非易失性存储器件、系统及其操作方法技术方案

可以通过下述步骤提供一种操作包括在存储卡中的非易失性存储器件的方法：重映射存储卡中的第一非易失性ＭＡＴ中的坏块的地址和重映射存储卡中的第二非易失性ＭＡＴ中的坏块的地址，该第二非易失性ＭＡＴ包括与第一非易失性ＭＡＴ中的块地址映射的块。还可以通过下述步骤提供扫描非易失性存储器件的坏块的方法：从非易失性存储器件的最低块地址之上的开始块地址开始顺序扫描非易失性存储器件中的块以寻找表示相应块是坏块的数据，其中该开始块地址基于非易失性存储器件的产率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及电子领域，尤其是涉及非易失性存储器和操作非易失性 存储器的方法。
技术介绍
存储器件可以被构建成包括具有存储单元块和冗余块的阵列，所述 冗余块可被用于替换被确定为有瑕疯的块。可以通过块选择电路来执行 该替换以便在需要替换时，该块选择电路从具有最高地址的存储单元块 开始的存储单元块中进行选择。例如，在美国专利第6,956,769B2号中也讨论了非易失性存储器。
技术实现思路
根据本专利技术的实施例可以提供包括在MAT之间被地址重映射的坏块 的非易失性存储器件、存储卡、和系统及其操作方法。根据这些实施例， 可以通过下述步骤提供操作非易失性存储器件的方法重映射非易失性 存储器件中的第一非易失性MAT中的坏块的地址和重映射非易失性存储 器件中的第二非易失性MAT中的坏块的地址，第二非易失性MAT包括 与第一非易失性MAT中的块地址映射的块。在根据本专利技术的一些实施例中，可以通过下述步骤提供扫描非易失性存储器件坏块的方法从非易失性存储器件的最低块地址之上的开始 块地址开始顺序扫描非易失性存储器件中的块以发现表示相应块是坏块 的数据，其中该开始块地址基于非易失性存储器件的产率(yield)。在根据本专利技术的一些实施例中，存储卡可以包括第一非易失性 MAT,在该存储卡中，包括其最高部分，所述最高部分具有第一替换块， 使得在第一非易失性MAT中的第一坏块重映射到其上；第二非易失性 MAT,在该存储卡中，可以包括其最高部分，所述最高部分具有第二替 换块，其使得在第二非易失性MAT中的第二坏块重映射到其上。在根据本专利技术的一些实施例中，非易失性存储器件可以包括包括 地址重映射到第一替换块的第一坏块的第一非易失性MAT;和包括地址 重映射到第二替换块的第二坏块的第二非易失性MAT，其中该第二非易 失性MAT包括与第一非易失性MAT中的块地址映射的块。在根据本专利技术的一些实施例中，非易失性存储器件可以包括包括 第一坏块的第一非易失性MAT和包括第二坏块的第二非易失性MAT, 其中该第 一坏块和第二坏块被分别地址重映射到在第二非易失性MAT的 最高部分中的第一冗余块和第二冗余块。附图说明图1是在根据本专利技术的一些实施例中的非易失性存储器件的示意性 表示，所述非易失性存储器件包括位于非易失性存储器件中的地址空间 的最高部分的、被分配用于坏块地址重映射的存储块。图2和3是图解在根据本专利技术一些实施例中的非易失性存储器件中 部分扫描为坏块替换分配的块的操作的流程图。图4是在根据本专利技术的一些实施例中的第一非易失性存储器MAT和 第二非易失性存储器MAT的示意性表示，所述第 一非易失性存储器MAT 和第二非易失性存储器MAT中具有被分配用于坏块替换的相应地址空间 的最高部分并且每一个非易失性存储器MAT具有在其上I喿作的相应部分 扫描。图5是在根据本专利技术一些实施例中的两个彼此地址映射到一起以提供线性地址空间的MAT的示意性表示，在所述线性地址空间中，MAT 中的相应地址空间的最高部分被分配用于坏块替换。图6是根据本专利技术 一些实施例中的以交叉方式(interleaved fashion)地 址映射到一起的两个MAT的示意性表示，其中每个MAT包含被分配用 于坏块替换的相应地址空间的最高部分。图7是两个MAT的示意性表示，所述两个MAT被一起地址映射以 在被分配用于替换MAT 1和MAT 2中包含的坏块的、MAT2中的地址空 间的最高部分中提供线性或交叉的地址空间。