【技术实现步骤摘要】
本专利技术属有机半导体材料载流子迁移率测试
，具体涉及一种利用全 内反射方法产生的消失波作激发源测量有机半导体材料载流子迁移率的方法。
技术介绍
有机半导体材料由于其分子结构容易调控、制备工艺简单、可实现大面积柔 性器件等优点而广泛应用于发光二极管、太阳能电池和场效应晶体管等光电器 件。载流子迁移率(通常用.表示)是有机半导体材料的一个重要基本参数，且 与有机半导体光电器件的性能密切相关。载流子迁移率定义为自由载流子(电子或空穴)的平均漂移速度V与外加电场强度E的比值，即^=二，它反映载流五子在有机半导体材料中的迁移能力，即载流子迁移率是载流子在电场作用下运动 速度快慢的量度，载流子运动得越快，其迁移率越大；反之，运动得慢，迁移率 小。目前，测量有机半导体材料载流子迁移率最直接有效的方法是飞行时间(TOF)方法。传统的TOF测量装置主要由脉冲激光光源、被测样品、测试电 路和存储示波器等组成。由于绝大多数有机半导体材料能够吸收紫外-可见光(300~700nm)而产生载流子(也称为光生载流子)，同时，载流子渡越厚度为 1~10m的有机半导体薄膜的时间通常为几微...
【技术保护点】
利用消失波作激发源测量有机半导体载流子迁移率的方法，包括如下步骤： Ａ．通过溶液滴涂、熔融热压或真空沉积的方法，在半透明电极上制备厚度为ｄ均匀的有机半导体材料薄膜，然后再蒸镀一层金属电极，制备成以有机半导体薄膜为活性层的三明治结构的有机半导体器件； Ｂ．将由脉冲光源发出的波长为λ的脉冲光，以θ↓［ｃ］≤θ↓［１］≤９０°的角度入射到半透明电极的表面，发生全反射产生的消失波透过半透明电极后在有机半导体材料薄膜中产生空穴－电子对，其中，θ↓［ｃ］为全反射角，θ↓［１］为入射角； Ｃ．在三明治结构的有机半导体器件的电极上施加直流电压Ｕ，有机半导体材料薄膜中的空穴或电子在外加电场的...
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：田文晶，徐蔚青，徐斌，唐彬，周印华，
申请(专利权)人：吉林大学，
类型：发明
国别省市：82[中国|长春]
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