操作，并通过第一端口执行对非易失性存储器的从外部主机接收数据/将数据传送到外部主机的非易失性读和写操作。10.根据权利要求9所述的多端口易失性存储设备，其中，所述易失性子存储磁心被配置为在闪存模式写操作期间经由第一端口从外部主机接收数据，并且还被配置为经由第二端口将数据提供给非易失性存储设备。11.根据权利要求9所述的多端口易失性存储设备，其中，所述易失性子存储磁心被配置为在闪存模式读操作期间经由第二端口从非易失性存储器接收数据，并且还被配置为经由第一端口将数据提供给外部主机。12.根据权利要求9所述的多端口易失性存储设备，其中，所述易失性子存储磁心被配置为在页面读模...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙汉求，金世振，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]