【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种快速存储器单元内的修复熔丝电路，更详细地说，涉及一种使用快速存储器单元进行稳定的初始化工作的修复熔丝电路。
技术介绍
通常，虽然现有的典型快速存储器单元的修复电路使用交叉锁存结构，但是这种方法是一边施加电压一边自然地进行交叉锁存。即如图1A所示，现有的修复电路包括2个P型MOS晶体管MP1、MP2、2个快速单元FC1、FC2、N型MOS晶体管MN1和反相器INT1。参照图1A，P型MOS晶体管MP1和MP2的各源极共同连接在供给电压VCC上，P型MOS晶体管MP1的漏极与快速单元FC1的漏极连接，P型MOS晶体管MP2的漏极与快速单元FC2的漏极连接，并通过这些P型MOS晶体管MP1和MP2把电压分别加到2个快速单元FC1、FC2的各个漏极上。此时，在使用紫外线消去快速单元的情况下、即修复前的状态下，由于于快速单元FC1部分的单元是1个，快速单元FC2部分的单元是2个，所以，流过快速单元FC2的电流是流过快速单元FC1的电流的2倍。由于流过的电流多的快速单元FC2的漏极通过N型MOS晶体管MN1和地连接，所以具有0V电位，而流过的电流少的快...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种修复熔丝电路，包括在第一节点同第一电流提供单元连接的第一快速存储单元，以及在第二节点同第二电流提供单元连接且相互并联连接的至少两个以上的第二快速存储单元，所述第一和第二电流提供单元由连接在电源电压上的交叉耦合的锁存电路构成，其特征是，所述修复熔丝电路还包括遮断所述交叉耦...
【专利技术属性】
技术研发人员：金承德，
申请(专利权)人：海力士半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：
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