存储单元测试电路及其测试方法技术

本发明专利技术公开了一种存储单元测试电路，包括：存储单元阵列，用于储存信息数据；预充电电路，用于对存储单元阵列的位线进行预充电；写电路，用于将数据写入存储单元阵列；读取电路，用于感应存储单元阵列中的信息获得信号，并放大信号，通过驱动电路驱动信号到压焊点上，使得信号的电流满足测试仪器的驱动要求。本发明专利技术还公开了一种存储单元功能测试的方法。本发明专利技术公开的上述方案，解决了测试芯片中遇到的占用面积大、设计成本昂贵、设计周期长的问题，在版图设计时可以将新型存储单元直接嵌入到存储单元测试模块中，只需要采用合适的印刷板电路和普通的测试仪器，即可以应用于单粒子实验中的存储器测试，在一次流片中就可以制作多种不同电路结构的存储单元的测试模块。

【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及大容量存储器
，具体而言，本专利技术涉及存储单元测试电路及其测试方法。
技术介绍
存储器芯片按存取方式可分为随机存取存储器芯片RAM和只读存储器芯片ROM。ROM中的信息只能被读出，而不能被操作者修改或删除，故一般用于存放固定的程序，如监控程序、汇编程序等，以及存放各种表格。RAM主要用来存放各种现场的输入、输出数据，中间计算结果，以及与外部存储器交换信息和作堆栈用。它的存储单元根据具体 需要可以读出，也可以写入或改写。由于RAM由电子器件组成，所以只能用于暂时存放程序和数据，一旦关闭电源或发生断电，其中的数据就会丢失。现在的RAM多为MOS型半导体电路，它分为静态和动态两种。静态RAM是靠双稳态触发器来记忆信息的；动态RAM是靠MOS电路中的栅极电容来记忆信息的。由于电容上的电荷会泄漏，需要定时给与补充，所以动态RAM需要设置刷新电路。但动态RAM比静态RAM集成度高、功耗低，从而成本也低，适于作大容量存储器。按照不同的技术，存储器芯片可以细分为EPR0M、EEPR0M、SRAM、DRAM、FLASH、MASK ROM和FRAM等。存储器技术是一种不断进步的技术，随着本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种存储单元测试电路，其特征在于，包括：存储单元阵列，用于储存信息数据；预充电电路，用于对所述存储单元阵列的位线进行预充电；写电路，用于将数据写入所述存储单元阵列；读取电路，用于感应所述存储单元阵列中的信息获得信号，并放大所述信号，通过驱动电路驱动所述信号到压焊点上，使得所述信号的电流满足测试仪器的驱动要求。

【技术特征摘要】
1.一种存储单元测试电路，其特征在于，包括 存储单元阵列，用于储存信息数据； 预充电电路，用于对所述存储单元阵列的位线进行预充电； 写电路，用于将数据写入所述存储单元阵列； 读取电路，用于感应所述存储单元阵列中的信息获得信号，并放大所述信号，通过驱动电路驱动所述信号到压焊点上，使得所述信号的电流满足测试仪器的驱动要求。2.如权利要求I所述的存储单元测试电路，其特征在于，所述存储单元阵列包括 4X4的存储单元，以及连接所述存储单元的八条位线和四条字线；在写操作时选择其中一条字线从低电平变为高电平，数据通过所述写电路写入所述存储单元并保存；在读操作的时候选择其中一条字线从低电平变为高电平，将所述存储单元中保存的数据读出。3.如权利要求2所述的存储单元测试电路，其特征在于，所述预充电电路包括三个PMOS晶体管，当预充电控制信号DQ从高电平变为低电平时，所述预充电电路对所述位线进行充电，当预充电控制信号DQ从低电平变为高电平时，预充电电路停止对所述位线进行充电。4.如权利要求2所述的存储单元测试电路，其特征在于，所述写电路包括两个与非门、两个反相器和两个传输门；当写信号WE从低电平变为高电平时候，输入数据通过与非...

【专利技术属性】
技术研发人员：王一奇，韩郑生，赵发展，刘梦新，毕津顺，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：发明
国别省市：