图8是以线性或者交叉配置一起地址映射的两个MAT的示意性表 示，其中第二 MAT的地址空间的最高部分被分配用于根据由分别与第一 MAT或第二 MAT相关联的第一块替换控制器电路或第二块替换控制器 电路生成的替换信号而替换位于第一 MAT和第二 MAT两者中的坏块。图9是根据本专利技术一些实施例中的坏块替换控制器电路的示意性表示。图IO是根据本专利技术一些实施例中的、包含坏块地址寄存器和相关的 替换块地址寄存器的块替换控制器电路的更加详细视图的示意性表示。图11是根据本专利技术一些实施例中的包括MAT的非易失性存储器的 存储卡的示意性表示。图12是在根据本专利技术一些实施例中的包括非易失性MAT的存储系 统的示意性表示。具体实施例方式在下文中，参照附图更充分地描述本专利技术，在附图中，通过举例方 式示出了本专利技术的实施例。然而，本专利技术可以以多种不同形式体现，并 且不应被曲解为限于这里阐述的示例实施例。而是，提供这些示例实施 例以便本公开将是彻底的和完整的，并且将充分地向本领域技术人员传 达本专利技术的范围。应当理解，当一个单元被称作连接到、耦合于或响应于(和/或 其变型)另一单元时，它可能直接连接、耦合或者响应于另一单元，或可 能存在中间单元。相反，当一个单元被称作直接连接于、直接耦合于 或直接响应于(和/或其变型)另一单元时，不存在中间单元。相同的数字 自始至终表示相同的单元。如这里所使用的，术语和/或包括一个或多 个相关列出项的任何和所有组合并且可以:帔缩写为/。应当理解，尽管可能在此使用术语第一、第二、第三等来描述各种单元、组件、区域、层和/或部分，但是这些单元、组件、区域、层和/ 或部分不应当被这些术语限制。这些术语仅仅用于区分一个单元、组件、 区域、层或部分与另一区域、层或部分。因此，下面讨论的第一单元、 组件、区域、层或部分可以被称为第二单元、组件、区域、层或部分而 不会脱离本专利技术的示教。这里使用的术语仅仅是为了描述特定实施例而不是为了限制本专利技术。正如这里使用的，单数形式的一(a)、 一(an)和该同样包含复 数形式，除非上下文明确表明以外。应当进一步理解，当在本说明书中 被使用时，术语包含(comprises)和/或包含(comprising)(和/或其变型) 说明所陈述的特性、整体、步骤、操作、单元、和/或组件的存在，但是 并不排除一个或多个其它特性、整体、步骤、操作、单元、组件、和/或 其组的存在和添加。相反，当在本说明书中使用术语由.....组成(和/或 其变型)时，这个术语说明所陈述数量的特性、整数、步骤、操作、单元、 和/或组件，并且排除另外的特性、整体、步骤、操作、单元、和/或组件。 除非另外定义，这里使用的所有术语(包括技术和科学术语)具有与本 专利技术所属领域普通技术人员通常理解的相同含义。应当进一步理解，诸 如在常用字典中定义的那些术语，应当被解释为具有与它们在相关领域 和本申请的上下文中的含义一致的含义，而不被以理想或者过于正式的方式解释，除非在此明确定义。正如在下面更详细地描述的，在根据本专利技术的一些实施例中，当确 定了非易失性MAT中的哪些块被分配用于坏块替换时，可以执行非易失 性MAT的部分扫描。例如，在根据本专利技术的一些实施例中，可以使用预 定偏移量来索引非易失性MAT到开始块地址，其中该开始块地址在非易 失性MAT中的最低地址之上。该预定偏移量例如可以基于与该器件相关的产率。例如，如果用于制造该非易失性MAT的工艺的产率大概为2.5%(即，该器件中的2.5%的 块可能是坏的)，可以在一个开始块地址启动部分扫描，其中该开始块地 址是在非易失性MAT的最高地址之下的大约2.5%的地址空间。该部分扫描方法可以减少扫描当前被分配用作非易失性MAT中的替 换块的块所需的时间量本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种操作非易失性存储器件的方法，该方法包括：　重映射非易失性存储器件中的第一非易失性ＭＡＴ中的坏块的地址；和　重映射非易失性存储器件中的第二非易失性ＭＡＴ中的坏块的地址，所述第二非易失性ＭＡＴ包括与第一非易失性ＭＡＴ中的块一起地址映射的块。

