存储单元具有磁阻存储效应的集成存储器制造技术

一种集成存储器，包含有具备磁阻存储效应的存储单元（ＭＣ）、行线（ＷＬ０～ＷＬｍ）和列线（ＢＬ０～ＢＬｎ）。所述的存储单元（ＭＣ）分别被连接在列线（ＢＬ０～ＢＬｎ）中的一个与行线（ＷＬ０～ＷＬｍ）中的一个之间。如此地实施该存储单元（ＭＣ），使得可以借助流经该相应存储单元（ＭＣ）的电流（ＩＢ）来把该存储单元从相应的列线（ＢＬ０～ＢＬｎ）和／或行线（ＷＬ０～ＷＬｍ）分开。由此，在存储单元（ＭＣ１２）有故障的情况下，可以使该存储器实现较低的修理费用。（*该技术在2021年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种其存储单元具有磁阻存储效应的集成存储器，所述的存储单元分别被连接在多个列线中的一个与多个行线中的一个之间。为了存储数据信号，具有磁阻存储效应的存储单元通常都具有状态可变的铁磁层。该存储效应通常以所谓的GMR(巨磁阻)效应或TMR(隧道磁阻)效应而为大家所公知。在此，这类存储单元的电阻取决于所述铁磁层中的磁化。具有这类存储单元的存储器也被称为所谓的MRAM存储器，其构造经常类似于譬如DRAM型集成存储器。这类存储器通常为如下存储单元布置，即该布置具有基本相互平行的行线和列线，其中所述的行线通常与列线垂直。从WO99/14760中可以得知该类MRAM存储器。在此，存储单元分别被连接在行线中的一个与列线中的一个之间，并且与相应的列线和行线作电连接。在此，具有磁阻存储效应的存储单元比所述行线和列线的电阻要高。为了读出存储单元中的一个内的数据信号，所述列线被连接在一个读放大器上。为了读出，对所述列线上可以检测的电流进行测量。在这类MRAM存储器中，没有诸如DRAM存储器中的二极管或晶体管，该二极管或晶体管为了读出数据信号而根据寻址把存储单元与相应的列线连接起来。由此，在本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种其存储单元（ＭＣ）具有磁阻存储效应的集成存储器，所述的存储单元分别被连接在多个列线（ＢＬ０～ＢＬｎ）中的一个与多个行线（ＷＬ０～ＷＬｍ）中的一个之间，而且与相应的列线（ＢＬ０～ＢＬｎ）和行线（ＷＬ０～ＷＬｍ）相连， 其特征在于： 如此地实施该存储单元（ＭＣ），使得可以借助流经该相应存储单元（ＭＣ）的电流（ＩＢ）来把该存储单元从相应的列线（ＢＬ０～ＢＬｎ）和／或行线（ＷＬ０～ＷＬｍ）分开，以便断开相应的电气连接。

【技术特征摘要】
DE 2000-6-20 10030234.31.一种其存储单元(MC)具有磁阻存储效应的集成存储器，所述的存储单元分别被连接在多个列线(BL0～BLn)中的一个与多个行线(WL0～WLm)中的一个之间，而且与相应的列线(BL0～BLn)和行线(WL0～WLm)相连，其特征在于如此地实施该存储单元(MC)，使得可以借助流经该相应存储单元(MC)的电流(IB)来把该存储单元从相应的列线(BL0～BLn)和/或行线(WL0～WLm)分开，以便断开相应的电气连接。2.如权利要求1所述的集成存储器，其特征在于与用于从所述存储单元(MC)之一读出数据信号或向所述存储单元(MC)之一写入数据信号的电流相比，所述用于断开所述存储单元(MC)之一的电流(IB)要大。3.如权利要求1或2所述的集成存储器，其特征在于在相应的存储单元(MC12)和相应的列线(BL2)之间，以及/或者在相应的存储单元...

【专利技术属性】
技术研发人员：U哈特曼，
申请(专利权)人：因芬尼昂技术股份公司，
类型：发明
国别省市：DE[德国]