将多级单元快闪存储设备编程的方法和装置制造方法及图纸

一种将多级快闪存储设备中的所选单元编程的方法，包括：确定是将所选存储单元的高位还是低位编程；检测存储在所选存储单元中的两个数据位的当前逻辑状态；确定高位或低位的目标逻辑状态；产生用于将高位或低位编程为目标逻辑状态的编程电压和验证电压；以及将所述编程电压和验证电压施加到与所选存储单元相连接的字线。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术的实施例一般地涉及一种半导体存储设备。更具体地说，本专利技术的实施例涉及一种用于将具有多级单元的快闪存储设备编程的方法和装置。对2005年7月29日提交的韩国专利申请第2005-69566号要求优先权，其主题通过引用而被整体合并于此。
技术介绍
快闪存储设备是能够被电编程和擦除的非易失性存储设备。近年来，随着在诸如便携式电子设备和代码存储器的应用领域中对于大容量和高速非易失性存储器的需求持续增长，快闪存储设备已经变得日益普及。快闪存储器可以被大致地分类为NAND型快闪存储器和NOR型快闪存储器。NOR型快闪存储器具有其中多个存储单元并联连接到位线的结构，而NAND型快闪存储器具有其中多个存储单元串联连接到位线的结构。因为NOR型快闪存储器中的存储单元并联连接到位线，所以NOR型快闪存储器允许对所存储的数据的随机访问。相比之下，NAND型快闪存储器只允许对数据的顺序访问。作为其不同单元布置的结果，NOR型快闪存储器往往提供比NAND型快闪存储器更快的读取时间，因此，NOR型快闪存储器常常用于诸如程序代码存储的需要高读取速度的应用中。另一方面，NAND型快闪存储器往往具有比本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种将包括多级存储单元的快闪存储设备编程的方法，该方法包括：确定是将所选存储单元的高位还是低位编程；检测存储在所选存储单元中的两个数据位的当前逻辑状态；确定高位或低位的目标逻辑状态；产生用于将高位或低位编程为目标逻辑状态的编程电压和验证电压；以及将所述编程电压和验证电压施加到与所选存储单元相连接的字线。

【技术特征摘要】
KR 2005-7-29 69566/051.一种将包括多级存储单元的快闪存储设备编程的方法，该方法包括确定是将所选存储单元的高位还是低位编程；检测存储在所选存储单元中的两个数据位的当前逻辑状态；确定高位或低位的目标逻辑状态；产生用于将高位或低位编程为目标逻辑状态的编程电压和验证电压；以及将所述编程电压和验证电压施加到与所选存储单元相连接的字线。2.如权利要求1所述的方法，还包括连续地将各个高位和低位编程。3.如权利要求1所述的方法，其中，所述快闪存储设备是NOR型快闪存储设备。4.如权利要求1所述的方法，其中，所选择的存储单元具有可变阈值电压，该可变阈值电压具有分配给对应逻辑状态的电平，使得无论何时将高位或低位中的任一个编程，所述阈值电压都增大。5.如权利要求1所述的方法，其中，确定是将高位还是低位编程包括将编程地址解码。6.如权利要求5所述的方法，还包括基于编程地址是偶数还是奇数来将高位或低位编程。7.一种将NOR快闪存储设备编程的方法，所述NOR快闪存储设备包括能够存储逻辑状态‘11’、‘10’、‘01’和‘00’的所选存储单元，其中所述逻辑状态‘11’、‘10’、‘01’和‘00’对应于所选存储单元的阈值电压的递增的电平，所述方法包括确定是将所选存储单元的高位还是低位编程；检测高位和低位的当前逻辑状态；以及如果所述当前逻辑状态是‘10’并且要将高位编程，则将所选存储单元从逻辑状态‘10’编程为逻辑状态‘00’，而如果当前逻辑状态是‘01’并且要将低位编程，则将所选存储单元从逻辑状态‘01’编程为逻辑状态‘00’。8.如权利要求7所述的方法，还包括连续地将各个高位和低位编程。9.如权利要求7所述的方法，还包括产生用于将所选存储单元从当前逻辑状态编程为目标逻...

【专利技术属性】
技术研发人员：孔载弼，郑宰镛，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]