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本申请公开了一种半导体结构及其制造方法，该半导体结构包含一衬底、一沟槽位于该衬底中、一对准标记位于该沟槽中、以及栅极图案位于该对准标记上，该栅极图案包含一金属部，其中该金属层的顶面低于该沟槽的顶面。...
该专利属于福建省晋华集成电路有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过福建省晋华集成电路有限公司授权不得商用。

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