O-配合金属螯合物和其在具有高储存容量的光学记录介质中的用途制造技术

本发明专利技术涉及新型光学记录材料，包含特定的和在某些情况下新的二酮烯胺或其金属螯合物和尤其在波长３５０－５００ｎｍ下具有优异的记录和回放质量。本发明专利技术因此涉及一种包含基材，记录层和视需要反射层的光学记录介质，其中记录层包含具有结构式（Ⅰ）的化合物，其中Ｍ是氢，铝或，优选，过渡金属，它可另外与一个或多个其它配体配合和／或，为了平衡掉过多电荷，如果合适，可具有与配位球内部或外部的一个或多个其它离子的静电相互作用，但结构式（Ⅰｂ）和（Ⅰｃ）中的Ｍ不是氢，Ｑ是Ｃ－Ｈ，Ｎ或Ｃ－Ｒ↑［６］，Ｃ＝Ｑ双键的立体化学可以是Ｅ或Ｚ。关于Ｒ↑［１］至Ｒ↑［６］的准确定义，应该参见说明书。还要求了新型化合物，尤其四配合螯合物，和其制备方法。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及包含特定的和在某些情况下新的二酮烯胺或其金属螯合物和尤其在波长350-500nm下具有优异的记录和回放质量的新型光学记录介质。记录和回放可非常有利地在相同的波长下进行，且可实现的储存密度明显高于已知的材料。另外，根据本专利技术的材料在记录前后具有非常良好的储存性能，甚至在苛刻条件下，如暴露于日光或荧光，热和/或高湿度时。另外，其制造简单并可容易地使用常规涂布工艺，如旋涂而复制。US-6,225,023公开了包含例如以下的杂环偶氮化合物的N-配合金属螯合物的光学记录介质， 它仅适用于其中记录和回放使用波长远超过500nm，例如635nm的激光射线进行的体系。US-6,242,067公开了包含例如以下的氨基-取代的芳族偶氮化合物的O-配合金属螯合物的光学记录介质， 它仅适用于其中记录和回放使用波长远超过500nm的激光射线进行的体系。在实施例2中，记录在635nm下进行和读取在650nm下进行，其中使用0.60的数值孔径。EP-A-0597826公开了包含液晶聚合物(″聚合物液晶″)和可溶于其中的金属螯合物或大环着色剂(″大环着色剂″)的记录介质。结果，光吸收增加，尤其在近红外区，而液晶聚合物的功能不受损害。记录和回放在830nm下进行。以前的光学记录材料因此仅在一定程度上满足高需求或不以完全令人满意的程度同时满足所有这些需求。尤其是，所实现的数据密度(DVDR)不完全令人满意。Polyhedron Vol.9 No.17，2061-2069页(1990)公开了铜(II)与4-甲基-3-[3-二甲基氨基丙烯酰基]-2H-吡喃-2-酮的配位作用。具有2，2′-联吡啶和1，10-菲咯啉的混合螯合物水合物在固态下的最长波长吸收带分别为398nm和400nm。由于在溶液中的不稳定性，尚不可能说明配位作用对结构的影响。而且不可能制备1∶2金属/螯合物配合物。另外，没有提及技术应用。本专利技术的目标是一种具有高信息密度和高数据可靠性的光学记录介质。这种记录介质应该坚固，耐久和容易使用。另外，应该便宜地制造批量生产的产品，它应该需要尽可能小和便宜的设备，而且它应该包含最少的有环境问题的物质，如挥发性毒性金属，或至少它应该能够通过简单的方式处理这些有环境问题的物质。本专利技术因此涉及一种包含基材，记录层和视需要反射层的光学记录介质，其中记录层包含下式化合物 其中M是氢，铝或，优选，过渡金属，它可另外与一个或多个其它配体配合和/或，为了平衡掉过多电荷，如果合适，可具有与配位球内部或外部的一个或多个其它离子的静电相互作用，但结构式(Ib)和(Ic)中的M不是氢，Q是C-H，N或C-R6，C＝Q双键的立体化学可以是E或Z，R1是氢，OR7，SR7，NHR7，NR7R8，C1-C12烷基，C2-C12链烯基，C2-C12炔基，C3-C12环烷基，C3-C12环链烯基，C7-C12芳烷基，C2-C11杂芳烷基，C6-C10芳基或C1-C9杂芳基，R2和R3相互分别独立地是C1-C12烷基，C2-C12链烯基，C2-C12炔基，C3-C12环烷基，C3-C12环链烯基，C7-C12芳烷基