【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及用低磁场引起实质性磁阻变化的磁阻效应器件，包括该器件并适于用在高密度磁记录及重播中的磁阻头，及制造磁阻效应器件的方法。磁阻传感器(以下简称为“MR传感器”)及使用磁阻效应器件(以下简称为“MR器件”)的磁阻头(以下简称为“MR头”)已被开发并在实际中使用。作为MR器件中的磁体，通常使用Ni0.8Fe0.2的坡莫合金膜或Ni0.8Co0.2的合金膜。当使用这种磁阻效应材料时，所产生的磁阻变化率(以下简称为“MR率”约为2％。一直希望有大的MR率的高灵敏度MR器件。近来，已经发现一种[Fe/Cr]或[Co/Ru]人造栅膜，它通过金属的非磁薄膜、如Cr膜或Ru膜反铁磁地连接，该膜在强磁场下(约1至10kOe)呈现实质上100％的大磁阻变化(大磁阻效应)(Physical Review Letter,Vol,61,P2472(1988)；Physical Review Letter,Vol.64,P2304(1990))。但是，这种栅膜需要几kOe至几十kOe的强磁场，以获得大的MR率，因此它用作磁头或类似装置是不实际的。其中对Ni-Fe/Cu/Ni-...
【技术保护点】
磁阻效应器件，包括多层膜，该多层膜包括反铁磁膜、第一铁磁膜、非磁膜及第二铁磁膜，它们以此顺序直接地或经过一下层设在非磁衬底上，其中： 反铁磁膜包括α－Ｆｅ↓［２］Ｏ↓［３］膜；及 多层膜的表面粗糙度约为０．５ｎｍ或以下。
【技术特征摘要】
JP 1997-9-29 263212/971.磁阻效应器件，包括多层膜，该多层膜包括反铁磁膜、第一铁磁膜、非磁膜及第二铁磁膜，它们以此顺序直接地或经过一下层设在非磁衬底上，其中反铁磁膜包括α-Fe2O3膜；及多层膜的表面粗糙度约为0.5nm或以下。2.根据权利要求1的磁阻效应器件，其中第一铁磁膜包括Co1-xFex合金膜(0＜x≤0.5，其中x表示原子组分比)。3.根据权利要求1的磁阻效应器件，其中第一铁磁膜通过在Ni-Fe合金层或Ni-Fe-Co合金层上设置Co1-xFex合金层(0＜x≤0.5，其中x表示原子组分比)。4.根据权利要求1的磁阻效应器件，其中下层的主要成分是Pt或Au。5.根据权利要求1的磁阻效应器件，其中α-Fe2O3膜的厚度在约5nm及约40nm之间的范围中。6.根据权利要求1的磁阻效应器件，其中第二铁磁膜的易轴这样地布置，以使得它与待检测的信号磁场方向实质上垂直。7.磁阻效应器件，包括多层膜，该多层膜包括反铁磁膜、第一铁磁膜、非磁膜及第二铁磁膜，它们以此顺序直接地或通过一下层设在非磁衬底上，其中反铁磁膜包括具有α-Fe2O3膜及第二反铁磁膜的分层结构。8.根据权利要求7的磁阻效应器件，其中第二反铁磁膜包括一个NiO膜或一个CoO膜。9.根据权利要求7的磁阻效应器件，其中第二反铁磁膜设置在α-Fe2O3膜上面。10.根据权利要求7的磁阻效应器件，其中α-Fe2O3膜设置在NiO膜上面。11.根据权利要求7的磁阻效应器件，其中第二铁磁膜的易轴这样地布置，以使得它与待检测的信号磁场方向实质上垂直。12.磁阻效应器件，包括多层膜，该多层膜包括反铁磁膜、第一铁磁膜、非磁膜及第二铁磁膜，它们以此顺序直接地或通过一下层设在非磁衬底上，其中反铁磁膜包括一个α-Fe2O3膜；及α-Fe2O3膜的厚度在约5nm及约40nm之间的范围中。13.根据权利要求12的磁阻效应器件，其中第二铁磁膜的易轴这样地布置，以使得它与待检测的信号磁场方向实质上垂直。14.磁阻效应器件，包括多层膜，该多层膜包括第一反铁磁膜、第一铁磁膜、第一非磁膜、第二铁磁膜、第二非磁膜、第三铁磁膜及第二反铁磁膜，它们以此顺序直接地或通过一下层设在非磁衬底上，其中第一反铁磁膜包括一个α-Fe2O3膜；及多层膜的表面粗糙度约为0.5nm或以下。15.根据权利要求14的磁阻效应器件，其中第二铁磁...
【专利技术属性】
技术研发人员：川分康博，里见三男，杉田康成，间博，
申请(专利权)人：松下电器产业株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]
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