半导体器件及其形成方法技术

该发明专利技术涉及半导体技术领域，公开了一种半导体器件及其形成方法。该方法包括：提供半导体衬底，半导体衬底上具有掺杂区和多个间隔排列的埋入式字线；埋入式字线穿过所述掺杂区；相邻两埋入式字线之间具有接触孔；在接触孔表面形成刻蚀淀积层；对刻蚀淀积层进行刻蚀处理，将刻蚀淀积层与半导体衬底相接面刻蚀成曲面；去除刻蚀淀积层。本发明专利技术通过刻蚀将半导体衬底表面刻蚀成曲面后，增大了接触孔中半导体衬底与位线接触层的接触面积，同时使两者具有较佳的附着性，从而降低位线接触面电阻，提高动态随机存取存储器的存取速度。

【技术实现步骤摘要】
半导体器件及其形成方法
本专利技术涉及半导体
，具体涉及一种半导体器件及其形成方法。
技术介绍
动态随机存取存储器(DynamicRandomAccessMemory，DRAM)是计算机中常用的半导体存储器件，由许多重复的存储单元组成。每个存储单元通常包括电容器和晶体管，晶体管的栅极与字线相连、漏极与位线相连、源极与电容器相连，字线上的电压信号能够控制晶体管的打开或关闭，进而通过位线读取存储在电容器中的数据信息，或者通过位线将数据信息写入到电容器中进行存储。目前业界传统动态随机存取存储器，单个存储单元器件由一个MOS晶体管和一个存储电容组成，其中MOS的栅极与动态随机存取存储器的字线相连，MOS的漏、源端连着动态随机存取存储器的位线和存储电容。关于位线结构是在N+硅上生成位线接触层和金属层，由于随着集成电路的精细度提升生产工艺越来越先进，对位线工艺制程的要求也越高，位线接触层与N+硅之间接触面积愈来愈小，接触面积减小使得接触电阻增加，进而影响存储速度。因此，如何降低接触电阻提升现有存储器的性能，是目前亟待解决的技术问题。<本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：/n提供半导体衬底，所述半导体衬底上具有掺杂区和多个间隔排列的埋入式字线；/n所述埋入式字线穿过所述掺杂区；/n相邻两所述埋入式字线之间具有接触孔；/n在所述接触孔表面形成刻蚀淀积层；/n对所述刻蚀淀积层进行刻蚀处理，将所述刻蚀淀积层与所述半导体衬底相接面刻蚀成曲面；/n去除所述刻蚀淀积层。/n

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：
提供半导体衬底，所述半导体衬底上具有掺杂区和多个间隔排列的埋入式字线；
所述埋入式字线穿过所述掺杂区；
相邻两所述埋入式字线之间具有接触孔；
在所述接触孔表面形成刻蚀淀积层；
对所述刻蚀淀积层进行刻蚀处理，将所述刻蚀淀积层与所述半导体衬底相接面刻蚀成曲面；
去除所述刻蚀淀积层。


2.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，形成所述刻蚀淀积层的步骤进一步包括：
在所述接触孔的侧壁和底部形成第一淀积层；
所述第一淀积层包括第一淀积层侧壁和第一淀积层底部；
在剩余的所述接触孔中填满第二淀积层。


3.根据权利要求2所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述第一淀积层与所述第二淀积层不同。


4.根据权利要求3所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述第一淀积层包括：氮化硅、氧化硅、单晶硅、多晶硅；所述第二淀积层包括：氮化硅、氧化硅、单晶硅、多晶硅。


5.根据权利要求3所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，对所述刻蚀淀积层进行刻蚀处理的步骤进一步包括：
先刻蚀所述第一淀积层侧壁，以使所述接触孔两侧形成第一间隙。


6.根据权利要求5所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述第一间隙的宽度小于所述第一淀积层底部的宽度。


7.根据权利要求5所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，以所述第一间隙为刻蚀开口，对所述掺杂区继续刻蚀，将所述第一淀积层底部与所述掺杂区相接面刻蚀成曲面；去除剩余的所述第一淀积层底部和所述第二淀积层。


8.根据权利要求5所述的半导体器件的形成方法...

【专利技术属性】
技术研发人员：钱仕兵，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：安徽;34