半导体结构的制造方法技术

一种半导体结构包括：多个源极/漏极(S/D)特征部件，设置于半导体基底上；一金属栅极堆叠，设置于源极/漏极(S/D)特征部件之间，其中金属栅极堆叠横越源极/漏极(S/D)特征部件之间的一通道区；多个栅极间隙壁，设置于金属栅极堆叠的侧壁上；以及一蚀刻停止层(etch‑stop layer,ESL)，设置于栅极间隙壁及源极/漏极(S/D)特征部件上。半导体结构还包括：一氧化衬层，设置于蚀刻停止层(ESL)上，其中氧化衬层包括氧化硅及二氧化硅；以及一内层介电(ILD)层，设置于氧化衬层上，其中内层介电(ILD)层的组成不同于基底的组成。本公开还提供一种半导体结构的制造方法。

【技术实现步骤摘要】
半导体结构的制造方法
本专利技术实施例涉及一种半导体技术，且特别涉及一种半导体结构及其制造方法。
技术介绍
集成电路(integratedcircuit,IC)产业经历了指数增长。集成电路(IC)材料及设计的技术进步已经产生了几世代集成电路(IC)，其中每一世代都比上一世代具有更小更复杂的电路。在集成电路(IC)发展过程中，通常增加了功能密度(即，每芯片面积的内连接装置的数量)，而几何尺寸(即，可使用制造制程产生的最小部件(或线))却减小了。这种微缩的制程通常可经由提高生产效率及降低相关成本带来收益。这种微缩也增加了制程与制造集成电路(IC)的复杂性。为了实现这些进展，需要在集成电路(IC)制程与制造中进行相似的发展。举例来说，已经发展出包括向半导体装置(例如，场效晶体管或FET)的通道区施加机械应力的各种方法，以改善装置中的载子迁移率。尽管总体上已经足够了，但并不是在所有方面都令人满意。
技术实现思路
在一些实施例中，一种半导体结构的制造方法包括：提供一半导体装置，包括：一虚置栅极结构，设置于一基底上；以及多个源极本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体结构的制造方法，包括：/n提供一半导体装置，其包括：一虚置栅极结构，设置于一基底上；以及多个源极/漏极(S/D)特征部件，与该虚置栅极结构相邻设置，其中该虚置栅极结构横越所述多个源极/漏极(S/D)特征部件之间的一通道区；/n形成一硅衬层于该半导体装置上方，其中该硅衬层包括元素硅；形成一内层介电层于该硅衬层上；/n引入一掺杂剂于该内层介电层；/n在引入该掺杂剂之后，去除该虚置栅极结构以形成一栅极沟槽；对该掺杂的内层介电层进行一热处理，以氧化该硅衬层；以及/n形成一金属栅极堆叠于该栅极沟槽内及该氧化的硅衬层上方。/n

【技术特征摘要】
20190928 US 62/907,564;20200316 US 16/820,1751.一种半导体结构的制造方法，包括：
提供一半导体装置，其包括：一虚置栅极结构，设置于一基底上；以及多个源极/漏极(S/D)特征部件，与该虚置栅极结构相邻设置，其中该虚置栅极结构...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈柏宁，吴旭升，刘昌淼，林士豪，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71