电荷注入方法技术

本发明专利技术提供了一种在相当高的临界电压（ＶＴ）改变值（ｄｅｌｔａ　　ＶＴ）下编程一内存阵列（６８）的双位存储单元（１０，８２，８４，８６，８８）的第一位（Ｃ０，Ｃ２，Ｃ４，Ｃ６）及第二位（Ｃ１，Ｃ３，Ｃ５，Ｃ７）的系统及方法。该相当高的ＶＴ保证：在相当长的一段时间中经过较高的温度应力及（或）客户操作之后，该内存阵列（６８）仍能一贯地保持所编程的资料并能擦除资料。在大致较高的ＶＴ改变值下，对存储单元（１０，８２，８４，８６，８８）的第一位（Ｃ０，Ｃ２，Ｃ４，Ｃ６）的编程会使对第二位（Ｃ１，Ｃ３，Ｃ５，Ｃ７）的编程因较短的信道（８）长度而变得较不易改变且较快速。因此，本发明专利技术在编程第一位（Ｃ０，Ｃ２，Ｃ４，Ｃ６）及第二位（Ｃ１，Ｃ３，Ｃ５，Ｃ７）期间，采用了经过选择的栅极及漏极电压、以及编程脉冲宽度，此种方式保证了受到控制的第一位ＶＴ，并减缓了对第二位（Ｃ１，Ｃ３，Ｃ５，Ｃ７）的编程。此外，该等经过选择的编程参数可在不使电荷耗损变差的情形下保持较短的编程时间。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术系大致有关内存系统，尤系有关一种在使用虚拟接地(virtualground)架构，且在具有双位存储晶体管单元的电子闪存装置中，用来编程及擦除数个位区段的系统及方法。
技术介绍
闪存是一种可被重新写入且可在没有供电的情形下保持其内容的电子内存媒体。闪存装置通常具有10万次至30万次写入周期的使用寿命。与可擦除单一字节的动态随机存取内存(Dynamic Random AccessMemory；简称DRAM)及静态机存取内存(Static Random AccessMemory；简称SRAM)的内存芯片不同，通常系以固定多个位的区块或区段为单位对闪存进行擦除及写入。闪存系由可在原位置进行擦除的电气可擦除可程序只读存储器(Electrically Erasable ProgrammableRead Only Memory；简称EEPROM)进展而来，闪存具有较低的成本及较高的组件密度。此种新的EEPROM类型已发展成一种结合了EPROM的高组件密度及EEPROM的可以电气擦除这两项优点的重要的非挥发性内存。传统的闪存系以一种将单一位的信息储存在每一存储单元的存储单元结构来建构。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用来编程在双位模式中工作的ＯＮＯ双位存储单元（１０，８２，８４，８６，８８）中的位的方法，该方法包含下列步骤：将编程脉冲施加到该双位存储单元（１０，８２，８４，８６，８８）的至少一个位，其方式为将电压施加到该至少一个位的漏极，且 同时将电压施加到该至少一个位的栅极；确认该至少一个位的ＶＴ改变值是在大约２．０伏至大约２．５伏的范围内；以及重复施加编程脉冲的步骤，直到该至少一个位的该ＶＴ改变值是在大约２．０伏至大约２．５伏的范围内。

【技术特征摘要】
US 2002-1-16 10/050,4831.一种用来编程在双位模式中工作的ONO双位存储单元(10，82，84，86，88)中的位的方法，该方法包含下列步骤将编程脉冲施加到该双位存储单元(10，82，84，86，88)的至少一个位，其方式为将电压施加到该至少一个位的漏极，且同时将电压施加到该至少一个位的栅极；确认该至少一个位的VT改变值是在大约2.0伏至大约2.5伏的范围内；以及重复施加编程脉冲的步骤，直到该至少一个位的该VT改变值是在大约2.0伏至大约2.5伏的范围内。2.如权利要求1所述的方法，其中施加编程脉冲的该步骤包含下列步骤将范围为大约5伏至大约5.5伏的一电压施加到该漏极，且同时将范围为大约9.25伏至大约9.5伏的一电压施加到该栅极。3.如权利要求1所述的方法，其中该ONO双位存储单元(10，82，84，86，88)系在双位模式中工作，其中该ONO双位存储单元(10，82，84，86，88)具有正常位及一互补位，其中该正常位及该互补位被编程。4.一种用来决定编程参数以便编程双位模式中工作的一个ONO双位存储单元阵列(68)的位的方法，该方法包含下列步骤对一批中的至少一个阵列执行一预定次数的编程及擦除周期，然后执行加速烘烤；在该等编程及擦除周期及加速烘烤之后，决定该至少一个阵列的至少一个位的一电荷耗损；决定VT改变值的一增加，以便调和该批中的若干额外阵列的至少一个阵列的至少一个位的电荷耗损；以及决定若干编程参数，以便可在可接受的时间范围内在该增加的VT改变值下编程该等存储单元，该等编程参数包含一编程脉冲宽度、在该位的一栅极上的该编程脉冲的一电位、以及在该位的漏极上的该编程脉冲的一电位。5.如权利要求4所述的方法，其中该编程脉冲宽度在大...

【专利技术属性】
技术研发人员：D汉密尔顿，T瑟格特，JSY王，MK韩，N德拉科比安，
申请(专利权)人：斯班逊有限公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]