防止浅层离子注入工艺过程中离子析出的方法技术

本发明专利技术提供了一种防止浅层离子注入工艺过程中离子析出的方法，包括：第一步骤：在晶圆上涂覆第一光刻胶图案，并且利用第一光刻胶图案对晶圆执行第一掺杂类型的离子注入，从而在晶圆中形成第一掺杂类型的阱；第二步骤：通过热制程去除第一光刻胶图案，其中在晶圆表面由于热制程而形成氧化层；第三步骤：去除表面氧化层；第四步骤：在晶圆上涂覆第二光刻胶图案，并且利用第二光刻胶图案对晶圆执行第二掺杂类型的离子注入，从而在晶圆中形成第二掺杂类型的阱。

Method for preventing ion precipitation in shallow ion implantation process

The present invention provides a method for preventing the ion precipitation process of shallow ion implantation includes: a first step: coated silicon wafer in a first photoresist pattern, and using the first photoresist pattern on the wafer to perform the first doping type ion implantation, thereby forming a first doping type wells in wafer in second steps: removal; the first photoresist pattern by thermal process, the surface of the wafer due to the thermal process and the formation of oxide layer; third steps: removal of the surface oxide layer on the wafer; fourth steps: coating the second photoresist pattern, and implanted with a second photoresist pattern on the wafer second ion doping type, thereby forming a second doping type the trap in a wafer.

