NROM单元中的阈值电压偏移制造技术

一种ＮＲＯＭ（氮化物只读存储器）单元，通过沟道热电子注入对其进行编程，通过热空穴注入对其进行擦除，该单元包括由底部氧化物层、电荷俘获层、以及顶部氧化物层形成的电荷俘获结构。所述底部氧化物层不厚于提供容限稳定性的底部氧化物层。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术主要涉及NROM单元，尤其涉及其中的阈值电压偏移。
技术介绍
在现有技术中已知非易失性电荷俘获层器件，如氮化物只读存储器(NROM)。图1示出典型的NROM单元10，现在参考图1。NROM单元在衬底105中在两条位线102和104之间具有沟道100，并且在栅极112下具有氧化物-氮化物-氧化物(ONO)夹层结构。氧化物-氮化物-氧化物夹层结构具有通常厚度为10-17nm的顶部氧化物层111、通常厚度为4-8nm的中间氮化物层110、以及通常厚度为4-8nm的底部氧化物层109。NROM单元可以包含位于中间氮化物层110内的定义1位的可充电区域106。双位NROM单元可以包含两个位于中间氮化物层110内的分开的且可独立充电的区域106和108。位106和108是可以单独访问的，因此，通常可以分别对它们进行编程(通常表示为‘0’)、擦除(通常表示为‘1’)或读取。通常，利用在漏极上，即在位线102或104上，以及在栅极112上的电压脉冲执行NROM单元的编程和擦除。在每个脉冲后，执行检测单元状态的校验操作。持续进行编程和校验操作，直到单元在读操作期间不通过任何有效电流为止。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种氮化物只读存储器单元，通过沟道热电子注入对其进行编程并且通过热空穴注入对其进行擦除，该单元包括：电荷俘获结构，由以下部分组成：底部氧化物层；电荷俘获层；以及顶部氧化物层；其中所述底部氧化物层不厚于提供容限稳定性的底部氧化物层。

【技术特征摘要】
US 2005-4-11 11/103,3671.一种氮化物只读存储器单元，通过沟道热电子注入对其进行编程并且通过热空穴注入对其进行擦除，该单元包括电荷俘获结构，由以下部分组成底部氧化物层；电荷俘获层；以及顶部氧化物层；其中所述底部氧化物层不厚于提供容限稳定性的底部氧化物层。2.如权利要求1所述的单元，并且其中所述容限稳定性包括在正栅极应力测试和烘干处理中的至少一个过程中、所述单元的擦除和编程阈值电压的最小偏移。3.如权利要求1所述的单元，并且其中所述容限稳定性包括擦除阈值电压Vte偏移与编程阈值电压Vtp偏移的对准。4.如权利要求1所述的单元，并且在栅极应力测试或烘干处理的全过程中具有变化的操作窗口，并且还具有保持在所述变化的操作窗口内的移动读取电平。5.如权利要求1所述的单元，并且在栅极应力测试或烘干处理的全过程中具有多次变化的操作窗口...

【专利技术属性】
技术研发人员：埃利卢斯基，
申请(专利权)人：赛芬半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：IL[以色列]