【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种用于存储元件的编程技术，且更具体而言涉及对非易失性半导体存储器件的编程。
技术介绍
非易失性半导体存储器对于诸多应用而言非常流行，这些应用包括蜂窝电话、数码相机、个人数字助理、移动计算器件、非移动计算器件及其他器件。电可擦可编程只读存储器(EEPROM)及快闪存储器就是最流行的非易失性半导体存储器类型。EEPROM及快闪存储器二者均利用存储元件阵列来每一元件存储一位或多位数据。每一元件通常包括一位于一沟道区上方并与所述沟道区绝缘的浮动栅极及一半导体衬底。所述浮动栅极位于源极区与漏极区之间。一控制栅极可设置于所述浮动栅极上方并与所述浮动栅极绝缘。每一存储晶体管的阈电压均受浮动栅极上所保持的电荷量控制。换句话说，浮动栅极上的电荷电平会控制在晶体管导通以允许其源极与漏极之间导通之前必须施加至控制栅极的最小电压值。许多EEPROM及快闪存储器具有一用于存储两个电荷范围的浮动栅极，因此可在两种状态之间编程/擦除所述存储单元。此种存储单元存储一位数据。其他EEPROM及快闪存储单元则存储多个电荷范围，因此，可将这些存储单元编程为存储多种状态。此种存储单元...
【技术保护点】
一种用于对一存储元件进行编程的方法，所述元件包括至少一位于一衬底上的第一栅极、一位于所述衬底中的有源区、及一邻近所述第一栅极的第二栅极，其包括：通过对所述第一栅极施以偏压而在所述第一栅极下面在所述衬底中形成一反相区；及形成一 邻近所述第二栅极的临界电场，所述临界电场足以在一与所述反相区的接面处形成电子－空穴对。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】US 2003-11-7 10/703,7171.一种用于对一存储元件进行编程的方法，所述元件包括至少一位于一衬底上的第一栅极、一位于所述衬底中的有源区、及一邻近所述第一栅极的第二栅极，其包括通过对所述第一栅极施以偏压而在所述第一栅极下面在所述衬底中形成一反相区；及形成一邻近所述第二栅极的临界电场，所述临界电场足以在一与所述反相区的接面处形成电子-空穴对。2.如权利要求1所述的方法，其中所述形成一临界电场的步骤包括对所述有源区施加一第一正偏压；及对所述第二栅极施加一小于所述第一正偏压的偏压。3.如权利要求2所述的方法，其中所述施加一小于所述第一正偏压的偏压的步骤包括施加一等于或小于0伏特的偏压。4.如权利要求2所述的方法，其中所述施加一小于所述第一正偏压的偏压的步骤包括施加一介于0伏特至-3伏特范围内的偏压。5.如权利要求2所述的方法，其中所述施加一第一正偏压的步骤包括施加一大于3伏特的偏压。6.如权利要求2所述的方法，其中所述形成一反相区的步骤包括对所述第一栅极施加一大于所述第一正电压的第二正电压。7.如权利要求6所述的方法，其中所述第二正电压大于8伏特。8.如权利要求1所述的方法，其中所述衬底为一p型衬底且所述有源区为一n型杂质区。9.如权利要求8所述的方法，其中所述p型衬底具有一介于一约1016-1018个原子/cm3范围内的杂质浓度。10.如权利要求1所述的方法，其中所述衬底为一n型衬底且所述有源区为一p型杂质区。11.如权利要求10所述的方法，其中所述有源区具有一约1017-1020个原子/cm3的掺杂浓度。12.如权利要求1所述的方法，其中所述第一栅极在所述衬底上位于一第一栅极绝缘体上且所述第二栅极在所述衬底上位于一第二栅极绝缘体上。13.如权利要求12所述的方法，其中所述第一栅极绝缘体具有一介于约60-100范围内的厚度。14.如权利要求13所述的方法，其中所述第二栅极绝缘体具有一介于约20-200范围内的厚度。15.如权利要求1所述的方法，其中所述存储元件进一步包括一控制栅极，所述控制栅极至少部分地位于所述第一栅极上方并通过一第三绝缘体层与所述第一栅极隔开。16.如权利要求15所述的方法，其中所述形成一反相层的步骤包括对所述控制栅极施加偏压。17.如权利要求1所述的方法，其中所述存储元件进一步包括一电荷存储电介质，且所述方法包括在所述电荷存储电介质的至少一部分下面形成所述临界电场。18.一种用于对一存储元件进行编程的方法，其包括提供一存储元件，所述存储元件包括至少一位于一衬底上的浮动栅极、一位于所述衬底中的有源区、及一邻近所述浮动栅极的选择栅极；对所述浮动栅极施以偏压以在所述浮动栅极下面形成一反相区；及对所述有源区施加一第一偏压并对所述选择栅极施加一第二偏压，以在所述衬底中在所述浮动栅极下面相对于所述有源区形成一临界电场。19.如权利要求18所述的方法，其中所述提供步骤包括提供一多状态存储元件。20.如权利要求18所述的方法，其中所述提供步骤包括提供一EEPROM存储元件。21.如权利要求18所述的方法，其中所述提供步骤包括提供一FLASH EEPROM存储元件。22.如权利要求21所述的方法，其中所述EEPROM存储元件为一NAND元件。23.如权利要求21所述的方法，其中所述存储元件为一NOR存储元件。24.如权利要求18所述的方法，其中所述施加及施加偏压的步骤完成对数字信息的存储。25.如权利要求18所述的方法，其中所述施加及施加偏压的步骤完成对模拟信息的存储。26.如权利要求18所述的方法，其中所述对所述浮动栅极施加偏压的步骤包括施加一大于8伏特的偏压。27.如权利要求18所述的方法，其中所述第二偏压等于或小于0伏特。28.如权利要求18所述的方法，其中所述第一偏压大于3伏特。29.一种存储元件，其包括一具有一位于一基本具有一第二杂质类型的衬底中的第一杂质类型的有源区；一位于所述衬底上的浮动栅极；一在所述衬底上邻近所述浮动栅极定位的选择栅极；一施加至所述有源区的大于零伏特的第一偏压、一施加至所述浮动栅极的大于所述第一偏压的第二偏压、及一施加至所述选择栅极的小于或等于零的第三偏压，所述第一及第三偏压选择成在所述衬底中在所述浮动栅极与所述选择栅极之间形成泄漏电流。30.如权利要求29所述的元件，其中所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：杰弗里W卢策，庞产绥，
申请(专利权)人：桑迪士克股份有限公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]
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