集成电路制造技术

揭示了一种集成电路，包括在第一层中设置且在第一方向上延伸的第一导电图案及第二导电图案、在与第一层不同的第二层中设置的至少一个第一导电区段、及在第一层与第二层之间设置的至少一个通孔。在集成电路的输出节点处，至少一个通孔在至少一个第一导电区段与第一导电图案及第二导电图案中的一者或两者之间耦接。至少一个通孔包含锥形形状，此锥形形状具有从第一宽度减小到与第一宽度相比较窄的第二宽度的宽度。至少一个通孔的第一宽度大于第一导电图案及第二导电图案的宽度。

【技术实现步骤摘要】
集成电路
本案是关于一种集成电路，特别是一种具有不同宽度的通孔的集成电路。
技术介绍
集成电路已经广泛地用于各个种类的应用，并且对较快处理速度及较低功率消耗的需求增加。然而，内部电阻及电容影响集成电路的效能。因此，对集成电路布局设计的最佳化通过数种方法来实现，此集成电路布局设计包括各个特征层，如主动区域、栅电极、及/或各个导电结构层。
技术实现思路
根据本案的一实施例，揭示了一种集成电路，包括在第一层中设置且在第一方向上延伸的第一导电图案及第二导电图案、在与第一层不同的第二层中设置的至少一个第一导电区段、及在第一层与第二层之间设置的至少一个通孔。在集成电路的输出节点处，至少一个通孔在至少一个第一导电区段与第一导电图案及第二导电图案中的一者或两者之间耦接。至少一个通孔包含锥形形状，此锥形形状具有从第一宽度减小到与第一宽度相比较窄的第二宽度的宽度。至少一个通孔的第一宽度大于第一导电图案及第二导电图案的宽度。附图说明结合随附附图阅读时，将根据以下详细描述很好地理解本揭示案的一实施例的态样。应注意，根据工业中的标准惯例，各个特征并非按比例绘制。事实上，出于论述清晰的目的，可任意增大或减小各个特征的尺寸。图1是根据一实施例的集成电路的部分的等效电路；图2是根据一实施例的图1的集成电路的部分的横截面图；图3A是根据一实施例的集成电路的部分的平面视图中的布局图，且图3B是图3A中的集成电路的布局图的透视图；图4A是根据一实施例的集成电路的部分的平面视图中的布局图，且图4B是由图4A中的集成电路的布局图中的虚线圈出的部分的透视图；图5A是根据一实施例的集成电路的部分的平面视图中的布局图，且图5B是由图5A中的集成电路的布局图中的虚线圈出的部分的透视图；图6A是根据一实施例的集成电路的部分的平面视图中的布局图，且图6B是由图6A中的集成电路的布局图中的虚线圈出的部分的透视图；图7A是根据一实施例的集成电路的部分的平面视图中的布局图，且图7B是由图7A中的集成电路的布局图中的虚线圈出的部分的透视图；图8A是根据一实施例的集成电路的部分的平面视图中的布局图，且图8B是由图8A中的集成电路的布局图中的虚线圈出的部分的透视图；图9A是根据一实施例的集成电路的部分的平面视图中的布局图，且图9B是由图9A中的集成电路的布局图中的虚线圈出的部分的布局图的透视图；图10是根据本揭示案的一些实施例的产生用于制造集成电路的布局设计的方法的流程图；图11是根据本揭示案的一些实施例的用于设计集成电路布局设计的系统的方块图；图12是根据一些实施例的集成电路制造系统及与其相关联的集成电路制造流程的方块图。【符号说明】100:集成电路I:输入节点M1-M2:晶体管R1-R2:电阻器VSS,VDD:ZN:输出节点110:基板120a:扩散区域(或主动区域)120b:扩散区域(或主动区域)130:导电图案140:通孔150a:金属零(M0)区段150b:金属零(M0)区段150c:金属零(M0)区段160a:通孔160b:通孔170:金属一区段300:集成电路310a:导电图案310b:导电图案311:导电图案311a:导电图案311b:导电图案312a:导电图案312b:导电图案313:导电图案313a:导电图案313b:导电图案314a:导电图案314b:导电图案320:通孔321:通孔322:通孔322a:通孔322