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本发明提供了一种在相当高的临界电压（ＶＴ）改变值（ｄｅｌｔａ　　ＶＴ）下编程一内存阵列（６８）的双位存储单元（１０，８２，８４，８６，８８）的第一位（Ｃ０，Ｃ２，Ｃ４，Ｃ６）及第二位（Ｃ１，Ｃ３，Ｃ５，Ｃ７）的系统及方法。该相当高的ＶＴ保证...
该专利属于斯班逊有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过斯班逊有限公司授权不得商用。

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