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本发明涉及一种利用全内反射方法产生的消失波作激发源测量有机半导体材料载流子迁移率的方法。首先在半透明电极上制备厚度为ｄ的有机半导体材料薄膜，再蒸镀一层金属电极；然后将脉冲光以θ↓［ｃ］≤θ↓［１］≤９０°的角度入射到半透明电极的表面，全反射...
该专利属于吉林大学所有，仅供学习研究参考，未经过吉林大学授权不得商用。

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