【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及与时钟信号同步地输入输出存储数据的半导体存储装置。
技术介绍
图18是与时钟同步地输入输出信号的时钟同步型半导体存储装置以及 控制半导体存储装置的信息处理装置的示意框图。半导体存储装置600和信息处理装置601通过输入信号609、时钟610、 输出数据信号612连接。半导体存储装置600由输入信号锁存电路602、存 储》兹心603构成,输入信号锁存电^各602和存储,兹心603通过锁存信号604 连接。存储磁心603包括用于使存储,兹心603工作的控制电路、电源电路、 解码器电路以及读出电i 各。输入信号锁存电路602按照时钟610的时序,锁存输入的输入信号609, 并将锁存的信号作为锁存信号604输出。图19(a)、 (b)、 (c)示出了图18所示的电路结构中的输入信号获 耳又时序图。图19 (a)是在时钟的上升沿之前输入信号变化时的输入信号获取时序图。图19 (b)是输入信号的输入时序因装置的电压条件、温度条件、或者 信息处理装置和半导体存储装置间的配线延迟的变化等而延迟于图19 (a) 所示的输入信号的输入时序,并在时钟的上升沿之后输入信号变化时的输入 信号获取时序图。图19 (c)是在输入信号的获取操作中输入信号的输入时序因装置的电 压条件、温度条件、或者信息处理装置和半导体存储装置间的配线延迟的变化而变化时的输入信号获取时序图。而且,示出了输入信号锁存电路602在输入的时钟610的上升沿锁存输 入信号609的情况。下面说明图19 (a)的输入信号获取时序图。如果在时刻T01a输入信号变为H(高电平),则在之后的时钟上 升沿时刻 ...
【技术保护点】
一种半导体存储装置,与时钟同步地输入输出数据信号,其特征在于,该半导体存储装置包括: 输入信号延迟电路,用于对输入信号进行延迟,输出延迟的被延迟输入信号; 延迟时钟生成电路,用于使输入时钟延迟互不相同的多种时延,生成多个延迟时钟; 多个被延迟输入信号保持电路,用于根据所述多个延迟时钟分别保持所述被延迟输入信号; 输入信号获取时序判定电路,用于根据所述被延迟输入信号保持电路中保持的多个保持信号,输出判定信号,该判定信号表示应获取被延迟输入信号的时序;和 保持信号选择器电路,用于将所述多个保持信号汇集成一个信号。
【技术特征摘要】
JP 2007-8-9 2007-2076711、一种半导体存储装置,与时钟同步地输入输出数据信号,其特征在于,该半导体存储装置包括输入信号延迟电路,用于对输入信号进行延迟,输出延迟的被延迟输入信号;延迟时钟生成电路,用于使输入时钟延迟互不相同的多种时延,生成多个延迟时钟;多个被延迟输入信号保持电路,用于根据所述多个延迟时钟分别保持所述被延迟输入信号;输入信号获取时序判定电路,用于根据所述被延迟输入信号保持电路中保持的多个保持信号,输出判定信号,该判定信号表示应获取被延迟输入信号的时序;和保持信号选择器电路,用于将所述多个保持信号汇集成一个信号。2、 根据权利要求1所述的半导体存储装置,其特征在于,所述半导体 存储装置进一步包括判定信号保持电路,用于在规定的时刻保持从输入信号 获取时序判定电路输出的判定信号,根据所述判定信号保持电路中保持的判定信号,控制所述多个被延迟输 入信号保持电路。3、 根据权利要求2所述的半导体存储装置,其特征在于,所述半导体 存储装置进一步包括判定-设置信号选择器电路,用于将所述判定信号和规 定的设置信号选择性地保持于所述判定信号保持电路。4、 根据权利要求1所述的半导体存储装置,其特征在于,输入信号获 取时序判定电路在被延迟输入信号保持电路中保持的多个保持信号之中,对 于每一对根据时延互为最接近的延迟时钟进行保持的保持信号,比较所述保持信号。