b:通孔330:电力轨图案331:电力轨图案340:导电区段341(340):导电区段342(340):导电部分342a(340):导电部分342b:导电部分343(340):导电部分343a(340):导电部分343b:导电部分344:导电部分344(340):导电部分345:导电部分345(340):导电部分350:栅极351:栅极352:栅极360:主动区361:主动区362:主动区363:主动区370:切割层380a:通孔380b:通孔390:导电区段400:集成电路500:集成电路600:集成电路700:集成电路800:集成电路900:集成电路1000:方法1002:初始布局设计1010:步骤1020:步骤1030:步骤1040:步骤1042:经修改布局设计1050:步骤1060:步骤1100:电子设计自动化(EDA)系统1110:I/O接口1120:硬件处理器、处理器1130:网络接口1140:网络1150:总线1160:非暂时性、计算机可读取储存媒体、记忆体1161:计算机程序码(指令)1162:程序库、标准单元程序库包括：标准单元1163:使用者界面(UI)1170:制造工具1200:IC制造系统1210:设计室1211:IC设计布局图1220:遮罩室1221:数据准备1222:遮罩制造1223:遮罩1230:IC制造商/生产商(“fab”)1232:晶圆制造1233:半导体晶圆、晶圆1240:IC装置具体实施方式以下揭示内容提供诸多不同实施例或实例，以便实施所提供标的的不同特征。下文描述部件及布置的具体实例以简化本揭示案的一实施例。当然，此些仅为实例且并不意欲为限制性。例如，以下描述中在第二特征上方或第二特征上形成第一特征可包括以直接接触形成第一特征及第二特征的实施例，且亦可包括在第一特征与第二特征之间形成额外特征以使得第一特征及第二特征可不处于直接接触的实施例。此外，本揭示案可在各个实例中重复元件符号及/或字母。此重复是出于简便性及清晰的目的且本身并不指示所论述的各个实施例及/或构造之间的关系。在本说明书中使用的术语通常具有其在本领域中及在使用每个术语的具体上下文中的一般意义。在本说明书中使用实例(包括本文论述的任何术语的实例)仅是说明性的，并且不以任何方式限制本揭示或任何示例性术语的范畴及意义。同样，本揭示案的一实施例不限于本说明书中给出的各个实施例。另外，为了便于描述，本文可使用空间相对性术语(诸如“下方”、“之下”、“下部”、“之上”、“上部”及类似者)来描述如诸图中所示出的一个元件或特征与另一元件或特征的关系本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种集成电路，其特征在于，包含：/n一第一导电图案及一第二导电图案，在一第一层中设置且在一第一方向上延伸；/n至少一个第一导电区段，在与该第一层不同的一第二层中设置；及/n至少一个通孔，在该第一层与该第二层之间设置，其中在该集成电路的一输出节点处，该至少一个通孔在该至少一个第一导电区段与该第一导电图案及该第二导电图案中的一者或两者之间耦接，/n其中该至少一个通孔包含一锥形形状，该锥形形状具有从一第一宽度减小到与该第一宽度相比较窄的一第二宽度的一宽度；/n其中该至少一个通孔的该第一宽度大于该第一导电图案及该第二导电图案的宽度。/n

【技术特征摘要】
20200211 US 16/787,9641.一种集成电路，其特征在于，包含：
一第一导电图案及一第二导电图案，在一第一层中设置且在一第一方向上延伸；
至少一个第一导电区段，在与该第一层不同的一第二层中设置；及
至少一个通孔，在该第一层与该第二层之间设置，...

【专利技术属性】
技术研发人员：赖柏嘉，方上维，沈孟弘，曾健庭，江庭玮，杨荣展，鲁苏·斯帝芬，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71