【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体，提供了一种半导体结构及其制造方法，更具体言之，提供了一种具有对准标记的半导体结构及其制造方法。
技术介绍
1、现代集成电路的制造过程中需要将不同的掩膜图形重叠在晶圆上，根据工艺的不同，其可能会进行多达数十次以上的掩膜重叠步骤。光刻工序即是半导体生产中形成掩膜的过程，为了确保后续的半导体图案形成在相对于前层图案而言正确的相对位置，每一层的掩膜图形都需要与前层准确重叠，称之为套刻(overlay)，即代表前一光刻工艺形成的层次和当前光刻工艺层次的重叠质量的好坏指标。
2、现有的套刻检查方法主要是透过套刻测试设备测试特定的套刻标记(或称之为对准标记)来判断前后两个光刻层次重叠的好坏。用于套刻测试设备量测的套刻标记一般是由矩形或正方形的图形所组成。在两个光刻层次中分别设计一个套刻图形，其中较小的套刻图形设计成可正好嵌套在较大的套刻图形中，测量两个图形对应边之间的距离并进行计算即可得到其套刻相关的数值。
技术实现思路
1、本申请提出了一种具有对准标记的半导体结构及其制作...
【技术保护点】
1.一种半导体结构，其特征在于，包含：
2.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述沟槽包含一第一沟槽以及一第二沟槽，所述第一沟槽中的所述对准标记的顶面高于所述第二沟槽中的所述对准标记的顶面。
3.如权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述栅极图案包括位于所述第一沟槽上的第一栅极图案和位于所述第二沟槽上的第二栅极图案。
4.如权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，所述第一沟槽上的所述第一栅极图案包含一第一部分以及一第二部分，所述第一部分和所述第二部分分别位于所述对准标记的两端且分别与所述第一沟槽的侧壁相距第一距离和第二距
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【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，其特征在于，包含：
2.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述沟槽包含一第一沟槽以及一第二沟槽，所述第一沟槽中的所述对准标记的顶面高于所述第二沟槽中的所述对准标记的顶面。
3.如权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述栅极图案包括位于所述第一沟槽上的第一栅极图案和位于所述第二沟槽上的第二栅极图案。
4.如权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，所述第一沟槽上的所述第一栅极图案包含一第一部分以及一第二部分，所述第一部分和所述第二部分分别位于所述对准标记的两端且分别与所述第一沟槽的侧壁相距第一距离和第二距离。
5.如权利要求4所述的半导体结构，其特征在于，所述第一部分以及所述第二部分分别具有第一宽度和第二宽度，所述第二栅极图案具有第三宽度，所述第一宽度和所述第二宽度均小于所述第三宽度。
6.如权利要求4所述的半导体结构，其特征在于，所述第二沟槽上的所述第二栅极图案位于所述对准标记的中间且与所述第二沟槽的侧壁相距一第三距离。
7.如权利要求6所述的半导体结构，其特征在于，所述第三距离小于所述第一距离和所述第二距离。
8.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述栅极图案还包含一半导体部以及一硬掩模部，所述半导体部、所述金属部以及所述硬掩模部顺序堆叠在所述对准标记上。
9.如权利要求8所述的半导体结构，其特征在于，所述硬掩模部的顶面高于所述沟槽的顶面。
10.一种半导体结构的制造方法，其特征在于，包含：
11.如权利要求10所述的半导体结...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘越，刘利晨，夏忠平，
申请(专利权)人：福建省晋华集成电路有限公司，
类型：发明
国别省市：
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