，C2-C11杂芳烷基，C6-C10芳基或C1-C9杂芳基，R4是氰基，COR9，COOR7，CONH2，CONHR7，CONR7R8，C2-C12烷-1-烯基，C3-C12环烷-1-烯基，C2-C12烷-1-炔基，C2-C5杂环烷基，C3-C5杂环链烯基，C6-C10芳基或C1-C9杂芳基，R5是氰基，COR7，COOR7，CONH2，CONHR7，CONR7R8，NHR9，NR8R9，C1-C12烷基，C2-C12链烯基，C2-C12炔基，C3-C12环烷基，C3-C12环链烯基，C7-C2芳烷基，C2-C11杂芳烷基，C6-C10芳基或C-C9杂芳基，R6，R7和R8相互分别独立地是C1-C12烷基，C2-C12链烯基，C2-C12炔基，C3-C12环烷基，C3-C12环链烯基，C7-C12芳烷基，C2-C11杂芳烷基，C6-C10芳基或C-C9杂芳基，R1和R2，R1和R6，R2和R3，R2和R7，R3和R6，R4和R5，R4和R6，R4和R7和/或R7和R8可成对地相互键接以形成1，2，3或4碳环或N-，O-和/或S-杂环环，任何这些环相互独立地，如果合适，用于芳族或杂芳族环上和/或多个N-，O-和/或S-杂环环相互稠合，和N-杂环环中的任何N可未被取代或被R9取代；任何烷基，链烯基，炔基(在每种情况下，如果合适，作为非芳族环的一部分)，环烷基或环链烯基和，如果合适，多个烷基，链烯基，炔基，环烷基和/或环链烯基基团相互独立地是未取代的或被R10单-或多-取代的；而且任何芳基，杂芳基或芳烷基或，如果合适，多个芳基，杂芳基和/或芳烷基基团可相互独立地是未取代的或被R11单-或多-取代的；R9是H，R7，COR7，COOR7，CONH2，CONHR7或CONR7R8；R10是卤素，OH，NH2，NHR12，NR12R13，NHNH2，NHNHR12，NHNR12R13，NR14NH2，NR14NHR12，NR14NR12R13，NHOH，NHOR12，NR14OH，NR14OR12，O-R12，O-CO-R12，S-R12，CO-R12，氧代，硫羰，＝N-R12，＝N-OH，＝N-O-，＝N-OR12，＝N-NH2，＝N-NHR12，＝N-NR12R13，CN，COOH，CONH2，COOR12，CONHR12，CONR12R13，SO2NH2，SO2NHR12，SO2NR12Rl3，SO2R12，SO3R12或PO(OR12)(OR13)；R11是卤素，NO2，CN，NH2，SH，OH，CHO，R15，OR15，SR15，C(R16)＝CR17R18，O-CO-R19，NHR19，NR19R20，CONH2，CONHR19，CONR19R20，SO2NH2，SO2NHR19，SO2NR19R20，SO2R19，COOH，COOR19，OCOOR19，NHCOR19，NR19COR21，NHCOOR19，NR19COOR21，P(＝O)OR19OR21，P(＝O)R19OR21，P(＝O)R19R21，或是C1-C12烷基，C3-C12环烷基，C2-C12链烯基，C3-C12环链烯基，C1-C12烷基硫代，C3-C12环烷基硫代，C2-C12链烯基硫代，C3-C12环链烯基硫代，C1-C12烷氧基，C3-C12环烷氧基，C2-C12链烯基氧基或C3-C12环链烯基氧基分别未被取代或被一个或多个，如果合适，相同的或不同的，R10基团取代；R12，R13和R14相互分别独立地是C1-C12烷基，C3-C12环烷基，C2-C12链烯基，C3-C12环链烯基，C6-C14芳基，C1-C12杂芳基，C7-C18芳烷基或C2-C16杂芳烷基；或R12和R13，与共有的N一起，是分别未取代的或被C1-C4烷基单-至四-取代的吡咯烷，哌啶，哌嗪或吗啉；R15是分别未被取代或被一个或多个，如果合适，相同的或不同的，R22基团取代的C6-C14芳基，C1-C12杂芳基，C7-C18芳烷基或C2-C16杂芳烷基；R16是氢，氰基，卤素，硝基，或是本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种包含基材，记录层和视需要反射层的光学记录介质，其中记录层包含下式化合物＊＊＊　