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半导体存储装置制造方法及图纸
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文档序号:3082029
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本发明提供一种半导体存储装置,特别是字线驱动电路,可以抑制由GIDL引起的待机电流。具有:导电型相互不同的第一及第二MOS晶体管(12、18),其栅极共同地与输入信号(MWLB)连接,源极分别与第一、第二电源(RAI、VKK)连接;和与第一...
该专利属于恩益禧电子股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过恩益禧电子股份有限公司授权不得商用。
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