一种锑基薄膜退火方法、锑基薄膜太阳能电池制作方法及锑基薄膜退火装置制造方法及图纸

技术编号:41578785 阅读:38 留言:0更新日期:2024-06-06 23:55
本发明专利技术公开了一种锑基薄膜退火方法、锑基薄膜太阳能电池制作方法及锑基薄膜退火装置,包括;将锑基薄膜置于箱体内,向所述箱体内输入第一气体,以使所述锑基薄膜处于所述第一气体中;所述第一气体包括保护气体和/或还原气体;将锑基薄膜的温度在第一时间段内提升至第一温度;将所述锑基薄膜的温度控制在所述第一温度持续第二时间段;将所述锑基薄膜的温度从所述第一温度冷却至第二温度;其中,所述第一时间段小于或等于60s;所述第一温度在300‑600℃之间;所述第二时间段在5‑15min之间。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及太阳能电池,具体涉及一种锑基薄膜退火方法、锑基薄膜太阳能电池制作方法及锑基薄膜退火装置


技术介绍

1、基于太阳能电池的发展现状,为了满足国家对新能源的需求,锑基薄膜原材料由于其简单的组成和合适的电学性能,具有稳定性良好、不含稀有及剧毒元素、光电性质优异的特点,在光伏行业中兴起。由于锑基薄膜吸收层是锑基薄膜太阳能电池的关键部件,锑基薄膜的质量对太阳能电池的运行至关重要。

2、因此,如何提高锑基薄膜的质量成为本领域技术人员亟需解决的技术问题。


技术实现思路

1、本专利技术的目的是提供一种锑基薄膜退火方法、锑基薄膜太阳能电池制作方法及锑基薄膜退火装置;其可以有效减少锑基薄膜的缺陷引起的复合与氧元素的吸附,降低电池器件的串联电阻,有效提高锑基薄膜的导电性;并且提高锑基薄膜的结晶度,提升锑基薄膜的质量,提升器件效率。

2、为了实现上述目的,本专利技术采取如下技术方案:

3、本专利技术提供了一种锑基薄膜的退火方法,包括:

4、将锑基薄膜置于箱体内,向所述箱体本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种锑基薄膜的退火方法,其特征在于,包括:

2.如权利要求1所述的锑基薄膜的退火方法,其特征在于,所述第一时间段在25-35s之间,所述第一温度在400-500℃之间,所述第二时间段在5-7min之间。

3.如权利要求1所述的锑基薄膜的退火方法,其特征在于,所述还原气体为氢气、硒化氢、硫化氢、硒蒸汽或硫蒸气;和/或,

4.如权利要求1所述的锑基薄膜的退火方法,其特征在于,所述向所述箱体内输入第一气体,具体包括:持续所述箱体内输入所述第一气体,并排出所述箱体内的气体,以使所述锑基薄膜处于流动的所述第一气体中。

5.如权利要求4所述的锑基薄...

【技术特征摘要】

1.一种锑基薄膜的退火方法,其特征在于,包括:

2.如权利要求1所述的锑基薄膜的退火方法,其特征在于,所述第一时间段在25-35s之间,所述第一温度在400-500℃之间,所述第二时间段在5-7min之间。

3.如权利要求1所述的锑基薄膜的退火方法,其特征在于,所述还原气体为氢气、硒化氢、硫化氢、硒蒸汽或硫蒸气;和/或,

4.如权利要求1所述的锑基薄膜的退火方法,其特征在于,所述向所述箱体内输入第一气体,具体包括:持续所述箱体内输入所述第一气体,并排出所述箱体内的气体,以使所述锑基薄膜处于流动的所述第一气体中。

5.如权利要求4所述的锑基薄膜的退火方法,其特征在于,所述第一气体的输入流量设置为1-3l/min。

6.一种锑基薄膜太阳能电池制作方法,其特征在于,包括:

7.如权利要求6所述的...

【专利技术属性】
技术研发人员:李刚李月含韩文轩宋建民曾浩宇
申请(专利权)人:河北农业大学
类型:发明
国别省市:

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