一种半导体器件的形成方法技术

本发明专利技术实施例提供了一种半导体器件的形成方法。在本发明专利技术实施例中，控制伪栅的上表面高于介质层的上表面，并在介质层和伪栅的上方形成材料与介质层不同的掩膜层，能够准确的控制在预定区域的伪栅上方形成的凹槽的深度，并能够确保后续形成的停止层不覆盖伪栅，避免因为停止层覆盖伪栅导致的伪栅残留，进而能够避免半导体器件短路，确保半导体器件的可靠性。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体器件的形成方法
本专利技术涉及半导体
，尤其涉及一种半导体器件的形成方法。
技术介绍
随着半导体制造工艺的不断发展，半导体器件的集成度越来越高，半导体器件的特征尺寸也逐渐缩小。然而，半导体器件的性能还需要提高。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术实施例提供了一种半导体器件的形成方法，以提高半导体器件的性能。本专利技术实施例所述方法包括：提供前端器件层，所述前端器件层包括伪栅；形成覆盖所述伪栅的侧壁和顶部的介质层；回刻蚀所述介质层，至所述介质层的上表面低于所述伪栅的上表面；在所述介质层和所述伪栅上形成掩膜层；图案化所述掩膜层，形成露出预定区域的伪栅顶部的凹槽；形成停止层，所述停止层至少覆盖所述凹槽的侧壁；去除预定区域的所述伪栅，形成隔离结构。进一步地，所述回刻蚀使得所述介质层的上表面低于所述伪栅的上表面5纳米-10纳米。进一步地，所述掩膜层和所述介质层的材料不同。进一步地，所述掩膜层的材料为氮化硅，所述介质层的材料为二氧化硅本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，所述方法包括：/n提供前端器件层，所述前端器件层包括伪栅；/n形成覆盖所述伪栅的侧壁和顶部的介质层；/n回刻蚀所述介质层，至所述介质层的上表面低于所述伪栅的上表面；/n在所述介质层和所述伪栅上形成掩膜层；/n图案化所述掩膜层，形成露出预定区域的伪栅顶部的凹槽；/n形成停止层，所述停止层至少覆盖所述凹槽的侧壁；/n去除预定区域的所述伪栅，形成隔离结构。/n

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，所述方法包括：
提供前端器件层，所述前端器件层包括伪栅；
形成覆盖所述伪栅的侧壁和顶部的介质层；
回刻蚀所述介质层，至所述介质层的上表面低于所述伪栅的上表面；
在所述介质层和所述伪栅上形成掩膜层；
图案化所述掩膜层，形成露出预定区域的伪栅顶部的凹槽；
形成停止层，所述停止层至少覆盖所述凹槽的侧壁；
去除预定区域的所述伪栅，形成隔离结构。


2.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述回刻蚀使得所述介质层的上表面低于所述伪栅的上表面5纳米-10纳米。


3.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述掩膜层和所述介质层的材料不同。


4.根据权利要求3所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述掩膜层的材料为氮化硅，所述介质层的材料为二氧化硅。

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【专利技术属性】
技术研发人员：韩秋华，张海洋，刘少雄，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31