Ｍ是氢，铝或，优选，过渡金属，它可另外与一个或多个其它配体配合和／或，为了平衡掉过多电荷，如果合适，可具有与配位球内部或外部的一个或多个其它离 子的静电相互作用，但结构式（Ⅰｂ）和（Ⅰｃ）中的Ｍ不是氢，Ｑ是Ｃ－Ｈ，Ｎ或Ｃ－Ｒ↓［６］，Ｃ＝Ｑ双键的立体化学可以是Ｅ或Ｚ，Ｒ↓［１］是氢，ＯＲ↓［７］，ＳＲ↓［７］，ＮＨＲ↓［７］，ＮＲ↓［７］Ｒ↓［８］，Ｃ↓［１］－Ｃ↓ ［１２］烷基，Ｃ↓［２］－Ｃ↓［１２］链烯基，Ｃ↓［２］－Ｃ↓［１２］炔基，Ｃ↓［３］－Ｃ↓［１２］环烷基，Ｃ↓［３］－Ｃ↓［１２］环链烯基，Ｃ↓［７］－Ｃ↓［１２］芳烷基，Ｃ↓［２］－Ｃ↓［１１］杂芳烷基，Ｃ↓［６］－Ｃ↓［１０］芳基或Ｃ↓［１］－Ｃ↓［９］杂芳基，Ｒ↓［２］和Ｒ↓［３］相互分别独立地是Ｃ↓［１］－Ｃ↓［１２］烷基，Ｃ↓［２］－Ｃ↓［１２］链烯基，Ｃ↓［２］－Ｃ↓［１２］炔基，Ｃ↓［３］－Ｃ↓［１２］环烷基，Ｃ↓［３］－Ｃ↓［１２］环链烯基，Ｃ↓［７ ］－Ｃ↓［１２］芳烷基，Ｃ↓［２］－Ｃ↓［１１］杂芳烷基，Ｃ↓［６］－Ｃ↓［１０］芳基或Ｃ↓［１］－Ｃ↓［９］杂芳基，Ｒ↓［４］是氰基，ＣＯＲ↓［９］，ＣＯＯＲ↓［７］，ＣＯＮＨ↓［２］，ＣＯＮＨＲ↓［７］，ＣＯＮＲ↓［７］Ｒ↓［８ ］，Ｃ↓［２］－Ｃ↓［１２］烷－１－烯基，Ｃ↓［３］－Ｃ↓［１２］环烷－１－烯基，Ｃ↓［２］－Ｃ↓［１２］烷－１－炔基，Ｃ↓［２］－Ｃ↓［５］杂环烷基，Ｃ↓［３］－Ｃ↓［５］杂环链烯基，Ｃ↓［６］－Ｃ↓［１０］芳基或Ｃ↓［１］－Ｃ↓［９］杂芳基，Ｒ↓［５］是氰基，ＣＯＲ↓［７］，ＣＯＯＲ↓［７］，ＣＯＮＨ↓［２］，ＣＯＮＨＲ↓［７］，ＣＯＮＲ↓［７］Ｒ↓［８］，ＮＨＲ↓［９］，ＮＲ↓［８］Ｒ↓［９］，Ｃ↓［１］－Ｃ↓［１２］烷基，Ｃ↓［２］－Ｃ↓［１２］链烯基，Ｃ↓［ ２］－Ｃ↓［１２］炔基，Ｃ↓［３］－Ｃ↓［１２］环烷基，Ｃ↓［３］－Ｃ↓［１２］环链烯基，Ｃ↓［７］－Ｃ↓［２］芳烷基，Ｃ↓［２］－Ｃ↓［１１］杂芳烷基，Ｃ↓［６］－Ｃ↓［１０］芳基或Ｃ－Ｃ↓［９］杂芳基，Ｒ↓［６］，Ｒ↓［７］和Ｒ ↓［８］相互分别独立地是Ｃ↓［１］－Ｃ↓［１２］烷基，Ｃ↓［２］－Ｃ↓［１２］链烯基，Ｃ↓［２］－Ｃ↓［１２］炔基，Ｃ↓［３］...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】EP 2003-7-22 03102256.9;EP 2003-9-8 03102718.81.一种包含基材，记录层和视需要反射层的光学记录介质，其中记录层包含下式化合物 或 其中M是氢，铝或，优选，过渡金属，它可另外与一个或多个其它配体配合和/或，为了平衡掉过多电荷，如果合适，可具有与配位球内部或外部的一个或多个其它离子的静电相互作用，但结构式(Ib)和(Ic)中的M不是氢，Q是C-H，N或C-R6，C＝Q双键的立体化学可以是E或Z，R1是氢，OR7，SR7，NHR7，NR7R8，C1-C12烷基，C2-C12链烯基，C2-C12炔基，C3-C12环烷基，C3-C12环链烯基，C7-C12芳烷基，C2-C11杂芳烷基，C6-C10芳基或C1-C9杂芳基，R2和R3相互分别独立地是C1-C12烷基，C2-C12链烯基，C2-C12炔基，C3-C12环烷基，C3-C12环链烯基，C7-C12芳烷基，C2-C11杂芳烷基，C6-C10芳基或C1-C9杂芳基，R4是氰基，COR9，COOR7，CONH2，CONHR7，CONR7R8，C2-C12烷-1-烯基，C3-C12环烷-1-烯基，C2-C12烷-1-炔基，C2-C5杂环烷基，C3-C5杂环链烯基，C6-C10芳基或C1-C9杂芳基，R5是氰基，COR7，COOR7，CONH2，CONHR7，CONR7R8，NHR9，NR8R9，C1-C12烷基，C2-C