实现冗长置换且可高速读出的存储装置制造方法及图纸

一种存储装置，其特征在于：　　　　包括　　　　多个正规存储单元；　　　　多个备用存储单元，其在上述多个正规存储单元中存在缺陷存储单元时，代替上述缺陷存储单元使用；　　　　多条位线，其用于从上述多个正规存储单元读出数据；　　　　读出放大电路，其从上述多个正规存储单元和上述多个备用存储单元读出数据；　　　　多条数据线，其用于将上述多条位线连接于上述读出放大电路；　　　　　连接电路，其形成为了使上述多条数据线的负荷容量实质上相等而将上述多条数据线连接于上述多个正规存储单元及上述多个备用存储单元的线路的一部分，　　　　上述连接电路形成将按照第１输入地址所选择的上述多条位线中第１选择位线连接于上述多条数据线中第１数据线、同时将按照上述第１输入地址所选择的上述多个备用存储单元一部分连接于与上述多条数据线中上述第１数据线不同的第２数据线的线路的一部分，形成将按照第２输入地址所选择的上述多条位线中第２选择位线连接于上述第２数据线、同时将按照上述第２输入地址所选择的上述多个备用存储单元一部分连接于上述第１数据线的线路的一部分。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
该专利技术涉及存储装置，特别是涉及磁性体随机存取存储器(MRAM)的可高速动作的冗长结构。现有技术作为可高速存储非易失数据的存储装置，MRAM(Magnetic RandomAccess Memory)设备正在被关注。MRAM设备是使用由半导体集成电路所形成的多个薄膜磁性体进行非易失数据存储、针对各薄膜磁性体可进行随机存取的存储装置。特别是近几年，发表了由于把利用了磁遂道接合(MTJMagneticTunnel Junction)的薄膜磁性体作为存储单元使用、MRAM设备的性能飞跃进步的消息。关于设置了有磁遂道接合的存储单元的MRAM设备，已在下述文献1～文献3等公布了。文献1Roy Scheuerline等其他6名、“在各单元采用了FET开关及磁遂道接合、10ns读出·写入的非易失存储阵列(A10ns Read and WriteNon-Volatile Memory Array Usinga Magnetic Tunnel JunctionandFET Switch in each Cell)”，(美国)，2000年美国电气电子学会国际固体电路会议·技术论文集TA7.2(2本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种存储装置，其特征在于包括多个正规存储单元；多个备用存储单元，其在上述多个正规存储单元中存在缺陷存储单元时，代替上述缺陷存储单元使用；多条位线，其用于从上述多个正规存储单元读出数据；读出放大电路，其从上述多个正规存储单元和上述多个备用存储单元读出数据；多条数据线，其用于将上述多条位线连接于上述读出放大电路；连接电路，其形成为了使上述多条数据线的负荷容量实质上相等而将上述多条数据线连接于上述多个正规存储单元及上述多个备用存储单元的线路的一部分，上述连接电路形成将按照第1输入地址所选择的上述多条位线中第1选择位线连接于上述多条数据线中第1数据线、同时将按照上述第1输入地址所选择的上述多个备用存储单元一部分连接于与上述多条数据线中上述第1数据线不同的第2数据线的线路的一部分，形成将按照第2输入地址所选择的上述多条位线中第2选择位线连接于上述第2数据线、同时将按照上述第2输入地址所选择的上述多个备用存储单元一部分连接于上述第1数据线的线路的一部分。2.一种存储装置，其特征在于包括多个存储单元，其依据电阻值的变化来存储信息；读出放大电路，其从在上述多个存储单元中同时选择的多个选择存储单元并行进行数据的读出；电流线路形成部，其在上述读出放大电路到电源电位供给源之间，形成分别对应上述多个选择存储单元的多条读出电流线路，上述多条读出电流线路的物理长度实质上彼此相等。3.一种存储装置，其特征在于包括存储单元阵列，上述存储单元阵列包含多个正规存储单元，其依据电阻值的变化来存储信息；备用存储单元，其与上述多个正规存储单元一起配置为矩阵状，在上述存储单元阵列中配置于中央部，上述多个正规存储单元中存在缺陷存储单元时，代替上述缺陷存储单元使用；多条位线，其沿上述存储单元阵列的列方向配置，用于使数据读出电流向上述多个正规存储单元流动；备用位线，其沿上述列方向配置，用于使数据读出电流向上述备用存储单元流动；多条数据线，其传输向上述多条位线一部分流动的数据读出电流及向上述备用位线流动的数据读出电流；连接门电路，其将按照数据读出指令所选择的上述多条位线中的选择位线连接于上述多条数据线中的一条、同时将上述备用位线连接于上述多条数据线中的另外一条，还包括读出放大电路，其接受由上述多条数据线所传输的数据读出电流，读出上述多个正规存储单元和上述备用存储单元的数据。4.一种存储装置，其特征在于包括存储单元阵列，上述存储单元阵列包含多个存储单元，其依据电阻值的变化来存储信息；多条源线，其设置于从上述多个存储单元读出数据用的读出电流流动的线路上；伪单元，其与上述多个存储单元一起配置为矩阵状，配置在上述存储单元阵列的中央部，保持判识上述多个存储单元的数据用的参照值；伪源线，其设置于从上述伪单元读出上述参照值用的参照电流流动的线路上；多条数据线，其传输上述读出电流和上述参照电...

【专利技术属性】
技术研发人员：日高秀人，
申请(专利权)人：株式会社瑞萨科技，
类型：发明
国别省市：