电感器结构及形成其的方法技术

本发明专利技术的一部分涉及一种电感器结构及形成其的方法，所述电感器结构包括：刻蚀停止层，布置在内连结构之上，内连结构上覆在衬底上。磁性结构包括布置在刻蚀停止层之上的多个堆叠层。磁性结构包括比最顶层宽的最底层。第一导电配线与第二导电配线在磁性结构之上平行地延伸。磁性结构被配置成修改由第一导电配线及第二导电配线产生的磁场。图案增强层布置在磁性结构的最底层与刻蚀停止层之间。图案增强层具有第一厚度，且磁性结构的最底层具有小于第一厚度的第二厚度。

【技术实现步骤摘要】
电感器结构及形成其的方法
本专利技术实施例涉及一种电感器结构及形成其的方法。
技术介绍
集成电路(integratedcircuit，IC)是位于半导体材料的片段上的电子组件的总成。集成电路中广泛使用的电子组件是电感器。电感器是无源元件，当电流流经电感器时，所述无源元件在磁场中存储电能。电感器是多功能装置，除此之外，所述电感器可用于电阻器-电感器(resistor-inductor，RL)滤波器、电感器-电容器(inductor-capacitor，LC)电路、电阻器-电感器-电容器(resistor-inductor-capacitor，RLC)电路、电源、变压器以及许多其他电路组件。
技术实现思路
本专利技术实施例提供一种电感器结构包括：刻蚀停止层，布置在内连结构之上，所述内连结构上覆在衬底上；磁性结构，包括布置在所述刻蚀停止层之上的多个堆叠层，所述磁性结构包括比最顶层宽的最底层；第一导电配线与第二导电配线，在所述磁性结构之上平行地延伸，其中所述磁性结构被配置成修改由所述第一导电配线及所述第二导电配线产生的磁场；以及图案增强层，布置在所述磁性结构的所述最底层与所述刻蚀停止层之间，其中所述图案增强层具有第一厚度，且其中所述磁性结构的所述最底层具有小于所述第一厚度的第二厚度。本专利技术实施例提供一种电感器结构包括：内连结构，设置在半导体衬底之上；第一刻蚀停止层，布置在所述内连结构之上；第一磁性结构，布置在所述第一刻蚀停止层之上，所述第一磁性结构包括位于最下钽层与最顶氧钴锌钽层之间的钴锌钽层；一条或多条导电配线，设置在所述第一磁性结构之上且界定电感器；以及图案增强层，布置在所述最下钽层与所述第一刻蚀停止层之间。本专利技术实施例提供一种形成电感器结构的方法，包括：在第一刻蚀停止层之上形成第一图案增强层；在所述第一图案增强层之上形成磁性结构，其中所述磁性结构包括氧钴锌钽(OCZT)材料层、钽材料层、及钴锌钽(CZT)材料层，其中所述第一图案增强层直接接触所述钽材料层中的一者；以及移除所述磁性结构的外围部分及所述第一图案增强层的外围部分，其中在第一刻蚀工艺中通过相同的刻蚀剂刻蚀所述磁性结构与所述第一图案增强层。附图说明当结合附图阅读时，自以下详细说明最好地理解本专利技术的各个方面。应注意，根据本行业中的标准惯例，各种特征并非按比例绘制。事实上，为使论述清晰起见，可任意增大或减小各种特征的尺寸。图1A到图1B示出电感器结构的一些实施例的剖视图，所述电感器结构具有位于第一刻蚀停止层与第一磁性屏蔽结构(magneticshieldingstructure)之间的第一图案增强层。图2到图4示出位于第一刻蚀停止层与第一磁性屏蔽结构之间的第一图案增强层的一些附加实施例的剖视图。图5示出电感器结构的一些附加实施例的剖视图，所述电感器结构具有位于第一刻蚀停止层与第一磁性屏蔽结构之间的第一图案增强层，且具有位于第二刻蚀停止层与第二磁性屏蔽结构之间的第二图案增强层。图6示出具有第一图案增强层以及第二磁性屏蔽结构的电感器结构的一些附加实施例的剖视图，第一图案增强层位于第一磁性屏蔽结构下方，第二磁性屏蔽结构具有在第二磁性屏蔽结构的最顶部分下方凹陷的中心部分。图7示出具有第二图案增强层的电感器结构的一些附加实施例的剖视图，第二图案增强层位于第二磁性屏蔽结构与第二刻蚀停止层之间，其中第二图案增强层具有在第二图案增强层的最顶部分下方凹陷的中心部分。图8A及图8B示出电感器结构的一些实施例的各种视图，所述电感器结构具有第一图案增强层且通过接触通孔耦合到内连结构。图9到图20示出形成电感器结构的方法的一些实施例的剖视图，所述电感器结构具有位于第一刻蚀停止层与第一磁性屏蔽结构之间的第一图案增强层。图21示出图9到图20中所示方法的一些实施例的流程图。[符号的说明]100A、100B、200、300、400、500、600、700、800B、900、1000、1100A、1100B、1100C、1100D、1100E、1100F、1100G、1200、1300、1400、1500、1600、1700、1800、1900、2000：剖视图102：第一钝化层104：第一阻挡层106：第一刻蚀停止层108：第一图案增强层110：第一磁性结构110a：第一层组/层组110b：第二层组/层组110c：第三层组/层组110L：最下层110t：最顶层112：第二阻挡层114：第一导电配线116：第二导电配线118：介电结构118c、126c、508c：中心部分118t、126t、508t：最顶部分120：第一隔离层122：第三阻挡层124：第二刻蚀停止层126：第二磁性结构128：衬底130：半导体装置130a：源极/漏极区130b：栅极电极130c：栅极介电层140：内连结构142：内连配线144：内连通孔146：内连介电结构162：钽层164：钴锌钽(CZT)层166：氧-CZT(OCZT)层302：第一界面304：上钽层508：第二图案增强层508s：最外侧壁800A：俯视图802：内连钝化层804a：第一接触通孔804b：第二接触通孔806a：第三接触通孔806b：第四接触通孔808：接触层812：隔离结构902：第一图案增强材料904：钽材料904b：最底钽层904i：中间钽层904t：最顶钽层906：钴锌钽(CZT)材料906b：最底CZT层906i：中间CZT层906t：最顶CZT层908：氧-CZT(OCZT)材料908b：最底OCZT层908i：中间OCZT层908t：最顶OCZT层1002：第一掩膜层1102：湿刻蚀剂1104：第一区域1106：OCZT残留物1108：第二区域1202：晶种层1802：第二图案增强材料2100：方法2102、2104、2106、2108、2110、2112、2114、2116、2118：动作A：框BB’：线t1：第一厚度t2：第二厚度t3：第三厚度t4：第四厚度t5：第五厚度w1：第一宽度w2：第二宽度w3：第三宽度w4：第四宽度具体实施方式以下公开内容提供用于实施所提供主题的不同特征的许多不同实施例或实例。以下阐述组件及布置的具体实例以简化本专利技术。当然，这些仅为实例且不旨在进行限制。举例来说，以下说明中将第本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种电感器结构，包括：/n刻蚀停止层，布置在内连结构之上，所述内连结构上覆在衬底上；/n磁性结构，包括布置在所述刻蚀停止层之上的多个堆叠层，所述磁性结构包括比最顶层宽的最底层；/n第一导电配线与第二导电配线，在所述磁性结构之上平行地延伸，其中所述磁性结构被配置成修改由所述第一导电配线及所述第二导电配线产生的磁场；以及/n图案增强层，布置在所述磁性结构的所述最底层与所述刻蚀停止层之间，其中所述图案增强层具有第一厚度，且其中所述磁性结构的所述最底层具有小于所述第一厚度的第二厚度。/n

