【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于半导体集成电路设计和制造
，涉及铁电材料制备及新型半导体存储器制造技术和方法，尤其是一种。
技术介绍
铁电场效应晶体管(FE-FET)具有高速、低功耗、高集成度、非易失性等优点，因此自从被提出以来就得到广大的关注，作为实现非易失性存储器的一项很有发展前景的技术。但是，经过研究，由于铁电材料自身的反极化场和栅极泄漏电荷的存在，它的保持时间不能达到非易失性存储器的要求。为了克服这个问题，耶鲁大学的T.P.Ma等人提出了用铁电场效应晶体管实现动态随机存储器，利用动态随机存储器中的刷新电路来保持存储单元的内容。铁电动态随机存储器(FEDRAM)是非破坏性读出，具有很多传统的DRAM中所没有的优点。因为铁电场效应晶体管存储单元具有很长的保持时间，因此能够容忍更长的刷新间隔时间，可有效降低刷新频率，提高读写工作的效率，同时对刷新电路的要求也降低了；而且FEDRAM中不需要用传统的DRAM中所必需的电容来存储信息，具有很高的集成度。与传统的DRAM相比，不带电容的存储单元有利于按比例缩小的进一步实现，而且铁电动态随机存储器的编程速度主要由铁电材料的开关速...
【技术保护点】
一种铁电动态随机存储器单管单元阵列的编程方法，其步骤包括：（１）对选中单元的字线、位线和源线施加编程电压，在对选中单元进行编程操作时，字线与位线和源线之间的电压差达±１编程电压；（２）对非选中单元的字线、位线和源线施加禁止编 程电压，该禁止编程电压的值选用－１／６编程电压－＋１／６编程电压之间。
【技术特征摘要】
1.一种铁电动态随机存储器单管单元阵列的编程方法，其步骤包括(1)对选中单元的字线、位线和源线施加编程电压，在对选中单元进行编程操作时，字线与位线和源线之间的电压差达±1编程电压；(2)对非选中单元的字线、位线和源线施加禁止编程电压，该禁止编程电压的值选用-1/6编程电压-+1/6编程电压之间。2.如权利要求1所述的铁电动态随机存储器单管单元阵列的编程方法，其特征在于对选中单元进行写‘1’时，在字线1A上加1/2编程电压的脉冲...
【专利技术属性】
技术研发人员：康晋锋，李惟芬，刘晓彦，杜刚，韩汝琦，王新安，
申请(专利权)人：北京大学深圳研究生院，
类型：发明
国别省市：94[中国|深圳]
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。