半导体器件制造技术

本公开提供一种半导体器件，包括有源区和位于所述有源区上方的下电极阵列；其中，所述下电极阵列包括若干间隔设置的下电极；设置于所述下电极周围的支撑结构；覆盖所述第一介电层表面并延伸至所述有源区边缘的上电极；其中，所述上电极在所述下电极阵列侧壁于所述支撑结构位置处形成上电极凸起；位于所述上电极凸起远离所述下电极阵列的一侧并延伸至所述第二介电层内部的第一接触孔；其中，所述第一接触孔的侧壁与所述上电极凸起接触。通过在下电极阵列的一侧形成第一接触孔(电容器接触孔)，深度大大增加，工艺难度降低，且该接触孔的侧壁与所述上电极凸起接触，接触面积增大，使得接触电阻减小，器件性能得到提升。

【技术实现步骤摘要】
半导体器件
本公开涉及半导体器件
，具体涉及一种半导体器件。
技术介绍
随着半导体技术的不断发展，对半导体集成电路中电容器的性能要求也越来越高，例如，需要在有限的面积内所形成的电容器可以具备更大的电容。一种解决方案为，通过增加电容器中的下电极的高度，以增大下电极和电容介质层之间的接触面积，从而使所形成的电容器具有较大的电容。然而，随着下电极高度的增加，使得电容器上方的接触孔(浅孔)与外围区的接触孔(深孔)的深度差越来越大，深度差的增大，导致电容器接触孔和外围区接触孔的同步刻蚀工艺难度增大，不仅刻蚀过程中刻蚀选择比难以确定，而且刻蚀得到的电容器接触孔的孔径比外围接触孔的孔径小，电容器接触孔的孔径较小，会产生较大的接触电阻，影响电容器的性能。
技术实现思路
针对上述问题，本公开提供了一种半导体器件，解决了现有技术中电容器上方的接触孔太浅导致接触电阻较大的技术问题。本公开提供一种半导体器件，包括：有源区和位于所述有源区上方的下电极阵列；其中，所述下电极阵列包括若干间隔设置的下电极；设置于所述下电极周围的支撑结构；覆盖所述下电极表面、所述支撑结构表面并延伸至所述有源区边缘的第一介电层；覆盖所述第一介电层表面并延伸至所述有源区边缘的上电极，以及覆盖所述上电极表面的第二介电层；其中，所述上电极在所述下电极阵列侧壁于所述支撑结构位置处形成上电极凸起；位于所述上电极凸起远离所述下电极阵列的一侧并延伸至所述第二介电层内部的第一接触孔；其中，所述第一接触孔的侧壁与所述上电极凸起接触。根据本公开的实施例，可选地，上述半导体器件中，所述第一接触孔的侧壁位于所述上电极凸起内部。根据本公开的实施例，可选地，上述半导体器件中，所述第一接触孔贯穿所述第二介电层，且所述第一接触孔的底部与其下方的所述上电极接触。根据本公开的实施例，可选地，上述半导体器件中，所述第一接触孔贯穿所述第二介电层以及所述第一接触孔下方的所述上电极。根据本公开的实施例，可选地，上述半导体器件中，所述支撑结构包括位于所述下电极顶部位置的顶部支撑结构和至少一个位于所述下电极中间位置的中间支撑结构。根据本公开的实施例，可选地，上述半导体器件中，所述上电极包括：覆盖所述第一介电层表面的上电极接触层；覆盖所述上电极接触层表面的上电极填充层；覆盖所述上电极填充层表面的上电极连接层。根据本公开的实施例，可选地，上述半导体器件中，所述第二介电层包括填充于所述上电极凸起远离所述下电极阵列的一侧的第一子介电层，以及覆盖所述下电极阵列上方的所述上电极表面和所述第一子介电层表面的第二子介电层。根据本公开的实施例，可选地，上述半导体器件中，所述第一子介电层的表面与所述下电极阵列上方的所述上电极表面相平齐。根据本公开的实施例，可选地，上述半导体器件中，还包括：填充于所述第一接触孔内的第一接触塞。根据本公开的实施例，可选地，上述半导体器件中，还包括：位于所述有源区周围的外围区；位于所述外围区上方并贯穿所述第二介电层的第二接触孔。根据本公开的实施例，可选地，上述半导体器件中，还包括：填充于所述第二接触孔内的第二接触塞。与现有技术相比，上述方案中的一个或多个实施例可以具有如下优点或有益效果：本公开提供一种半导体器件，包括有源区和位于所述有源区上方的下电极阵列；其中，所述下电极阵列包括若干间隔设置的下电极；设置于所述下电极周围的支撑结构；覆盖所述第一介电层表面并延伸至所述有源区边缘的上电极；其中，所述上电极在所述下电极阵列侧壁于所述支撑结构位置处形成上电极凸起；位于所述上电极凸起远离所述下电极阵列的一侧并延伸至所述第二介电层内部的第一接触孔；其中，所述第一接触孔的侧壁与所述上电极凸起接触。通过在下电极阵列的一侧形成第一接触孔(电容器接触孔)，深度大大增加，工艺难度降低，且该接触孔的侧壁与所述上电极凸起接触，接触面积增大，使得接触电阻减小，器件性能得到提升。附图说明附图是用来提供对本公开的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与下面的具体实施方式一起用于解释本公开，但并不构成对本公开的限制。