【技术实现步骤摘要】
半导体装置及其制造方法
本公开主张2019/10/08申请的美国正式申请案第16/596,057号的优先权及益处，该美国正式申请案的内容以全文引用的方式并入本文中。
技术介绍
半导体装置被用于各种电子设备的应用当中，例如个人电脑、手机、数码相机和其他电子设备。为满足对计算能力不断增长的需求，半导体装置的尺寸不断地缩小。然而，半导体装置微型化的过程使其制造方面遭遇着各种问题，这些问题将影响半导体装置最终的电特性、品质和产率。因此，在提高半导体装置的性能、质量、良率和可靠性等方面仍然面临挑战。上文的“现有技术”说明仅是提供
技术介绍
，并未承认上文的“现有技术”说明公开本公开的标的，不构成本公开的现有技术，且上文的“现有技术”的任何说明均不应作为本公开的任一部分。
技术实现思路
本公开的一实施例公开一半导体装置，该半导体装置包括一基底、一第一位元线、一第二位元线、一第一虚设位元线及一第二虚设位元线。该基底包括一中央阵列区域和一边缘阵列区域，该边缘阵列区域围绕该中央阵列区域。该第一位元线设置于该中央阵列区域...
【技术保护点】
1.一种半导体装置，包括：/n一基底，其包括一中央阵列区域和一边缘阵列区域，该边缘阵列区域围绕该中央阵列区域；/n一第一位元线设置于该中央阵列区域的上方；/n一第二位元线设置于该中央阵列区域的上方，且该第二位元线是高出并偏移自该第一位元线；/n一第一虚设位元线设置于该边缘阵列区域的上方；及/n一第二虚设位元线设置于该第一虚设位元线的正上方。/n
【技术特征摘要】
20191008 US 16/596,0571.一种半导体装置，包括：
一基底，其包括一中央阵列区域和一边缘阵列区域，该边缘阵列区域围绕该中央阵列区域；
一第一位元线设置于该中央阵列区域的上方；
一第二位元线设置于该中央阵列区域的上方，且该第二位元线是高出并偏移自该第一位元线；
一第一虚设位元线设置于该边缘阵列区域的上方；及
一第二虚设位元线设置于该第一虚设位元线的正上方。
2.如权利要求1所述的半导体装置，其中该第一位元线包括一第一位元线底部导电层和一第一位元线顶部导电层，该第一位元线底部导电层设置于该中央阵列区域的上方，该第一位元线顶部导电层设置于该第一位元线底部导电层上。
3.如权利要求2所述的半导体装置，还包括一第一位元线插塞设置于该第一位元线下，其中该第一位元线插塞的下部部分埋设于该基底中。
4.如权利要求3所述的半导体装置，还包括一第一位元线覆盖层设置于该第一位元线的上方，其中该第一位元线覆盖层由氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化氮化硅或掺杂氟的硅酸盐所形成。
5.如权利要求4所述的半导体装置，还包括多个第一位元线间隙壁贴设于该第一位元线的侧壁，其中该多个第一位元线间隙壁由氧化硅、氮化硅、氮氧化硅或氧化氮化硅所形成。
6.如权利要求5所述的半导体装置，还包括多个字元线设置于该中央阵列区域。
7.如权利要求5所述的半导体装置，还包括多个气隙相邻于该第二位元线的侧壁及该第二虚设位元线的侧壁。
8.如权利要求7所述的半导体装置，还包括多个覆盖用间隙壁相邻于该第二位元线的侧壁及该第二虚设位元线的侧壁，其中该多个覆盖用间隙壁由氧化硅、氮化硅、氮氧化硅或氧化氮化硅所形成。
9.如权利要求8所述的半导体装置，还包括多个衬垫设置于该第二位元线的侧壁与该多个覆盖用间隙壁之间以及该第二虚设位元线的侧壁与该多个覆盖用间隙壁之间。
10.如权利要求9所述的半导体装置，还包括多个电容结构设置于该中央阵列区域和该边缘阵列区域的上方。
11.如权利要求10所述的半导体装置，还...
【专利技术属性】
技术研发人员：黄则尧，
申请(专利权)人：南亚科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71
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