【技术特征摘要】
KR 2007-5-17 48123/07;KR 2007-6-1 53850/07;US 20081.一种操作非易失性存储器件的方法，该方法包括重映射非易失性存储器件中的第一非易失性MAT中的坏块的地址；和重映射非易失性存储器件中的第二非易失性MAT中的坏块的地址，所述第二非易失性MAT包括与第一非易失性MAT中的块一起地址映射的块。2、 根据权利要求l的方法，其中，第一非易失性MAT中的坏块的地址 被重映射到包括在非易失性存储器件中的第一非易失性MAT的最高部分；和其中，第二非易失性MAT中的坏块被重映射到包括在非易失性存储器件 中的第二非易失性MAT的最高部分。3、 根据权利要求l的方法，其中，第一非易失性MAT和第二非易失性 MAT中的坏块的地址被重映射到包括在非易失性存储器件中的第二非易失 性MAT的最高部分。4、 根据权利要求3的方法，还包括将用于第一非易失性MAT中的坏块的坏块替换信息提供给块替换控制 器电路，该块替换控制器电路被配置成在访问第一非易失性MAT期间控制对 第二非易失性MAT的块选择。5、 根据权利要求3的方法，还包括将来自块替换控制器电路的替换信号提供给第二非易失性MAT中的替 换块，其中，该块替换控制器电路被配置成控制对第一非易失性MAT的块选 择，在第二非易失性MAT中的替换块使得第一非易失性MAT中的坏块重映 射到其上。6、 根据权利要求l的方法，其中，第一非易失性MAT中的块地址与第 二非易失性MAT中的块地址交叉。7、 根据权利要求l的方法，其中，第二非易失性MAT中的块地址被顺 序映射到正好在第一非易失性MAT中的相应的最高块之上，或正好在第一非 易失性MAT中的相应的最低块之下。8、 根据权利要求l的方法，还包括扫描第 一非易失性MAT和/或第二非易失性MAT来识别其中的在第 一非 易失性MAT和/或第二非易失性MAT的最低块之上开始的坏块以仅仅提供第 一非易失性MAT和/或第二非易失性MAT的部分坏块扫描。9、 根据权利要求8的方法，其中，扫描还包括根据相对于第一非易失性MAT和/或第二非易失性MAT的最高块的预定 偏移量为部分坏块扫描提供开始块地址，该预定偏移量基于非易失性存储器 的预定产率。10、 根据权利要求9的方法，其中，扫描包括顺序检查在开始块地址之上的每一个块中存储的数据直到基于从第一块 读出的数据确定被指示为坏的第 一块，于是避免在第 一块之上的进一步的扫 描。11、 根据权利要求8的方法，其中，扫描包括顺序确定在开始块地址之上的每一个块是否是坏的直到到达第一非易失 性MAT和/或第二非易失性MAT中的最高块。12、 一种扫描非易失性存储器件的坏块的方法，该方法包括 从非易失性存储器件的最低块地址之上的开始块地址开始顺序扫描非易失性存储器件中的块以寻找表示相应块是坏块的数据，其中所述开始块地址 基于非易失性存储器件的产率。13、 根据权利要求12的方法 的部分坏块扫描。14、 根据权利要求13的方法 根据基于产率的相对于最高块的预定偏移量提供部分坏块扫描的开始块地址。15、 根据权利要求14的方法，其中，顺序扫描包括 检查存储在开始块地址之上的每个块中的数据直到基于从第一块读取的数据确定被指示为坏的第 一块。16、 一种存储卡，包括第一非易失性MAT，在该存储卡中，包括具有第一替换块的最高部分， 所述第一替换块使得第一非易失性MAT中的第一块坏重映射到其上；和第二非易失性MAT，在该存储卡中，包括具有第二替换块的最高部分， 所述第二替换块使得第二非易失性MAT中的第二坏块重映射到其上。17、 一种非易失性存储器件，包括第一非易失性MAT,包括地址重映射到第一替换块的第一坏块...

【专利技术属性】
技术研发人员：边大锡，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]