电容承接板的形成方法、半导体存储器及其形成方法技术

本发明专利技术提供了一种电容承接板的形成方法、半导体存储器及其形成方法。所述电容承接板的形成方法包括如下步骤：提供一基底，所述基底包括衬底和位于衬底表面的若干电容触点，所述衬底内具有若干条字线；形成导电层于所述基底表面；形成第一掩膜结构于所述导电层表面，所述第一掩膜结构中具有第一刻蚀图形；形成第二掩膜结构于所述第一掩膜结构之上，所述第二掩膜结构中具有第二刻蚀图形；以所述第一刻蚀图形和所述第二刻蚀图形在沿垂直于所述基底方向上的投影相交的部分作为电容承接板图形，刻蚀所述导电层，形成相对于所述字线倾斜一预设角度的电容承接板。本发明专利技术能够有效的控制电容承接板的尺寸以及相邻电容承接板之间的间距。

【技术实现步骤摘要】
电容承接板的形成方法、半导体存储器及其形成方法
本专利技术涉及半导体制造
，尤其涉及一种电容承接板的形成方法、半导体存储器及其形成方法。
技术介绍
动态随机存储器(DynamicRandomAccessMemory，DRAM)是计算机中常用的半导体存储器件，其由多个存储单元构成，每个存储单元通常包括晶体管和电容器。所述晶体管的栅极与字线电连接、源极与位线电连接、漏极与电容器电连接，字线上的字线电压能够控制晶体管的开启和关闭，从而通过位线能够读取存储在电容器中的数据信息，或者将数据信息写入到电容器中。对于DRAM等半导体存储器中，若位线是弯曲状的结构，则活性区域接触点可以直接与上层的电容器连接，无需设置额外的转接结构；但是，对于位线是直线状的结构，为了满足紧密堆积的需求而形成了六方电容结构，此时，则必须要在活性区域接触点与电容器之间设置作为转接结构的电容承接板。在现有技术中，一般通过曝光在光阻上得到电容承接板的设计形状，随后通过多道掩膜层向下转移到活性区域接触点上方，形成电容承接板图形，最后通过在所述电容承接板图形中填充金属材料形成电容承接板结构。但是，这种工艺方法不适用于小尺寸的集成电路结构，例如如果电容承接板的结构过于紧密且尺寸较小，对于曝光的间距来说，会有较大的难度，并且电容承接板分布的均匀性不易控制。因此，如何改善电容承接板的形成工艺，提高半导体存储器的电性能，是目前亟待解决的技术问题。
技术实现思路
本专利技术提供一种电容承接板的形成方法、半导体存储器及其形成方法，用于解决现有的电容承接板不适用于紧密型的集成电路结构的问题，以提高半导体存储器的电性能。为了解决上述问题，本专利技术提供了一种电容承接板的形成方法，包括如下步骤：提供一基底，所述基底包括衬底和位于所述衬底表面的若干电容触点，所述衬底内具有若干条字线；形成导电层于所述基底表面；形成第一掩膜结构于所述导电层表面，所述第一掩膜结构中具有沿第一方向延伸的第一刻蚀图形；形成第二掩膜结构于所述第一掩膜结构之上，所述第二掩膜结构中具有沿第二方向延伸的第二刻蚀图形，所述第一方向与所述第二方向倾斜相交；以所述第一刻蚀图形和所述第二刻蚀图形在沿垂直于所述基底方向上的投影相交的部分作为电容承接板图形，刻蚀所述导电层，形成与若干电容触点一一对应的若干电容承接板，所述电容承接板相对于所述字线倾斜一预设角度。可选的，形成导电层于所述基底表面的具体步骤包括：形成覆盖于所述基底表面的隔离层，所述隔离层中具有若干暴露所述电容触点的接触窗口；形成填充满所述接触窗口并覆盖所述隔离层顶面的导电层。可选的，形成第一掩模结构于所述导电层表面的具体步骤包括：形成覆盖于所述导电层表面的第一掩膜层；形成覆盖于所述第一掩膜层表面的第二掩膜层；刻蚀所述第二掩膜层，形成暴露所述第一掩膜层且沿第一方向延伸的第一沟槽，并以所述第一沟槽作为第一刻蚀图形。可选的，形成暴露所述第一掩膜层且沿第一方向延伸的第一沟槽的具体步骤包括：形成覆盖于所述第二掩膜层表面的第三掩膜层；形成覆盖于所述第三掩膜层表面的第四掩膜层；形成第一光阻层于所述第四掩膜层表面，所述第一光阻层中具有暴露所述第四掩膜层、且沿第一方向延伸的第一开口；形成覆盖所述第一开口侧壁的第一侧墙；以所述第一侧墙为掩膜刻蚀所述第四掩膜层、所述第三掩膜层和所述第二掩膜层，形成所述第一沟槽。