5、 一种半导体存储装置,与时钟同步地输入输出数据信号,其特征在于,该半导体存储装置包括输入信号延迟电路,用于对输入信号进行延迟,输出延迟的被延迟输入信号;延迟时钟生成电路,用于使输入时钟延迟互不相同的多种时延,生成多个延迟时钟;多个被延迟输入信号保持电路,用于根据所述多个延迟时钟分别保持所 述被延迟输入信号;输入信号获取时序判定电路,用于根据在规定的时刻保持于所述被延迟 输入信号保持电路中的多个保持信号,输出判定信号,该判定信号表示应获 取被延迟输入信号的时序;和保持信号选择器电路,用于将所述多个保持信号汇集成一个信号,根据所述判定信号,控制所述多个被延迟输入信号保持电路。6、 根据权利要求5所述的半导体存储装置,其特征在于, 输入信号获取时序判定电路,初始化后,在所有被延迟输入信号保持电路中保持的保持信号的电平相 同的期间,输出将所有被延迟输入信号保持电路置于有效状态的判定信号,保持信号不同时,输出之后只将所述一个被延迟输入信号保持电路置于有效 状态的判定信号。7、 一种半导体存储装置,与时钟同步地输入输出数据信号,其特征在 于,该半导体存储装置包括输入信号延迟电路,用于对输入信号进行延迟,输出延迟的被延迟输入 信号;延迟时钟生成电路,用于使输入时钟延迟互不相同的多种时延,生成多 个延迟时钟;多个第 一保持电路,用于根据所述多个延迟时钟分别保持所述被延迟输 入信号; 多个第二保持电路,用于根据所述多个延迟时钟之中时延最短的延迟时钟分别保持所述第 一保持电路的保持信号;获取时序判定电路,用于根据所述第一保持电路的多个保持信号,生成 分别对从各第二保持电路输出的保持信号的传输进行控制的时序判定信号, 并根据时延最短的延迟时钟保持各生成的时序判定信号;和保持信号选择器电路,用于根据所述时序判定电路中保持的时序判定信 号,对从第二保持电路输出的多个保持信号的传输进行控制,并且汇集成一个信号。8、 根据权利要求7所述的半导体存储装置,其特征在于,所述第二保持电路根据时延最短的延迟时钟保持第 一保持电路的保持信号; ,所述输入信号获取时序判定电路,在第 一保持电路的所有保持信号相同时,选择根据时延最短的延迟时钟 对保持于第 一保持电路中的保持信号进行保持的第二保持电路的保持信号,并且基于对于每一对根据时延互为最接近的延迟时钟保持于第一保持 电路中的保持信号进行的所述保持信号的比较,选择其他第二保持电路的保 持信号。9、 一种半导体存储装置,与时钟同步地输入输出数据信号,其特征在 于,该半导体存储装置包括输入信号延迟电路,用于对输入信号进行延迟,输出延迟的被延迟输入信号;倍周期时钟生成电路,用于从输入时钟生成周期为二倍的倍周期时钟;倍周期延迟时钟生成电路,用于使所述倍周期时钟延迟互不相同的多种 时延,生成多个倍周期延迟时钟;多个第一保持电路,用于在所述多个倍周期延迟时钟的上升沿,分别保 持所述被延迟输入信号;多个第二保持电路,用于在所述多个倍周期延迟时钟的下降沿,分别保持所述被延迟输入信号;多个第三保持电路,用于在所述多个倍周期延迟时钟的上升沿,分别保 持所述第 一保持电路的保持信号;多个第四保持电路,用于在所述多个倍周期延迟时钟的下降沿,分别保 持所述第二保持电路的保持信号;第 一输入信号获取时序判定电路,用于根据所述第 一保持电路中保持的 多个保持信号,生成第一时序判定信号,并在时延最短的倍周期延迟时钟的 上升沿进行保持;第二输入信号获取时序判定电路,用于根据所述第二保持电路中保持的 多个保持信号,生成第二时序判定信号,并在时延最短的倍周期延迟时钟的 下降沿进行保持;第一信号逻辑判定电路,用于根据所有所述第一输入信号获取时序判定 电路中保持的第 一时序判定信号是否相同,输出第 一逻辑判定信号;第二信号逻辑判定电路,用于根据所有所述第二输入信号获取时序判定 电路中保持的第二时序判定信号是否相同,输出第二逻辑判定信号;多个第一保持信号...
【专利技术属性】
技术研发人员:新田忠司,
申请(专利权)人:松下电器产业株式会社,
类型:发明
国别省市:JP[日本]
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