【技术特征摘要】
20200527 US 16/884,3191.一种电感器结构，包括：
刻蚀停止层，布置在内连结构之上，所述内连结构上覆在衬底上；
磁性结构，包括布置在所述刻蚀停止层之上的多个堆叠层，所述磁性结构包括比最顶层宽的最底层；
第一导电配线与第二导电配线，在所述磁性结构之上平行地延伸，其中所述磁性结构被配置成修改由所述第一导电配线及所述第二导电配线产生的磁场；以及
图案增强层，布置在所述磁性结构的所述最底层与所述刻蚀停止层之间，其中所述图案增强层具有第一厚度，且其中所述磁性结构的所述最底层具有小于所述第一厚度的第二厚度。


2.根据权利要求1所述的电感器结构，其中所述图案增强层具有包含少于10％的氧的组成。


3.根据权利要求1所述的电感器结构，其中所述图案增强层包含以下中的一者或多者：钽、氮化硅、钛、钨、镍、锆、硅锗、锡、铌、钒或铟锑。


4.根据权利要求1所述的电感器结构，其中所述磁性结构的所述最顶层包含氧钴锌钽，且其中所述图案增强层的刻蚀速率快于所述磁性结构的所述最顶层。


5.一种电感器结构，包括：
内连结构，设置在半导体衬底之上；
第一刻蚀停止层，布置在所述内连结构之上；
第一磁性结构，布置在所述第一刻蚀停止层之上，所述第一磁性结构包括位于最下钽层与最顶氧钴锌钽层之间的钴锌钽层；
一条或多条导电配线，设置在所述第一磁性结构之上且界定电感器；以及
图案增强层，布置在所述最下钽层与所述第一刻蚀停止层之间。


6.根据权利要求5所述的电感器结构，其中所述图案增强层在暴露到湿刻蚀剂时具有第一刻蚀速率，其中所述最顶氧钴锌钽层在暴露到所述湿刻蚀剂时具有第二刻蚀速率，且其中所述第一刻蚀速率大于所述第二刻蚀速率。

【专利技术属性】
技术研发人员：徐鸿文，黄柏翰，黄伟立，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71