【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种半导体结构，特别涉及一种包括分别设置在隔离结构上以及设置在有源区上的插塞结构的半导体结构。
技术介绍
1、动态随机存取存储器(dynamic random access memory,dram)属于一种挥发性存储器，包括由多个存储单元(memory cell)构成的阵列区(array region)以及由控制电路构成的周边区(peripheral area)。各个存储单元是由一个晶体管(transistor)以及与所述晶体管电性连接的一个电容(capacitor)构成，由所述晶体管控制所述电容中的电荷的存储或释放，来达到存储资料的目的。控制电路通过横跨阵列区并且与各个存储单元电性连接的字线(word line,wl)与位线(bit line,bl)，可定址至各个存储单元来控制各个存储单元的资料的存取。
2、为了获得更高集密度的芯片，存储单元的结构已朝向三维(three-dimensional)发展，例如采用埋入式字线连接(buried wordline)以及堆叠式电容(stacked capacitor)技...
【技术保护点】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述插塞结构的其中至少一个位于所述隔离结构的边缘上。
3.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述绝缘结构位于所述隔离结构上的部分的底部延伸至所述隔离结构中的不同深度处。
4.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，还包括：
5.如权利要求4所述的半导体结构，其特征在于，所述位线接点的顶面位于第一高度，所述孤立插塞结构的顶面位于第二高度，所述位线接点的底面位于第三高度，所述第二高度介于所述第一高度和所述第三高度之间。
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