检测低压铁电随机存取存储器的低压检测器制造技术

一种低压检测器及检测非易失性存储器芯片低压的方法，低压时存储器单元不工作，并且根据电源电压的变化，通过使ＦｅＲＡＭ单元的开始和停止的操作点与芯片启动信号同步，可以明确识别激励电压区和去激励电压区，使芯片在阈值电压范围内安全操作。按照这种方法，因为即使在电源电压的阈值电压值区，如电源电压的开／关状态时，芯片也能够安全运行，因此芯片即使在电源电压处于开／关状态下，仍然可以受到保护，而且这种芯片电路设计区域不需要附加电路就能实现高效。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术总的说涉及一种FeRAM器件，特别涉及一种低压检测器和低压检测方法用于检测非易失性铁电随机存取存储器(下文中称作FeRAM)芯片，这种存储器芯片可以在阈值电压范围内通过使FeRAM单元的开始和停止的操作与芯片激励信号同步，以保证存储单元的安全操作。
技术介绍
一般说来，FeRAM与动态随机存取存储器(DRAM)具有相同的数据处理速度和即使断电时保存数据的功能。因为该特点，FeRAM被称作下一代存储器件。FeRAM与DRAM具有相似的结构，并且将铁电材料用作电容元件。FeRAM利用了铁电材料具有很高的剩余极化强度的特点。正是由于这种高的剩余极化强度，所以即使电场消失数据也不会被抹除。图1示出了一种普通的铁电材料的磁滞回线。如图1所示，即使电场消失，由于剩余极化(或自然极化)的存在，由电场引起的极化强度维持某一量值(即“d”和“a”的状态)。令“d”和“a”的状态分别对应于1和0，FeRAM单元可以用作一种存储器件。图2示出一种常见的FeRAM器件单元。如图2所示，这种传统的FeRAM器件单元(unit cell)包括一个在一方向形成的位线B/L，一个与位线B/L交叉形成的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于非易失性ＦｅＲＡＭ芯片的低压检测器，包括：一个系统控制器，用于输出芯片启动信号，以从／向存储器中读出／写入记录数据；一个缓冲器，用于将芯片启动信号反相并输出一个芯片激励信号；和一个存储器驱动器件，用于当电源电压为常电压时，通过使芯片内部控制信号与芯片激励信号同步，接收芯片激励信号并产生芯片内部控制信号来对存储器进行操作。

【技术特征摘要】
KR 2002-8-30 51934/021.一种用于非易失性FeRAM芯片的低压检测器，包括一个系统控制器，用于输出芯片启动信号，以从/向存储器中读出/写入记录数据；一个缓冲器，用于将芯片启动信号反相并输出一个芯片激励信号；和一个存储器驱动器件，用于当电源电压为常电压时，通过使芯片内部控制信号与芯片激励信号同步，接收芯片激励信号并产生芯片内部控制信号来对存储器进行操作2.根据权利要求1中的低压检测器，其中存储器驱动器件包括一个复位单元，用于当电源电压从低压升到正常电压时，输出保持在低电平的复位信号，直到电源电压到达预定电平，当电源电压在正常电压或从正常电压降到预定电平时，该复位信号保持在高电平；和一个低压检测同步电路，用于通过对复位信号和电源电压的变化进行检测，使非易失性存储器单元的开始和停止的操作与芯片激励信号同步。3.根据权利要求2中的低压检测器，其中该复位单元包括一个锁存单元，用于在预定时间内保持施加的电压的电平；一个电源检测单元，用于通过锁存单元的输出电压检测电源电压的变化值，以调整电压的电平；一个拉升单元，用于将锁存单元的输出电压拉升到高电平，并将电源检测单元调整的电压反相以输出该反相信号。4.根据权利要求2中的低压检测器，其中该低压检测同步电路，依据复位信号和电源电压的变化，当电源电压在低压时禁用存储器单元，并当电源电压在正常电压时与芯片激励信号同步启动存储器单元。5.根据权利要求2的低压检测器，其中低压检测同步电路在电源电压到达使存储器单元工作的阈值电压之...

【专利技术属性】
技术研发人员：姜熙福，
申请(专利权)人：海力士半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]