12链烯基，C2-C12炔基，C3-C12环烷基，C3-C12环链烯基，C7-C2芳烷基，C2-C11杂芳烷基，C6-C10芳基或C-C9杂芳基，R6，R7和R8相互分别独立地是C1-C12烷基，C2-C12链烯基，C2-C12炔基，C3-C12环烷基，C3-C12环链烯基，C7-C12芳烷基，C2-C11杂芳烷基，C6-C10芳基或C-C9杂芳基，R1和R2，R1和R6，R2和R3，R2和R7，R3和R6，R4和R5，R4和R6，R4和R7和/或R7和R8可成对地相互键接以形成1，2，3或4碳环或N-，O-/和/或S-杂环环，任何这些环相互独立地，如果合适，用于芳族或杂芳族环上和/或多个N-，O-和/或S-杂环环相互稠合，和N-杂环环中的任何N可未被取代或被R9取代；任何烷基，链烯基，炔基(在每种情况下，如果合适，作为非芳族环的一部分)，环烷基或环链烯基和，如果合适，多个烷基，链烯基，炔基，环烷基和/或环链烯基基团相互独立地是未取代的或被R10单-或多-取代的；而且任何芳基，杂芳基或芳烷基或，如果合适，多个芳基，杂芳基和/或芳烷基基团可相互独立地是未取代的或被R11单-或多-取代的；R9是H，R7，COR7，COOR7，CONH2，CONHR7或CONR7R8；R10是卤素，OH，NH2，NHR12，NR12R13，NHNH2，NHNHR12，NHNR12R13，NR14NH2，NR14NHR12，NR14NR12R13，NHOH，NHOR12，NR14OH，NR14OR12，O-R12，O-CO-R12，S-R12，CO-R12，氧代，硫羰，＝N-R12，＝N-OH，＝N-O-，＝N-OR12，＝N-NH2，＝N-NHR12，＝N-NR12R13，CN，COOH，CONH2，COOR12，CONHR12，CONR12R13，SO2NH2，SO2NHR12，SO2NR12R13，SO2R12，SO3R12或PO(OR12)(OR13)；R11是卤素，NO2，CN，NH2，SH，OH，CHO，R15，OR15，SR15，C(R16)＝CR17R18，O-CO-R19，NHR19，NR19R20，CONH2，CONHR19，CONR19R20，SO2NH2，SO2NHR19，SO2NR19R20，SO2R19，COOH，COOR19，OCOOR19，NHCOR19，NR19COR21，NHCOOR19，NR19COOR21，P(＝O)OR19OR21，P(＝O)R19OR21，P(＝O)R19R21，或是C1-C12烷基，C3-C12环烷基，C2-C12链烯基，C3-C12环链烯基，C1-C12烷基硫代，C3-C12环烷基硫代，C2-C12链烯基硫代，C3-C12环链烯基硫代，C1-C12烷氧基，C3-C12环烷氧基，C2-C12链烯基氧基或C3-C12环链烯基氧基分别未被取代或被一个或多个，如果合适，相同的或不同的，R10基团取代；R12，R13和R14相互分别独立地是C1-C12烷基，C3-C12环烷基，C2-C12链烯基，C3-C12环链烯基，C6-C14芳基，C1-C12杂芳基，C7-C18芳烷基或C2-C16杂芳烷基；或R12和R13，与共有的N一起，是分别未取代的或被C1-C4烷基单-至四-取代的吡咯烷，哌啶，哌嗪或吗啉；R15是分别未被取代或被一个或多个，如果合适，相同的或不同的，R22基团取代的C6-C14芳基，C1-C12杂芳基，C7-C18芳烷基或C2-C16杂芳烷基；R16是氢，氰基，卤素，硝基，或是分别未被取代或被一个或多个，如果合适，相同的或不同的，卤素，羟基，C1-C12烷氧基或C3-C12环烷氧基基团取代的C1-C12烷基，C3-C12环烷基，C2-C12链烯基或C3-C12环链烯基，或是分别未被取代或被一个或多个，如果合适，相同的或不同的，R...

【专利技术属性】
技术研发人员：F比内瓦尔德，JL布德里，B施密德哈尔特，A沃勒，H沃勒，
申请(专利权)人：西巴特殊化学品控股有限公司，
类型：发明
国别省市：CH[瑞士]