【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及红外探测器的检测技术，具体是指一种检测碲镉汞红外探测器 深能级缺陷的方法。
技术介绍
碲镉荥(HgCdTe)红外探测器在军事及航天领域有着重要的应用价值，对 器件性能要求也很高。而红外探测器中的pn结由于深能级缺陷的存在，使器件 的少子寿命、电学噪声等性质受到影响，从而也影响到器件性能，限制了它的 应用。因此检测碲镉汞光伏探测器中的深能级缺陷就变得尤为重要。目前研究碲镉汞器件中深能级杂质和缺陷的方法大多是电学方法，这种电 学方法是把碲镉汞光伏器件所有的暗电流途径都含在其中的，即有扩散电流、 产生复合电流、直接隧穿电流、陷阱辅助隧穿电流，难以把由深能级陷阱引起 的辅助隧穿暗电流独立地表征出来，这种表征深能级缺陷的方法不可避免地存 在误差。另外也有一些方法直接确定深能级的能级位置和浓度，但所确定的深 能级不一定都对器件暗电流有贡献，这样得出来的深能级缺陷不能准确反映出 对器件性能的影响。而且一般的光学方法只能测出较大范围的深能级状态，难 以定位到只有几微米的pn结区进行测量，很难测定pn结区这样区域性的小尺 度范围的深能级状态。
技术实现思路
由于现有...
【技术保护点】
一种碲镉汞红外探测器深能级缺陷的检测方法，它利用微米尺度激光光斑激发光伏器件ｐｎ区光生载流子，形成对ｐｎ结区深能级的激活，并通过激活的深能级对暗电流增强的效应获取深能级特性，其特征在于：该检测方法的具体步骤如下： Ａ． 从样品ｐ区两端引出激光束诱导电流（ＬＢＩＣ）的测试电极，将样品放入杜瓦，通过液氮和控温仪调节使样品处于较低温度下； Ｂ．通过二维微移动平台（６）调节杜瓦（５）位置，在高倍物镜（４）和ＣＣＤ相机（３）观察下，将激光聚焦到杜瓦中的ｐｎ结样品所在处，使扫描线沿样品中心线； Ｃ．将激光功率逐渐调大打在样品上，结合相敏检测技术（锁相放大器＋机械斩波器），记录激光沿样品...
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：陆卫，殷菲，张波，甄红楼，李天信，陈平平，李志锋，李宁，陈效双，
申请(专利权)人：中国科学院上海技术物理研究所，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]
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