用于检测薄弱单元的SRAM测试方法和SRAM测试设备技术

技术编号:3082279 阅读:187 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
公开了一种方法和测试配置,用于测试具有连接在一对位线之间的第一单元和第二单元的SRAM。在第一步骤中(410),将数据值存储在作为受测试的单元(CUT)的第一单元中,并且将其补数存储在作为基准单元的第二单元中。接下来,将位线预充电到预定电压(步骤420)。随后,例如通过向基准单元的字线提供多个电压脉冲,启用所述字线达到预定时间段。这引起了与基准单元的逻辑“0”节点相连的位线的电压降落。在随后的步骤(440)中,启用CUT的字线,将CUT暴露于电压减小的位线。这与较差地重写CUT是等效的。最后,评价CUT中的数据值。如果所述数据值已经翻转,则CUT是薄弱单元。可以通过改变上述位线上的已减小电压来检测不同薄弱水平的单元。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种用于测试静态随机存取存储器(SRAM)的方法,所述SRAM具有连接在第一位线和第二位线之间的第一单元和第二单元,第一单元响应第一字线,以及第二单元响应第二字线。本专利技术还涉及一种用于测试这种存储器的测试配置。
技术介绍
SRAM是一种需要电能以保持其内容的存储器芯片,即只要供电就在其存储器中保留数据。SRAM由触发电路构成,所述触发电路基于两个选择晶体管中的哪一个激活而使电流流过一侧或另一侧。与动态RAM(DRAM)不同,SRAM不需要周期性地对单元进行刷新的刷新电路。SRAM还提供比DRAM更快的数据存取。然而,SRAM也比DRAM占用更多空间,使用更多电能,并且倾向于更加昂贵。例如,SRAM一般用于计算机高速缓冲存储器,并且作为视频卡上的数字模拟转换器的随机存储存储器的一部分。图1示出了常用的6-晶体管(6T)CMOS SRAM单元。包括P沟道晶体管102和N沟道晶体管104的第一反相器100以及包括P沟道晶体管202和N沟道晶体管204的第二反相器200按照公知方式互相连接,以形成锁存器。第一N沟道选择晶体管106将锁存器与第一位线BLB相连,以及第二N本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于测试静态随机存取存储器(600)的方法,所述静态随机存取存储器具有连接在第一位线(BLB)和第二位线(BL)之间的第一单元和第二单元,第一单元响应第一字线(WL1),并且第二单元响应第二字线(WL2),所述方法包括:将数据值存储在第一单元中;将数据值的补数存储在第二单元中;将第一位线(BLB)和第二位线(BL)中的至少一个充电到预定电压;启用第二字线(WL2)达到预定时间段;启用第一字线(WL1);以及评估在第一单元中存储的数据值。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】GB 2004-11-26 0426005.51.一种用于测试静态随机存取存储器(600)的方法,所述静态随机存取存储器具有连接在第一位线(BLB)和第二位线(BL)之间的第一单元和第二单元,第一单元响应第一字线(WL1),并且第二单元响应第二字线(WL2),所述方法包括将数据值存储在第一单元中;将数据值的补数存储在第二单元中;将第一位线(BLB)和第二位线(BL)中的至少一个充电到预定电压;启用第二字线(WL2)达到预定时间段;启用第一字线(WL1);以及评估在第一单元中存储的数据值。2.根据权利要求1所述的方法,其中,启用第二字线(WL2)达到预定时间段包括向第二字线(WL2)提供具有与预定时间段相对应的组合脉冲宽度的N个电压脉冲(510),其中N是整数,并且至少是2。3.根据权利要求2所述的方法,还包括选择N的值。4.根据权利要求2或3所述的方法,包括限定脉冲宽度。5.根据权利要求1或2所述的方法,还包括将另外的数据值存储在第一单元中;将另外的数据值的补数存储在第二存储器中;将第一位线(BLB)和第二位线(BL)中的至少一个充电到另外的预定电压;启用第二字线(WL2)达到另外的预定时间段;启用第一字线(WL1);以及评估在第一单元中存储的另外的数据值。6.根据权利要求1或2所述的方法,还包括将第二另外的数据值存...

【专利技术属性】
技术研发人员:何塞德赫苏斯皮内达德久韦茨穆罕默德阿兹梅恩安德烈S巴甫洛维奇
申请(专利权)人:NXP股份有限公司
类型:发明
国别省市:NL[]

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