温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

一种ＮＲＯＭ（氮化物只读存储器）单元，通过沟道热电子注入对其进行编程，通过热空穴注入对其进行擦除，该单元包括由底部氧化物层、电荷俘获层、以及顶部氧化物层形成的电荷俘获结构。所述底部氧化物层不厚于提供容限稳定性的底部氧化物层。...
该专利属于赛芬半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过赛芬半导体有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。