一种存储设备的操作方法技术

本发明专利技术公开了一种在存储阵列中存储单元字节的操作方法及系统，该方法包括将第一操作脉冲应用到第一单元的终端，第一操作脉冲会把第一单元置于预先确定的状态；然后将第二操作脉冲应用到组中第二单元的终端，第二操作脉冲会把第二单元置于预先确定的状态，第二操作脉冲的脉冲特性是第一单元对第一操作脉冲的响应函数。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种非易失存储器(NVM)阵列的存储单元的操作方法，如编程和擦除，尤其涉及上述阵列的脉冲操作的简化方法。
技术介绍
存储单元用于多种类型的电子设备和集成电路中，例如可擦可编程只读存储器(EPROMs)，电可擦可编程只读存储器(EEPROMs)和快闪EEPROM，但不限于此。在集成电路中存储单元被用来存储数据和其它信息。非易失存储器(NVM)单元通常包括具有可编程阈电压的电子晶体管。例如，浮栅电子晶体管或分栅电子晶体管有一个阈电压(Vt)，通过对位于电子晶体管控制栅和沟道之间的浮栅进行充电和放电，以编程或擦除上述阈电压。通过对存储单元浮栅的充电和放电使阈电压和数据相对应，该数据就被写入该存储单元。单元的编程动作包括向浮栅传送电子，增加阈电压Vt。单元的擦除动作包括从浮栅移除电子，降低阈电压Vt。在美国专利6,011,725中，描述了一种非易失单元，即一种氮化物只读存储器(NROM)单元，该专利内容在此作为参考。美国专利6,011,725还描述了氮化物只读存储器单元的编程和擦除。不像浮栅单元，氮化物只读存储器NROM单元有两个分离的且可单独充电的区域。每个可充电区域定义本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种在存储阵列中存储单元字节的操作方法，其特征在于，该方法包括：将操作脉冲应用到存储单元样品的类型－Ⅰ字节和／或类型－Ⅱ字节，类型－Ⅰ字节被定义为某个双字节单元中的一个字节，此双字节单元中其它字节被擦除；类型－Ⅱ字节被定义为某个双字 节单元中的一个字节，此双字节单元中其它字节被编程；确定所述类型－Ⅰ字节和／或类型－Ⅱ字节的电子、物理和机械性质中至少一种性质对所述操作脉冲的响应；将至少一个作为所述响应的函数的操作脉冲施加到所述阵列的至少某些其它类型－Ⅰ字节 ；将至少另一个作为所述响应的函数的操作脉冲施加到所述阵列的至少某些其它类型－Ⅱ字节。

【技术特征摘要】
US 2005-1-6 11/029,3801.一种在存储阵列中存储单元字节的操作方法，其特征在于，该方法包括将操作脉冲应用到存储单元样品的类型-I字节和/或类型-II字节，类型-I字节被定义为某个双字节单元中的一个字节，此双字节单元中其它字节被擦除；类型-II字节被定义为某个双字节单元中的一个字节，此双字节单元中其它字节被编程；确定所述类型-I字节和/或类型-II字节的电子、物理和机械性质中至少一种性质对所述操作脉冲的响应；将至少一个作为所述响应的函数的操作脉冲施加到所述阵列的至少某些其它类型-I字节；将至少另一个作为所述响应的函数的操作脉冲施加到所述阵列的至少某些其它类型-II字节。2.如权利要求1所述的在存储阵列中存储单元字节的操作方法，其特征在于，应用于类型-II字节的所述至少另一个操作脉冲与应用于其它类型-I字节的至少一个操作脉冲相比，其数量和/或持续时间更多。3.如权利要求1所述的在存储阵列中存储单元字节的操作方法，其特征在于，应用于类型-II字节的所述至少另一个操作脉冲与应用于其它类型-I字节的至少一个操作脉冲相比，其数量和/或持续时间更少。4.如权利要求1所述的在存储阵列中存储单元字节的操作方法，其特征在于，所述的阵列包括具有第一侧面和第二侧面字节的存储单元，其中，将至少一个作为所述响应的函数的操作脉冲施加到所述阵列的至少某些其它类型-I字节这一步骤，被应用到该阵列的双字节的第一侧面；所述的将至少另一个操作脉冲施加到类型-II字节这一步骤，被应用到该阵列的双字节的第二侧面。5.如权利要求4所述的在存储阵列中存储单元字节的操作方法，其特征在于，所述的至少另一个操作脉冲被应用到需要操作的属于类型-I字节的所有第二侧面字节，需要操作的属于类型-II字节的所有第二侧面字节被操作，与应用到第一...

【专利技术属性】
技术研发人员：爱德华多马彦，博阿兹艾坦，
申请(专利权)人：赛芬半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：IL[以色列]