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该发明涉及半导体技术领域，公开了一种半导体器件及其形成方法。该方法包括：提供半导体衬底，半导体衬底上具有掺杂区和多个间隔排列的埋入式字线；埋入式字线穿过所述掺杂区；相邻两埋入式字线之间具有接触孔；在接触孔表面形成刻蚀淀积层；对刻蚀淀积层进行...
该专利属于长鑫存储技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过长鑫存储技术有限公司授权不得商用。

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