可选的，所述第一掩膜层的材料为氮化物材料，所述第二掩膜层的材料为多晶硅材料。可选的，形成第二掩膜结构于所述第一掩膜结构之上的具体步骤包括：形成填充满所述第一刻蚀结构并覆盖所述第二掩膜层顶面的第五掩膜层；形成覆盖所述第五掩膜层的第六掩膜层；形成第二光阻层于所述第六掩膜层表面，所述第二光阻层中具有暴露所述第六掩膜层且沿第二方向延伸的第二开口；形成覆盖所述第二开口侧壁的第二侧墙；去除所述第二光阻层，于相邻的所述第二侧墙之间形成沿第二方向延伸的第二沟槽，并以所述第二沟槽作为第二刻蚀图形。可选的，刻蚀所述导电层的具体步骤包括：除去所述第二掩膜层中与所述第二侧墙投影交叠区域之外的部分、所述第五掩膜层、所述第六掩膜层和所述第二侧墙，于所述第一掩膜层表面形成电容承接板图形；以所述电容承接板图形为掩膜图形刻蚀所述导电层。可选的，所述导电层表面还包括第七掩膜层，所述第一掩模结构位于所述第七掩膜层表面；以所述电容承接板图形为掩膜图形刻蚀所述导电层的具体步骤还包括：以所述电容承接板图形为掩膜图形、以所述隔离层为刻蚀截止层，刻蚀所述第一掩膜层、所述第七掩膜层和所述导电层，形成与若干电容触点一一对应的若干电容承接板。可选的，所述第七掩膜层为有机掩膜层。可选的，所述第一方向为平行于所述字线的方向，所述第二方向相对于所述字线方向倾斜所述预设角度；或者，所述第一方向为相对于所述字线方向倾斜所述预设角度的方向，所述第二方向为平行于所述字线的方向。可选的，所述预设角度为60°。为了解决上述问题，本专利技术还提供了一种半导体存储器的形成方法，包括如下步骤：提供一基底，所述基底包括衬底和位于所述衬底表面的若干电容触点，所述衬底内具有若干条字线；于所述基底表面形成与若干所述电容触点一一对应连接的若干电容承接板，所述电容承接板采用如上述任一项所述的电容承接板的形成方法形成；形成与若干所述电容承接板一一对应连接的若干电容器。可选的，若干所述电容承接板呈六方阵列排布。为了解决上述问题，本专利技术还提供了一种半导体存储器，包括：基底，所述基底包括衬底和位于所述衬底表面的若干电容触点，所述衬底内具有若干条字线；若干电容承接板，位于所述基底表面，若干所述电容承接板与若干所述电容触点一一对应连接，且所述电容承接板相对于所述字线倾斜一预设角度。可选的，若干所述电容承接板呈六方阵列排布。可选的，所述预设角度为60°。可选的，还包括：隔离层，位于所述基底表面，所述隔离层中具有若干暴露所述电容触点的接触窗口；所述电容承接板填充满所述接触窗口，且所述电容承接板的高度大于所述隔离层。可选的，所述电容承接板在沿平行于所述基底的方向上的截面为椭圆形。可选的，还包括：若干电容器，若干所述电容器与若干所述电容承接板一一对应电连接。可选的，还包括：若干位线，呈直线型，且所述位线的延伸方向与所述字线的延伸方向垂直。本专利技术提供的电容承接板的形成方法、半导体存储器及其形成方法，通过形成具有沿第一方向延伸的第一刻蚀图形的第一掩膜结构和具有沿第二方向延伸的第二刻蚀图形的第二掩膜结构，且控制所述第一方向与所述第二方向倾斜相交，以所述第一刻蚀图形和所述第二刻蚀图形在沿垂直于所述基底方向上的投影相交的部分作为电容承接板图形来形成电容承接板，使得最终形成的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种电容承接板的形成方法，其特征在于，包括如下步骤：/n提供一基底，所述基底包括衬底和位于所述衬底表面的若干电容触点，所述衬底内具有若干条字线；/n形成导电层于所述基底表面；/n形成第一掩膜结构于所述导电层表面，所述第一掩膜结构中具有沿第一方向延伸的第一刻蚀图形；/n形成第二掩膜结构于所述第一掩膜结构之上，所述第二掩膜结构中具有沿第二方向延伸的第二刻蚀图形，所述第一方向与所述第二方向倾斜相交；/n以所述第一刻蚀图形和所述第二刻蚀图形在沿垂直于所述基底方向上的投影相交的部分作为电容承接板图形，刻蚀所述导电层，形成与若干电容触点一一对应的若干电容承接板，所述电容承接板相对于所述字线倾斜一预设角度。/n

