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半导体装置及其制造方法制造方法及图纸
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文档序号:27980486
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本发明公开了一种半导体装置及其制造方法,半导体装置包含第一垂直晶体管、与第一垂直晶体管相邻的第二垂直晶体管、以及第一垂直晶体管和第二垂直晶体管之间插入的空气隙。第一垂直晶体管包括第一通道区、包裹第一通道区的第一字线以及在第一通道区和第一字线...
该专利属于南亚科技股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过南亚科技股份有限公司授权不得商用。
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