【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种半导体存储装置，特别是涉及字线的驱动电路。
技术介绍
近年来，移动电话终端的电池保持时间要求长时间化，搭载在移 动电话终端等上的动态存储器(单元数据的保持需要刷新)也要求低 耗电力化。另外，作为搭载在移动电话终端等上的动态存储器，存在DRAM (动态随机存取存储器)、模拟SRAM (静态随机存取存储器)， 模拟SRAM由DRAM单元构成存储器芯，并且符合SRAM接口规格。特别是，延长占据移动电话终端的使用状态的大部分的等待状态 的电池保持时间，在此基础上降低动态存储器待机时的消耗电流(待 机电流)，是很重要的。另一方面，在动态存储器(DRAM或模拟SRAM)中，为了提高 存储在存储单元上的HIGH电平的保持数据的读出容限，利用高于外 部电源电压的升压电压对字线的选择(HIGH电平)进行控制。此外，为了降低单元晶体管的亚阈值泄漏，将非选择时期的字线 的电平(LOW电平)设定为低于接地电位的电平。图8是表示现有的字线驱动电路的结构的一个典型例的图。参照 图8，字线驱动电路10〃包括源极与RAI线(子字解码线)连接的 PMOSFET 12、和源极与...
【技术保护点】
一种驱动电路，其特征在于，具备： 根据输入信号对输出进行驱动的多个ＭＯＳ晶体管；以及 相对于上述多个ＭＯＳ晶体管的其它第一导电型ＭＯＳ晶体管，以纵向层叠的方式插入的一个第一导电型ＭＯＳ晶体管， 在以纵向层叠方式插入的上述第一导电型ＭＯＳ晶体管截止时，在其栅极上接受与对上述多个ＭＯＳ晶体管的上述其他第一导电型ＭＯＳ晶体管施加的截止时的栅极电位不同的电位。
【技术特征摘要】
JP 2006-7-13 2006-1930141.一种驱动电路，其特征在于，具备根据输入信号对输出进行驱动的多个MOS晶体管；以及相对于上述多个MOS晶体管的其它第一导电型MOS晶体管，以纵向层叠的方式插入的一个第一导电型MOS晶体管，在以纵向层叠方式插入的上述第一导电型MOS晶体管截止时，在其栅极上接受与对上述多个MOS晶体管的上述其他第一导电型MOS晶体管施加的截止时的栅极电位不同的电位。2. 根据权利要求l所述的驱动电路，其特征在于， 以纵向层叠方式插入的上述第一导电型MOS晶体管，其源极与上述多个MOS晶体管的上述其他第一导电型MOS晶体管的漏极连接， 其漏极与上述多个MOS晶体管的再另外的第一导电型MOS晶体管的 源极、或上述多个MOS晶体管的第二导电型MOS晶体管的漏极连接。3. 根据权利要求l所述的驱动电路，其特征在于， 以纵向层叠方式插入的上述第一导电型MOS晶体管导通时的栅极电位，与对上述其他第一导电型MOS晶体管施加的导通时的栅极电 位相同。4. 根据权利要求l所述的驱动电路，其特征在于， 向以纵向层叠方式插入的上述第一导电型MOS晶体管的栅极输入的信号是其振幅设定得小于施加到上述其他上述第一导电型MOS 晶体管的栅极上的信号的振幅的2值信号。5. 根据权利要求l所述的驱动电路，其特征在于， 向以纵向层叠方式插入的上述第一导电型MOS晶体管的栅极输入的信号，为固定电位。6. 根据权利要求l所述的驱动电路，其特征在于，以纵向层叠方式插入的上述第一导电型MOS晶体管，由P沟道 MOS晶体管构成，上述P沟道MOS晶体管截止时的栅极电位，低于 对上述多个MOS晶体管的其他P沟道MOS晶体管施加的截止时的栅 极电位。7. 一种半导体存储装置，其特征在于，具有权利要求1所述的驱动电路，将其作为对字线进行驱动的字 线驱动电路。8. 根据权利要求7所述的半导体存储装置，其特征在于， 上述多个MOS晶体管，包括栅极共同地与上述输入信号连接、源极分别与第一、第二电源连接的第一 P沟道MOS晶体管和第一 N沟道 MOS晶体管，具有连接在上述第一 P沟道MOS晶体管的漏极与上述第一 N沟 道MOS晶体管的漏极之间的第二 P沟道MOS晶体管，将其作为以纵 向层叠方式插入的上述第一导电型MOS晶体管，上述第二 P沟道MOS晶体管和上述第一 N沟道MOS的漏极之间 的连接点与上述字线连接。9. 根据权利要求8所述的半导体存储装置，其特征在于， 在上述输入信号为高电位时，将上述第一电源电位设为低电位，并且将上述第二P沟道MOS晶体管的栅极电位设为比上述输入信号的 高电位低的预定电位，在上述输入信号为低电位时，将上述第一电源电位设为高电位， 并且将上述第二P沟道MOS晶体管的栅极电位设为与上述输入信号相 同的电位，将上述第二电源的电位，固定为与上述输入信号的低电位相同的 电位。10. 根据权利要求8所述的半导体存储装置，其特征在于， 上述输入信号...
【专利技术属性】
技术研发人员：宫田昌树，
申请(专利权)人：恩益禧电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：JP[日本]
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