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一种集成存储器，包含有具备磁阻存储效应的存储单元（ＭＣ）、行线（ＷＬ０～ＷＬｍ）和列线（ＢＬ０～ＢＬｎ）。所述的存储单元（ＭＣ）分别被连接在列线（ＢＬ０～ＢＬｎ）中的一个与行线（ＷＬ０～ＷＬｍ）中的一个之间。如此地实施该存储单元（ＭＣ），使...
该专利属于因芬尼昂技术股份公司所有，仅供学习研究参考，未经过因芬尼昂技术股份公司授权不得商用。

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