半导体装置及其制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种半导体装置及其制造方法，半导体装置包含第一垂直晶体管、与第一垂直晶体管相邻的第二垂直晶体管、以及第一垂直晶体管和第二垂直晶体管之间插入的空气隙。第一垂直晶体管包括第一通道区、包裹第一通道区的第一字线以及在第一通道区和第一字线之间的第一字线介电层。第二垂直晶体管包括第二通道区，包裹第二通道区的第二字线以及在第二通道区和第二字线之间的第二字线介电层。第一字线及第二字线分别具有顶部宽度和底部宽度，并且顶部宽度大于底部宽度。本发明专利技术的半导体装置具有空气隙可以减小相邻字线之间的寄生电容。

【技术实现步骤摘要】
半导体装置及其制造方法
本专利技术是有关于一种半导体装置及其制造方法。
技术介绍
动态随机存取存储器(DynamicRandomAccessMemory；DRAM)装置是一种随机存取存储器装置，其将数字比特信息储存在集成电路的个别电容中。通常，动态随机存取存储器的存储单元是由电容与晶体管所构成，并以阵列排列。已经开发出用于4F2动态随机存取存储器单元的垂直晶体管，其中F代表光刻最小特征宽度或临界尺寸(criticaldimension；CD)。然而，近来随着字线间距的不断缩小，DRAM制造商在缩小存储器单元面积方面面临巨大挑战。例如，随着两个紧密排列的字线之间的间距持续缩小，在字线之间的寄生电容(parasiticcapacitance)可能成为问题。因此，需要一种用于减小寄生电容和字线电阻的新颖结构。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种具有空气隙可以减小相邻字线之间的寄生电容的半导体装置。根据本专利技术的一目的提供一种半导体装置。半导体装置包含第一垂直晶体管、与第一垂直晶体管相邻的第二垂直晶体管、以及第一垂本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体装置，其特征在于，包含：/n第一垂直晶体管，包含：/n第一通道区；/n第一字线包裹所述第一通道区，其中所述第一字线具有第一顶部宽度及第一底部宽度，并且所述第一顶部宽度大于所述第一底部宽度；以及/n第一字线介电层，位于所述第一通道区和所述第一字线之间；/n第二垂直晶体管，与所述第一垂直晶体管相邻，包含：/n第二通道区；/n第二字线包裹所述第二通道区，其中所述第二字线具有第二顶部宽度及第二底部宽度，并且所述第二顶部宽度大于所述第二底部宽度；以及/n第二字线介电层，位于所述第二通道区和所述第二字线之间；以及/n空气隙，插入在所述第一垂直晶体管及所述第二垂直晶体管之间。/n

【技术特征摘要】
20191004 US 16/592,7841.一种半导体装置，其特征在于，包含：
第一垂直晶体管，包含：
第一通道区；
第一字线包裹所述第一通道区，其中所述第一字线具有第一顶部宽度及第一底部宽度，并且所述第一顶部宽度大于所述第一底部宽度；以及
第一字线介电层，位于所述第一通道区和所述第一字线之间；
第二垂直晶体管，与所述第一垂直晶体管相邻，包含：
第二通道区；
第二字线包裹所述第二通道区，其中所述第二字线具有第二顶部宽度及第二底部宽度，并且所述第二顶部宽度大于所述第二底部宽度；以及
第二字线介电层，位于所述第二通道区和所述第二字线之间；以及
空气隙，插入在所述第一垂直晶体管及所述第二垂直晶体管之间。


2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，还包含在所述第一垂直晶体管和所述第二垂直晶体管上方的位线。


3.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，还包含在所述第一垂直晶体管下方的第一电容器和在所述第二垂直晶体管下方的第二电容器。


4.如权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，所述空气隙进一步延伸以插入所述第一电容器和所述第二电容器之间。


5.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，还包含在所述第一垂直晶体管和所述第二垂直晶体管之间的层间介电层。


6.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述第一通道区和所述第二通道区包括硅或氧化物半导体。


7.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述第一顶部宽度和所述第二顶部宽度分别比所述第一底部宽度和所述第二底部宽度大至少1nm。


8.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包含：
在基板上提供包括第一电容器和第二电容器的前驱结构；
在所述第一电容器和所述第二电容器上分别形成第一垂直晶体管和第二垂直晶体管，其中所述第一垂直晶体管包括第一字线，其具有第一顶部宽度和小于所...

【专利技术属性】
技术研发人员：蔡镇宇，
申请(专利权)人：南亚科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71