【技术特征摘要】
1.一种电容承接板的形成方法，其特征在于，包括如下步骤：
提供一基底，所述基底包括衬底和位于所述衬底表面的若干电容触点，所述衬底内具有若干条字线；
形成导电层于所述基底表面；
形成第一掩膜结构于所述导电层表面，所述第一掩膜结构中具有沿第一方向延伸的第一刻蚀图形；
形成第二掩膜结构于所述第一掩膜结构之上，所述第二掩膜结构中具有沿第二方向延伸的第二刻蚀图形，所述第一方向与所述第二方向倾斜相交；
以所述第一刻蚀图形和所述第二刻蚀图形在沿垂直于所述基底方向上的投影相交的部分作为电容承接板图形，刻蚀所述导电层，形成与若干电容触点一一对应的若干电容承接板，所述电容承接板相对于所述字线倾斜一预设角度。


2.根据权利要求1所述的电容承接板的形成方法，其特征在于，形成导电层于所述基底表面的具体步骤包括：
形成覆盖于所述基底表面的隔离层，所述隔离层中具有若干暴露所述电容触点的接触窗口；
形成填充满所述接触窗口并覆盖所述隔离层顶面的导电层。


3.根据权利要求2所述的电容承接板的形成方法，其特征在于，形成第一掩模结构于所述导电层表面的具体步骤包括：
形成覆盖于所述导电层表面的第一掩膜层；
形成覆盖于所述第一掩膜层表面的第二掩膜层；
刻蚀所述第二掩膜层，形成暴露所述第一掩膜层且沿第一方向延伸的第一沟槽，并以所述第一沟槽作为第一刻蚀图形。


4.根据权利要求3所述的电容承接板的形成方法，其特征在于，形成暴露所述第一掩膜层且沿第一方向延伸的第一沟槽的具体步骤包括：
形成覆盖于所述第二掩膜层表面的第三掩膜层；
形成覆盖于所述第三掩膜层表面的第四掩膜层；
形成第一光阻层于所述第四掩膜层表面，所述第一光阻层中具有暴露所述第四掩膜层、且沿第一方向延伸的第一开口；
形成覆盖所述第一开口侧壁的第一侧墙；
以所述第一侧墙为掩膜刻蚀所述第四掩膜层、所述第三掩膜层和所述第二掩膜层，形成所述第一沟槽。


5.根据权利要求3所述的电容承接板的形成方法，其特征在于，所述第一掩膜层的材料为氮化物材料，所述第二掩膜层的材料为多晶硅材料。


6.根据权利要求3所述的电容承接板的形成方法，其特征在于，形成第二掩膜结构于所述第一掩膜结构之上的具体步骤包括：
形成填充满所述第一刻蚀结构并覆盖所述第二掩膜层顶面的第五掩膜层；
形成覆盖所述第五掩膜层的第六掩膜层；
形成第二光阻层于所述第六掩膜层表面，所述第二光阻层中具有暴露所述第六掩膜层且沿第二方向延伸的第二开口；
形成覆盖所述第二开口侧壁的第二侧墙；
去除所述第二光阻层，于相邻的所述第二侧墙之间形成沿第二方向延伸的第二沟槽，并以所述第二沟槽作为第二刻蚀图形。


7.根据权利要求6所述的电容承接板的形成方法，其特征在于，刻蚀所述导电层的具体步骤包括：
除去所述第二掩膜层中与所述第二侧墙投影交叠区域之外的部分、所述第五掩膜层、所述第六掩膜层和所述第二侧墙，于所述第一掩膜层表面形...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨城，蔡明蒲，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：安徽;34