存储器制造技术

本实用新型专利技术提供了一种存储器，第一支撑层横向支撑第一电极的侧壁的顶部，且所述第一支撑层包括掺碳的第一绝缘层及不掺碳的第二绝缘层，所述第一绝缘层位于所述第二绝缘层上，掺碳的第一绝缘层具有较好的抗刻蚀能力，能够降低制备存储器时所述第一支撑层被其他刻蚀工艺破坏的程度，也即只有所述第一支撑层顶部被破坏，而所述第一支撑层的底部是完好的，可以保证所述第一支撑层的支撑效果；并且，虽然所述第一绝缘层掺碳会造成漏电，但是只有所述第一绝缘层掺碳，所述第二绝缘层是不掺碳的，相对现有技术可降低漏电情况，进而提高存储器的性能。

【技术实现步骤摘要】
存储器
本技术涉及半导体制造
，尤其涉及一种存储器。
技术介绍
动态随机存取存储器(dynamicrandomaccessmemory，以下简称为DRAM)为一种挥发性(volatile)存储器，是许多电子产品中不可或缺的关键元件。DRAM是由数目庞大的存储单元(memorycell)聚集形成的一阵列区，用来存储数据，而每一存储单元可由一金属氧化半导体(metaloxidesemiconductor，MOS)晶体管与一电容(capacitor)结构串联组成。应产品需求，阵列区中的存储单元密度需持续提升，造成相关制作工艺与设计上的困难度与复杂度不断增加。举例来说，当存储单元密度增加时，存储单元中的电容结构可占面积会相对缩小，而在电容量需维持在一定程度的要求下，电容结构需要向上延伸来增加电容结构中电极的面积。然而，在电容结构的高度增加的状况下，要制作出高宽比极大的电极层困难度很高，需要有支撑层支撑电极层，但是现有的支撑层容易漏电，导致DRAM的性能无法提升。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种存储器，以解决现有的支撑层容易漏电，导致DRAM的性能受限的问题。为了达到上述目的，本技术提供了一种存储器，包括：衬底；第一电极，设置于所述衬底上并向上延伸；第一支撑层，横向支撑所述第一电极的侧壁的顶部，所述第一支撑层的顶部的横向宽度小于其底部的横向宽度，且所述第一支撑层包括掺碳的第一绝缘层及不掺碳的第二绝缘层，所述第一绝缘层位于所述第二绝缘层上；金属氧化物层，位于所述第一电极上并顺形的覆盖所述第一电极及所述第一支撑层的表面；以及，第二电极，位于至少部分所述金属氧化物层上。可选的，所述第一电极的顶部低于所述第一绝缘层的顶部。可选的，所述第一电极的顶部高于所述第二绝缘层的顶部。可选的，所述第一绝缘层的顶部的横向宽度小于其底部的横向宽度。可选的，所述第一绝缘层的侧壁具有台阶，且所述第一绝缘层及所述第一支撑层均呈凸字形。可选的，所述第二绝缘层的顶部的横向宽度小于其底部的横向宽度。可选的，所述第一绝缘层的横向宽度与所述第二绝缘层的顶部的横向宽度相等。可选的，所述第二绝缘层的侧壁具有台阶，且所述第二绝缘层及所述第一支撑层均呈凸字形。可选的，所述第一电极与所述第二绝缘层的侧壁之间具有间隙，所述金属氧化物层覆盖所述间隙的侧壁或填充所述间隙。可选的，所述第一绝缘层的横向宽度从底部到顶部的方向逐渐收缩。可选的，所述第一绝缘层的材料为掺碳氮化硅或掺碳氧化硅。可选的，所述第二绝缘层的材料为氧化硅、氮化硅或氮氧化硅中的任一种。可选的，还包括：若干第二支撑层，横向支撑所述第一电极的侧壁，且均位于所述第一支撑层与所述衬底之间，所述金属氧化物层还顺形的覆盖所述第二支撑层的表面。在本技术提供的存储器具有如下有益效果：第一支撑层横向支撑第一电极的侧壁的顶部，且所述第一支撑层包括掺碳的第一绝缘层及不掺碳的第二绝缘层，所述第一绝缘层位于所述第二绝缘层上，掺碳的第一绝缘层具有较好的抗刻蚀能力，能够降低制备存储器时所述第一支撑层被其他刻蚀工艺破坏的程度，也即只有所述第一支撑层顶部被破坏，而所述第一支撑层的底部是完好的，可以保证所述第一支撑层的支撑效果；并且，虽然所述第一绝缘层掺碳会造成漏电，但是只有所述第一绝缘层掺碳，所述第二绝缘层是不掺碳的，相对现有技术可降低漏电情况，进而提高存储器的性能。附图说明图1为本技术实施例一提供的存储器的形成方法的流程图；图2a～图2k为本技术实施例一提供的存储器的形成方法的相应步骤的结构示意图，其中，为本技术实施例一提供的存储器的结构示意图；图3为本技术实施例二提供的存储器的结构示意图；图4为本技术实施例三提供的存储器的分结构示意图；图5为本技术实施例四提供的存储器的分结构示意图；其中，附图标记为：100-衬底；STI-沟槽隔离结构；200-位线结构；200a-节点接触窗；300-导电材料层；300a-凹槽；300b-节点接触结构；400-隔离结构；500-堆叠材料层；500a-第二牺牲材料层；500b-第二支撑材料层；500c-第一牺牲材料层；500d-第一支撑材料层；501d-第一绝缘材料层；511d-第一绝缘层；502d-第二绝缘材料层；512d-第二绝缘层；500e-第一开口；500f-第二开口；510a-第一支撑结构；510b-第二支撑结构；600a-第一电极；600b-金属氧化物层；600c-第二电极；600-电容结构；X1-第一绝缘层的顶部的宽度尺寸；X2-第一绝缘层的底部的宽度尺寸；X3-第二绝缘层的顶部的横向宽度；X4-第二绝缘层的底部的横向宽度。具体实施方式下面将结合示意图对本技术的具体实施方式进行更详细的描述。根据下列描述，本技术的优点和特征将更清楚。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比例，仅用以方便、明晰地辅助说明本技术实施例的目的。实施例一图2k为本实施例中的存储器的部分结构示意图。如图2k所示，所述存储器例如是一随机动态处理存储器(DynamicRandomAccessMemory，DRAM)元件等存储器装置，但不以此为限。详细来说，所述存储器首先包含一衬底100，所述衬底100例如为硅基底(siliconsubstrate)、含硅基底(siliconcontainingsubstrate)、外延硅基底(epitaxialsiliconsubstrate)、硅覆绝缘基底(silicon-on-insulatorsubstrate)等。所述衬底100内还定义有一存储区域(memorycellregion)以及周边区域(peripheryregion)，本实施例的附图中仅示意性的展示出存储区域。所述衬底100上形成有至少一浅沟槽隔离STI，以在所述衬底100中定义出有源区(未图示)。所述浅沟槽隔离STI的制作工艺例如是先利用刻蚀方式而于衬底100中形成至少一沟槽，再在该沟槽中填入绝缘材料(如氧化硅或氮氧化硅等)而形成，但并不以此为限。此外，所述衬底100的有源区内还可形成有多个埋藏式栅极(未图示)，所述埋藏式栅极是相互平行地沿着同一方向延伸，并横跨有源区，而作为所述存储器的埋藏式字符线(未图示)。进一步的，所述有源区例如用于构成存储晶体管，在所述有源区中还可形成有源/漏区，所述源/漏区包括第一源/漏区和第二源/漏区，所述第一源/漏区和所述第二源/漏区分别位于所述埋藏式栅极的两侧，以共同构成所述存储晶体管。可以理解的是，所述第一源/漏区和第二源/漏区的底部更低于所述埋藏式栅极的顶部，使得所述第一源/漏区和第二源/漏区与所述埋藏式栅极之间具有交叠的区域。进一步，所述衬底100上则可形成有多个位线结构200，其是相互本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种存储器，其特征在于，包括：/n衬底；/n第一电极，设置于所述衬底上并向上延伸；/n第一支撑层，横向支撑所述第一电极的侧壁的顶部，所述第一支撑层的顶部的横向宽度小于其底部的横向宽度，且所述第一支撑层包括掺碳的第一绝缘层及不掺碳的第二绝缘层，所述第一绝缘层位于所述第二绝缘层上；/n金属氧化物层，位于所述第一电极上并顺形的覆盖所述第一电极及所述第一支撑层的表面；以及，/n第二电极，位于至少部分所述金属氧化物层上。/n