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体制造领域，具体涉及源漏极离子注入工艺；更具体地说，本专利技术涉及一种防止浅层离子注入工艺过程中离子析出的方法。
技术介绍
离子析出缺陷原理：离子注入过程中晶圆表面若有较厚的氧化层，那么离子的注入与正常比较会较浅，再经过热制程之后，最靠近表面的少量离子会钻出，将表面层顶起，从而导致表面鼓起，形成鼓包缺陷(如图1的显微图所示)，即形成表面氧化层鼓起。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是针对现有技术中存在上述缺陷，提供一种防止浅层离子注入工艺过程中离子析出的方法，由此能够提高浅层离子注入效率，减少离子析出，提升产品良率。为了实现上述技术目的，根据本专利技术，提供了一种防止浅层离子注入工艺过程中离子析出的方法，包括：第一步骤：在晶圆上涂覆第一光刻胶图案，并且利用第一光刻胶图案对晶圆执行第一掺杂类型的离子注入，从而在晶圆中形成第一掺杂类型的阱；第二步骤：通过热制程去除第一光刻胶图案，其中在晶圆表面由于热制程而形成氧化层；第三步骤：去除表面氧化层；第四步骤：在晶圆上涂覆第二光刻胶图案，并且利用第二光刻胶图案对晶圆执行第二掺杂类型的离子注入，从而在晶圆中形成第二掺杂类型的阱。优选地，第一掺杂类型的离子注入为P型离子注入。优选地，第一掺杂类型的阱为P型离子阱区。优选地，第二掺杂类型的离子注入为N型离子注入。优选地，第二掺杂类型的阱为N型离子阱区。优选地，在第三步骤通过湿洗制程去除表面氧化层。优选地，在第三步骤，湿洗制程采用氢氟酸和去离子水的混合溶液。优选地，湿洗制程的时长为10分钟。优选地，湿洗制程去除100A的表面氧化层。优选地，晶圆上形成有栅极，而且晶圆中形成有源区和漏区。本专利技术提供一种有效的方法，解决了在浅层离子注入过程中由于表面氧化层增厚而导致的离子析出的问题。由此，本专利技术能够提高浅层离子注入效率，减少离子析出，提升产品良率。附图说明结合附图，并通过参考下面的详细描述，将会更容易地对本专利技术有更完整的理解并且更容易地理解其伴随的优点和特征，其中：图1示意性地示出了鼓包缺陷的显微图。图2至图5示意性地示出了根据本专利技术优选实施例的防止浅层离子注入工艺过程中离子析出的方法的各个步骤。需要说明的是，附图用于说明本专利技术，而非限制本专利技术。注意，表示结构的附图可能并非按比例绘制。并且，附图中，相同或者类似的元件标有相同或者类似的标号。具体实施方式为了使本专利技术的内容更加清楚和易懂，下面结合具体实施例和附图对本专利技术的内容进行详细描述。本专利技术在传统去胶制程后加了一道酸洗，去除厚度例如约100A的氧化层，可以有效的避免浅层离子注入时的离子析出问题。下面将具体描述本专利技术的优选实施例。图2至图5示意性地示出了根据本专利技术优选实施例的防止浅层离子注入工艺过程中离子析出的方法的各个步骤。如图2至图5所示，根据本专利技术优选实施例的防止浅层离子注入工艺过程中离子析出的方法包括：第一步骤：在晶圆上涂覆第一光刻胶图案100，并且利用第一光刻胶图案100对晶圆执行第一掺杂类型的离子注入，从而在晶圆中形成第一掺杂类型的阱200，如图2所示；具体地，例如，第一掺杂类型的离子注入为P型离子注入；第一掺杂类型的阱为P型离子阱区。具体地，例如，晶圆上形成有栅极10，而且晶圆中形成有源区20和漏区30。第二步骤：通过热制程去除第一光刻胶图案100，其中在晶圆表面由于热制程而形成氧化层200，如图3所示；第三步骤：去除表面氧化层300，如图4所示；优选地，在第三步骤通过湿洗制程去除表面氧化层300。进一步优选地，在第三步骤，湿洗制程采用氢氟酸和去离子水的混合溶液(例如，氢氟酸和去离子水的质量比为1:50的配比)，优选地湿洗制程的时长为10分钟。例如，湿洗制程去除大约100A的表面氧化层。第四步骤：在晶圆上涂覆第二光刻胶图案400，并且利用第二光刻胶图案400对晶圆执行第二掺杂类型的离子注入，从而在晶圆中形成第二掺杂类型的阱500，如图5所示。具体地，例如，第二掺杂类型的离子注入为N型离子注入；第二掺杂类型的阱为N型离子阱区。可以看出，在根据本专利技术优选实施例的防止浅层离子注入工艺过程中离子析出的方法中，在源漏极离子注入去胶后加入了酸洗工艺，除去了表面的氧化层，从而防止后续浅层离子注入工艺中的离子析出。由此，本专利技术能够提高浅层离子注入效率，减少离子析出，提升产品良率。此外，需要说明的是，除非特别说明或者指出，否则说明书中的术语“第一”、“第二”、“第三”等描述仅仅用于区分说明书中的各个组件、元素、步骤等，而不是用于表示各个组件、元素、步骤之间的逻辑关系或者顺序关系等。可以理解的是，虽然本专利技术已以较佳实施例披露如上，然而上述实施例并非用以限定本专利技术。对于任何熟悉本领域的技术人员而言，在不脱离本专利技术技术方案范围情况下，都可利用上述揭示的
技术实现思路
对本专利技术技术方案作出许多可能的变动和修饰，或修改为等同变化的等效实施例。因此，凡是未脱离本专利技术技术方案的内容，依据本专利技术的技术实质对以上实施例所做的任何简单修改、等同变化及修饰，均仍属于本专利技术技术方案保护的范围内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种防止浅层离子注入工艺过程中离子析出的方法，其特征在于包括：第一步骤：在晶圆上涂覆第一光刻胶图案，并且利用第一光刻胶图案对晶圆执行第一掺杂类型的离子注入，从而在晶圆中形成第一掺杂类型的阱；第二步骤：通过热制程去除第一光刻胶图案，其中在晶圆表面由于热制程而形成氧化层；第三步骤：去除表面氧化层；第四步骤：在晶圆上涂覆第二光刻胶图案，并且利用第二光刻胶图案对晶圆执行第二掺杂类型的离子注入，从而在晶圆中形成第二掺杂类型的阱。

【技术特征摘要】
1.一种防止浅层离子注入工艺过程中离子析出的方法，其特征在于包括：第一步骤：在晶圆上涂覆第一光刻胶图案，并且利用第一光刻胶图案对晶圆执行第一掺杂类型的离子注入，从而在晶圆中形成第一掺杂类型的阱；第二步骤：通过热制程去除第一光刻胶图案，其中在晶圆表面由于热制程而形成氧化层；第三步骤：去除表面氧化层；第四步骤：在晶圆上涂覆第二光刻胶图案，并且利用第二光刻胶图案对晶圆执行第二掺杂类型的离子注入，从而在晶圆中形成第二掺杂类型的阱。2.根据权利要求1所述的防止浅层离子注入工艺过程中离子析出的方法，其特征在于，第一掺杂类型的离子注入为P型离子注入。3.根据权利要求1或2所述的防止浅层离子注入工艺过程中离子析出的方法，其特征在于，第一掺杂类型的阱为P型离子阱区。4.根据权利要求1或2所述的防止浅层离子注入工艺过程中离子析出的方法，其特征在于，第二...

【专利技术属性】
技术研发人员：周健刚，倪棋梁，龙吟，顾晓芳，
申请(专利权)人：上海华力微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31