消除CMOS图像传感器浅沟槽隔离诱导暗电流的方法技术

本发明专利技术提供了一种消除CMOS图像传感器浅沟槽隔离诱导暗电流的方法，包括：第一步骤：采用掩膜板定义逻辑区与像素区的STI沟槽的位置；第二步骤：根据定义的STI沟槽的位置，蚀刻出STI沟槽；第三步骤：对STI沟槽进行沉积填充；第四步骤：采用掩膜板定义需要进行隔离区注入的部分像素区，并且针对定义的需要进行隔离区注入的部分像素区，执行离子注入。

【技术实现步骤摘要】
201610212543

【技术保护点】
一种消除CMOS图像传感器浅沟槽隔离诱导暗电流的方法，其特征在于包括：第一步骤：采用掩膜板定义逻辑区与像素区的STI沟槽的位置；第二步骤：根据定义的STI沟槽的位置，蚀刻出STI沟槽；第三步骤：对STI沟槽进行沉积填充；第四步骤：采用掩膜板定义需要进行隔离区注入的部分像素区，并且针对定义的需要进行隔离区注入的部分像素区，执行离子注入。

【技术特征摘要】
1.一种消除CMOS图像传感器浅沟槽隔离诱导暗电流的方法，其特征在于包括：第一步骤：采用掩膜板定义逻辑区与像素区的STI沟槽的位置；第二步骤：根据定义的STI沟槽的位置，蚀刻出STI沟槽；第三步骤：对STI沟槽进行沉积填充；第四步骤：采用掩膜板定义需要进行隔离区注入的部分像素区，并且针对定义的需要进行隔离区注入的部分像素区，执行离子注入。2.根据权利要求1所述的消除CMOS图像传感器浅沟槽隔离诱导暗电流的方法，其特征在于，在第三步骤中，采用高密度等离子体化学气相工艺对STI沟槽进行沉积填充。3.根据权利要求1或2所述的消除CMOS图像传感器浅沟槽隔离诱导暗电流的方法，其特征在于，像素区的有源器件由N型器件或光电二极管构成。4.根据权利要求3所述的...

【专利技术属性】
技术研发人员：白英英，李娟娟，田志，陈昊瑜，
申请(专利权)人：上海华力微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31