在附图中：图1是本公开一示例性实施例示出的一种半导体器件的剖面结构示意图；图2是本公开一示例性实施例示出的另一种半导体器件的剖面结构示意图；图3是本公开一示例性实施例示出的另一种半导体器件的剖面结构示意图；图4是本公开一示例性实施例示出的另一种半导体器件的剖面结构示意图；图5是本公开一示例性实施例示出的另一种半导体器件的剖面结构示意图；图6是本公开一示例性实施例示出的另一种半导体器件的剖面结构示意图；在附图中，相同的部件使用相同的附图标记，附图并未按照实际的比例绘制；其中，附图标记如下：110-有源区；120-外围区；101-下电极；102-支撑结构；103-第一介电层；104-上电极；1041-上电极接触层；1043-上电极接触层；1043-上电极填充层；1044-上电极连接层；105-第一子介电层；106-第二子介电层；1071-第一接触孔；1072-第一接触塞；1081-第二接触孔；1082-第二接触塞。具体实施方式以下将结合附图及实施例来详细说明本公开的实施方式，借此对本公开如何应用技术手段来解决技术问题，并达到相应技术效果的实现过程能充分理解并据以实施。本公开实施例以及实施例中的各个特征，在不相冲突前提下可以相互结合，所形成的技术方案均在本公开的保护范围之内。在附图中，为了清楚，层和区的尺寸以及相对尺寸可能被夸大。自始至终相同附图标记表示相同的元件。应理解，尽管可使用术语“第一”、“第二”、“第三”等描述各种元件、部件、区、层和/或部分，这些元件、部件、区、层和/或部分不应当被这些术语限制。这些术语仅仅用来区分一个元件、部件、区、层或部分与另一个元件、部件、区、层或部分。因此，在不脱离本公开教导之下，下面讨论的第一元件、部件、区、层或部分可表示为第二元件、部件、区、层或部分。应理解，空间关系术语例如“在...上方”、位于...上方”、“在...下方”、“位于...下方”等，在这里可为了方便描述而被使用从而描述图中所示的一个元件或特征与其它元件或特征的关系。应当明白，除了图中所示的取向以外，空间关系术语意图还包括使用和操作中的器件的不同取向。例如，如果附图中的器件翻转，然后，描述为“在其它元件下方”的元件或特征将取向为在其它元件或特征“上”。因此，示例性术语“在...下方”和“在...下”可包括上和下两个取向。器件可以另外地取向(旋转90度或其它取向)并且在此使用的空间描述语相应地被解释。在此使用的术语的目的仅在于描述具体实施例并且不作为本公开的限制。在此使用时，单数形式的“一”、“一个”和“所述/该”也意图包括复数形式，除非上下文清楚指出另外的方式。还应明白术语“组成”和/或“本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：/n有源区和位于所述有源区上方的下电极阵列；其中，所述下电极阵列包括若干间隔设置的下电极；/n设置于所述下电极周围的支撑结构；/n覆盖所述下电极表面、所述支撑结构表面并延伸至所述有源区边缘的第一介电层；/n覆盖所述第一介电层表面并延伸至所述有源区边缘的上电极，以及覆盖所述上电极表面的第二介电层；其中，所述上电极在所述下电极阵列侧壁于所述支撑结构位置处形成上电极凸起；/n位于所述上电极凸起远离所述下电极阵列的一侧并延伸至所述第二介电层内部的第一接触孔；其中，所述第一接触孔的侧壁与所述上电极凸起接触。/n

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：
有源区和位于所述有源区上方的下电极阵列；其中，所述下电极阵列包括若干间隔设置的下电极；
设置于所述下电极周围的支撑结构；
覆盖所述下电极表面、所述支撑结构表面并延伸至所述有源区边缘的第一介电层；
覆盖所述第一介电层表面并延伸至所述有源区边缘的上电极，以及覆盖所述上电极表面的第二介电层；其中，所述上电极在所述下电极阵列侧壁于所述支撑结构位置处形成上电极凸起；
位于所述上电极凸起远离所述下电极阵列的一侧并延伸至所述第二介电层内部的第一接触孔；其中，所述第一接触孔的侧壁与所述上电极凸起接触。


2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第一接触孔的侧壁位于所述上电极凸起内部。


3.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第一接触孔贯穿所述第二介电层，且所述第一接触孔的底部与其下方的所述上电极接触。


4.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第一接触孔贯穿所述第二介电层以及所述第一接触孔下方的所述上电极。


5.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述支撑结构包括位于所述下电极顶部位置的顶...

【专利技术属性】
技术研发人员：蔡佩庭，
申请(专利权)人：福建省晋华集成电路有限公司，
类型：新型
国别省市：福建;35