用于操作电阻存储单元的方法和存储电路技术

本发明专利技术涉及一种用于从电阻存储单元中读取存储数据的方法，上述电阻存储单元包括可通过控制值寻址的选择晶体管，该方法包括检测流过该电阻存储单元的单元电流，根据所检测的单元电流设置控制值，以及提供与控制值相关的信息作为存储数据。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种用于从电阻存储单元，更具体地，/人导电桥式随机存取存储单元(或CBRAM存储单元)读取存储数据的方法。 本专利技术还涉及一种包括电阻存储单元的存储电路。
技术介绍
在CBRAM存储电路中，信息存储在CBRAM存储单元中，每 个CBRAM存储单元都包括至少一个电阻存储元件。电阻存储元件 可以获取各种电阻状态，其中，可以通过i殳置电阻存储元件的电阻 状态来确定待存储的信息。为了估计CBRAM存储单元的内容，必 须估计各个存〗诸单元的电阻存〗诸元件的电阻值。这可以通过施加电 压并测量流过CBRAM存储单元的得到电流来执行。为了能够在读 出信息的同时不改变电阻存储元件的电阻状态，为此目的而施加至 电阻存储元件的电压不准超出一定的电压范围，例如，100 mV到 200mV之间。因此，电阻存储元件的电阻状态的电阻值一^l殳为104 Q到109 Q之间，从而导致流过存储单元的电流在100 pA和10 iuA 之间的范围内。在通常用作CBRAM存储电路的电路系统中，电流 在ljuA以下，然而，由于不能#1分辨，因而，4企测为0juA。在单 级i殳计中，即，在CBRAM电阻存储单元本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于读取存储在电阻存储元件中的数据的方法，所述电阻存储元件具有由控制值控制的可控选择晶体管，所述方法包括：　　　　检测流过所述电阻存储元件的单元电流；　　　　基于所检测的单元电流设置所述控制值；以及　　　　根据所设置的控制值提供所述数据。

【技术特征摘要】
US 2006-7-21 11/459,289;DE 2006-7-21 102006033915.1.一种用于读取存储在电阻存储元件中的数据的方法，所述电阻存储元件具有由控制值控制的可控选择晶体管，所述方法包括检测流过所述电阻存储元件的单元电流；基于所检测的单元电流设置所述控制值；以及根据所设置的控制值提供所述数据。2. 根据权利要求1所述的方法，其中，检测流过所述电阻存储元 件的所述单元电流的所述步骤包括将所述单元电流与参考电 流进行比较，并且其中，基于比较的结果设置所述控制值。3. 根据权利要求2所述的方法，其中，设置所述控制值，以使所 述单元电流基本上等于所述参考电流。4. 根据权利要求3所述的方法，其中，设置所述控制值的所述步 骤包括将测量值施加至所述选择晶体管；以及直到所述单元电流和所述参考电流之间的差的符号发生 改变，才改变所施加的测量值，其中，在所述差的符号发生改 变处的所述测量值^皮设置为所述控制值。5. 根据权利要求4所述的方法，其中，以离散值改变所述测量值。6. 根据权利要求5所述的方法，其中，从多个不同值中选择所述 测量值，并且其中，当所述单元电流与所述参考电流之间的所 述差的符号在连续施加的测量值之间改变时，最后施加的测量 值被设置为所述控制值。7. 根据权利要求6所述的方法，其中，所述控制值的所述多个不 同值对应于所述电阻存4渚单元的4寺逐渐减一冲企测的多个预定 电阻状态。...

【专利技术属性】
技术研发人员：海因茨赫尼希施密特，格哈德米勒，米莱娜伊万诺夫，科尔温利奥，
申请(专利权)人：奇梦达股份公司，
类型：发明
国别省市：DE[德国]