多位/单元非挥发性内存的测试方法及多模式配置方法技术

一种多位/单元(multi-bit?per?cell)非挥发性内存的测试方法，包含藉由写入及读取来测试n位/单元(n-bpc)非挥发性内存，其包含多个m-bpc页，其中m为1至n之间的正整数。如果m-bpc页经测试失败，则将失败m-bpc页所相应区块计入(m-1)-bpc区块，其中每一个该m-bpc页最多进行一次的写入及读取。当m等于1时，则0-bpc区块对应至坏区块。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种非挥发性内存,特别涉及一种多位/单元(multi-bit per cell)闪存的测试方法及多模式配置方法。
技术介绍
闪存为一种非挥发性固态内存装置，其能够以电气方式进行抹除及写入。传统闪存可在每一记忆单元内储存单一位的信息，因而每一记忆单元具有两种可能状态。此种传统闪存因此称之为单位/单元(single-bit per cell)闪存。现今闪存可在每一记忆单元内储存两位或多位的信息，因而每一记忆单元具有两种以上的可能状态。此种闪存因此称之为多位/单元(multi-bit per cell)闪存。·多位/单元闪存,例如三位/单元(3-bit per cell, 3_bpc)闪存,通常含有缺陷或坏区块(block)。即使这些坏区块无法完全操作于3-bpc模式,但却可能操作于2-bpc模式或Ι-bpc模式。因此，并不需要将具缺陷区块的闪存芯片予以丢弃。藉由测试(sorting)方法，例如藉由写入及读取闪存，可决定具缺陷区块的闪存是否可以操作于较低有效位模式。图IA显示传统三位/单元(3-bpc)闪存的区块的页写入/读取顺序OOh- > Olh- > 02本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种多位/单元非挥发性内存的测试方法，包含：藉由写入及读取来测试一n位/单元非挥发性内存，其包含多个m？bpc页，其中m为1至n之间的正整数；如果所述m？bpc页经测试失败，则将该失败m？bpc页所相应的区块计入(m？1)？bpc区块；其中每一个m？bpc页最多进行一次的写入及读取。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：黄汉龙，周铭宏，
申请(专利权)人：擎泰科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：