相变化存储器写入的驱动方法与系统技术方案

本发明专利技术提供一种相变化存储器写入的驱动方法，包括计数一相变化存储器的一存取次数以及当该存取次数大于一预定次数时，对该相变化存储器进行数据刷新操作。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术为 一种相变化存储器的驱动方法与系统，特别是一种相变化存储 器写入的驱动方法与系统。
技术介绍
随着可携式应用产品的成长，使得非易失性存储器的需求有日渐增加的趋势，相变化存储器(Phase Change Memory, PCM )由于具有速度、功率、 容量、可靠度、制造集成度、以及成本等具竟争力的特性，已被视为下一世 代最具有潜力的非易失性存储器技术。PCM存储器主要是利用某些材料在特 定的电流脉冲下会具有快速且可逆的相变化效应，进而导致材料在某些特性 上的稳定改变來达到存储的效果，此外其最终的状态并不会随着外加能量的 消失而改变，因此具有非易失性的特点。目前采用的相变化材料多以硫属化 合物合金为主，以Ge2Sb2Te5合金最为普遍，而此种材料在可重复写录式光盘 (CD-RW)与可重复写录式数字多用途光盘(DVD-RW)的产业中亦有成熟的应 用。相变化存储器主要是利用某些材料在特定的电压或电流脉沖下会具有快 速且可逆的相变化效应，进而导致材料在电性质的改变，此外其最终的状态 并不会随着外加能量的消失而改变，因此具有非易失性的特点。这些材料在 进行使材料结晶化的设定(SET本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种相变化存储器写入的驱动方法，包括：　　　　计数一相变化存储器的一存取次数；以及　　　　当该存取次数大于一预定次数时，对该相变化存储器进行数据刷新操作。

【技术特征摘要】
1. 一种相变化存储器写入的驱动方法，包括计数一相变化存储器的一存取次数；以及当该存取次数大于一预定次数时，对该相变化存储器进行数据刷新操作。2. 如权利要求1所述的相变化存储器写入的驱动方法，其中该存取次数 包括该相变化存储器的一重置(RESET)次数、 一设定(SET)次数或一读 取(READ )次数。3. 如权利要求2所述的相变化存储器写入的驱动方法，其中当该存取次 数大于该预定次数时，先对该相变化存储器进行一重置操作，再对该相变化 存储器进行一设定操作。4. 如权利要求3所述的相变化存储器写入的驱动方法，其中该重置操作 系对该相变化存储器输入一重置(RESET)电流。5. 如权利要求3所述的相变化存储器写入的驱动方法，其中该设定操作 系对该相变化存储器输入一设定(SET)电流。6. 如权利要求3所述的相变化存储器写入的驱动方法，其中在对该相变 化存储器进行该重置操作前，先将该相变化存储器中存储的数据存储在一备 用存储器中。7. 如权利要求1所述的相变化存储器写入的驱动方法，其中当该相变化 存储器接收该数据刷新操作后，将该存取次数重置为0。8. 如权利要求1所述的相变化存储器写入的驱动方法，其中该数据刷新 操作包括复制并存储该相变化存储器中的数据至一备用存储器； 对该相变化存储器输入一重置电流；以及将该相变化存储器中的数据自该备用存储器存储回该相变化存储器。9. 如权利要求8所述的相变化存储器写入的驱动方法，其中还包括 对该相变化存储器输入一设定电流。10. —种相变化存储器写入的驱动方法，适用于一相变化存储器，该相变 化存储器具有多个存储区块，包括选择一存储区块；记录该存储区块的一存取次数；以及当该存取次数大于一预定值时，标记该存储区块，并于一特定时间点对 该存储区块进行一数据刷新操作。11. 如权利要求10所述的相变化存储器写入的驱动方法，其中该存取次数包括该存储区块的一重置(RESET)次数、 一设定(SET)次数或一读取次数。12. 如权利要求11所述的相变化存储器写入的驱动方法，其中当该存取 次数大于该预定次数时，先...

【专利技术属性】
技术研发人员：许世玄，林烈萩，江培嘉，王文翰，
申请(专利权)人：财团法人工业技术研究院，力晶半导体股份有限公司，南亚科技股份有限公司，茂德科技股份有限公司，华邦电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]