对非易失性集成存储器装置中的单元进行编程的系统和方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种用于快速且有效地对非易失性集成存储器装置中的难以编程的存储元件进行编程的系统和方法。在流经许多存储元件的电流被限于第一电平的情况下，所述许多存储元件同时经受编程过程。当这些存储元件的一部分达到指定状态时，将它们从正被编程的单元组移除，且升高继续被编程的元件上的电流限制。可将这些难以编程的单元中的电流电平升高到第二、较高的限制或未经调整。根据另一方面，在编程操作期间，允许用于单元的电流限制取决于所述单元将被编程到的目标状态。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术大体上涉及非易失性集成存储器装置，且更明确地说，涉及一种用于在非易 失性集成存储器装置的编程期间控制电流电平的系统和方法。
技术介绍
在许多非易失性计算机存储器中，存储数据的能力通常与编程过程期间流经特定存 储单元的电流的量有关。非易失性存储器的一个特定实例是快闪或EEPROM存储器，其 中存储器内的存储单元的状态取决于存储在浮动栅极上的电荷的量。概括来说，流经给 定单元的电流越大，其可被编程的速度越快，其可编程到的电平的范围越宽，或两者都 是。然而，因为大量的存储单元通常被并行编程，随着向更加大的数目发展的趋势，这 导致高电流电平(平均上和瞬时地)，这与较低功率装置的趋势相悖。非易失性数据存储装置，例如电子可擦除可编程只读存储器(EEPROM)或快闪存 储器，广泛用于缺乏大容量数据存储装置和固定电源的便携式装置中，例如蜂窝式电话、 手持式个人计算机(PC)、便携式音乐播放器和数码相机。快闪存储器通常是半导体场效应晶体管装置，其具有许多存储元件，所述存储元件 每一者具有一个或一个以上隔离的浮动栅极，其经编程以通过将电荷注射在浮动栅极上以改变所述晶体管的阈值电压来存储信息。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种将多状态存储元件从初始条件编程到多个数据状态中的一者的方法，其包括：　　　　从所述多个状态中选择目标状态；以及　　　　将所述存储元件偏置，其中所述存储元件的第一端子与第二端子之间的电流被限制为不超过视所述选定目标状态而定的值。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】US 2005-8-2 11/196,5471. 一种将多状态存储元件从初始条件编程到多个数据状态中的一者的方法，其包括从所述多个状态中选择目标状态；以及将所述存储元件偏置，其中所述存储元件的第一端子与第二端子之间的电流被限制为不超过视所述选定目标状态而定的值。2. 根据权利要求l所述的方法，其中所述存储元件属于非易失性存储器，所述非易失 性存储器由沿着位线且沿着连接到字线的一个或一个以上行连接在一个或一个以 上列中的多状态存储元件阵列组成，所述方法进一步包括从所述阵列选择所述要编程的存储元件，以及 其中所述将所述存储元件偏置包括将所述存储元件连接到的位线上的电流限制 为视所述选定目标状态而定的所述值。3. 根据权利要求1所述的方法，其中所述将所述存储元件偏置包含依据所述选定目标状态在所述第一端子与第二端子之间施加电压差。4. 根据权利要求3所述的方法，其中所述存储元件属于非易失性存储器，所述非易失 性存储器由沿着位线且沿着连接到字线的一个或一个以上行连接在一个或一个以 上列中的多状态存储元件阵列组成，所述方法进一步包括从所述阵列选择所述要编程的存储元件，以及其中所述将所述存储元件偏置包括将所述存储元件连接到的位线上的电流限制 为视所述选定目标状态而定的所述值，且通过依据所述存储元件连接到的所述位线 上的所述选定目标状态设置电压电平来确定所述电...

【专利技术属性】
技术研发人员：尼玛穆赫莱斯，丹尼尔C古特曼，
申请(专利权)人：桑迪士克股份有限公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]