【技术特征摘要】
1.一种存储器，其特征在于，包括：
衬底；
第一电极，设置于所述衬底上并向上延伸；
第一支撑层，横向支撑所述第一电极的侧壁的顶部，所述第一支撑层的顶部的横向宽度小于其底部的横向宽度，且所述第一支撑层包括掺碳的第一绝缘层及不掺碳的第二绝缘层，所述第一绝缘层位于所述第二绝缘层上；
金属氧化物层，位于所述第一电极上并顺形的覆盖所述第一电极及所述第一支撑层的表面；以及，
第二电极，位于至少部分所述金属氧化物层上。


2.如权利要求1所述的存储器，其特征在于，所述第一电极的顶部低于所述第一绝缘层的顶部。


3.如权利要求1所述的存储器，其特征在于，所述第一电极的顶部高于所述第二绝缘层的顶部。


4.如权利要求1-3中任一项所述的存储器，其特征在于，所述第一绝缘层的顶部的横向宽度小于其底部的横向宽度。


5.如权利要求4所述的存储器，其特征在于，所述第一绝缘层的侧壁具有台阶，且所述第一绝缘层及所述第一支撑层均呈凸字形。


6.如权利要求1-3中任一项所述的存储器，其特征在于，所述第二绝缘层的顶部的横向宽度小于其底...

【专利技术属性】
技术研发人员：詹益旺，童宇诚，李甫哲，蔡建成，刘安淇，郭明峰，林刚毅，郑俊义，
申请(专利权)人：福建省晋华集成电路有限公司，
类型：新型
国别省市：福建;35